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吳中區(qū)口碑好的電子元器件設計規(guī)范

來源: 發(fā)布時間:2021-02-17

    將萬用表置于R×1擋,測試中,,若某個繞組的電阻值為無窮大,,則說明此繞組有斷路性故障。D判別初,、次級線圈,。電源變壓器初級引腳和次級引腳一般都是分別從兩側(cè)引出的,并且初級繞組多標有220V字樣,,次級繞組則標出額定電壓值,,如15V、24V,、35V等,。再根據(jù)這些標記進行識別。E空載電流的檢測,。(a)直接測量法,。將次級所有繞組全部開路,把萬用表置于交流電流擋(500mA,,串入初級繞組,。當初級繞組的插頭插入220V交流市電時,萬用表所指示的便是空載電流值,。此值不應大于變壓器滿載電流的10%~20%,。一般常見電子設備電源變壓器的正常空載電流應在100mA左右,。如果超出太多,,則說明變壓器有短路性故障。(b)間接測量法。在變壓器的初級繞組中串聯(lián)一個10/5W的電阻,,次級仍全部空載,。把萬用表撥至交流電壓擋。加電后,,用兩表筆測出電阻R兩端的電壓降U,,然后用歐姆定律算出空載電流I空,即I空=U/R,。F空載電壓的檢測,。將電源變壓器的初級接220V市電,用萬用表交流電壓接依次測出各繞組的空載電壓值(U21,、U22,、U23、U24)應符合要求值,,允許誤差范圍一般為:高壓繞組≤±10%,低壓繞組≤±5%,,帶中心抽頭的兩組對稱繞組的電壓差應≤±2%,。G一般小功率電源變壓器允許溫升為40℃~50℃。電子元器件在質(zhì)量方面國際上有歐盟的CE認證,,美國的UL認證,。吳中區(qū)口碑好的電子元器件設計規(guī)范

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    輻射福州、漳州,、泉州,、龍巖,拓展到莆田,、寧德,、三明、南平等地區(qū)的海峽西岸半導體照明產(chǎn)業(yè)區(qū),。廈門軟件園(二期)正在建設IC公共服務平臺,,到2008年12月,該平臺及孵化園區(qū)將入駐30家以上IC設計企業(yè),。電子元器件·西安陜西是我國**電子大省,,西安是全國重要的基礎電子裝備基地。陜西的機械,、航空航天,、信息產(chǎn)業(yè)、電子工業(yè)等行業(yè)極其發(fā)達,,電子信息產(chǎn)業(yè)已成為陜西省八大支柱產(chǎn)業(yè)之一,,其生產(chǎn)規(guī)模躍居全省各產(chǎn)業(yè),是整個西部科技創(chuàng)新的中堅力量。國家實施西部大開發(fā)和科技興國的戰(zhàn)略為陜西經(jīng)濟發(fā)展提供了前所未有的機遇,。注:以上數(shù)據(jù)截止Mic08-01-29,;Gsol08-01-25電子元器件趨勢分析編輯發(fā)布的《“十二五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》,到2015年力爭使戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)占國內(nèi)生產(chǎn)總值(GDP)的比重從2010年的不到4%提高到8%左右,,到2020年這個比例爭取達到15%,。同時,“十二五”期間,,新一代信息技術產(chǎn)業(yè)銷售收入年均增長20%以上,。這里的“新一代信息技術”包括:超高速光纖與無線通信、物聯(lián)網(wǎng),、云計算,、數(shù)字虛擬、先進半導體和新型顯示等,。其中,,與電子產(chǎn)業(yè)相關的產(chǎn)業(yè)有:集成電路產(chǎn)品設計、先進和特色芯片制造工藝技術,,先進封裝,、測試技術以及關鍵設備、儀器,。工業(yè)園區(qū)正規(guī)電子元器件廠家手工組裝是限制光電子器件的成本進一步下降的主要因素,。

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    自動化組裝生產(chǎn)一直被認為是很困難的事,但有很大突破,。國外的學術期刊已多次報道在VCSEL,、新型光學準直器件和自對準等技術進步基礎上,光器件自動化組裝實現(xiàn)的突破,,同時專門針對自動化組裝的光電子器件設計也正在興起,。2002年OFC展覽會上有十多家自動封裝、自動熔接設備廠商參展,,熔接,、對準、壓焊等許多認為只能由人工操作的工藝都能由機械手進行,。據(jù)ElectroniCast預測,,到2005年自動化組裝與測試設備的銷量將達,光電子器件產(chǎn)值中的70%~80%將由全自動或半自動化組裝生產(chǎn),可以說自動化生產(chǎn)線的出現(xiàn)是光電子行業(yè)開始走向成熟的標志和發(fā)展的必然,。電子元器件光電器件下一代光傳送網(wǎng)的基本特征是超大容量,,從各種復用技術的發(fā)展狀況看,密集波分復用(DWDM)被認為是擴大網(wǎng)絡容量和提高其靈活性的有效途徑,。采用DWDM可以使容量迅速地擴大數(shù)十倍至數(shù)百倍,。由于市場驅(qū)動和技術突破的影響,,波分復用系統(tǒng)發(fā)展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復用有關,。DWDM的發(fā)展思路一直是追求更高的頻譜效率,,一方面提高每個通道的速率,另一方面增加通道密度,。在速率上,,商用系統(tǒng)大多為,更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實用化,,預計到2004年開始商業(yè)應用,。

    此外還有兩種損壞表現(xiàn):一是熱穩(wěn)定性變差,表現(xiàn)為開機時正常,,工作一段時間后,,發(fā)生軟擊穿;另一種是PN結的特性變差,,用萬用表R×1k測,,各PN結均正常,但上機后不能正常工作,,用R×10或R×1低量程檔測,,就會發(fā)現(xiàn)其PN結正向阻值比正常值大。測量二,、三極管可以用指針萬用表在路測量,較準確的方法是:將萬用表置R×10或R×1檔(用R×10檔,,不明顯時再用R×1檔)在路測二,、三極管的PN結正、反向電阻,,正向電阻不太大(正常值),,反向電阻足夠大(正向值),表明該PN結正常,,反之就值得懷疑,,需焊下后再測。這是電路的二,、三極管電阻大多在幾百,、幾千歐,用萬用表低阻值檔在路測量,,可以基本忽略電阻對PN結電阻的影響。4.集成電路損壞的特點集成電路內(nèi)部結構,,功能,,一部分損壞都無法正常工作。集成電路的損壞也有兩種:徹底損壞、熱穩(wěn)定性不良,。徹底損壞時,,可將其拆下,與正常同型號集成電路對比測其每一引腳對地的正,、反向電阻,,總能找到其中一只或幾只引腳阻值異常。對熱穩(wěn)定性差的,,可以在設備工作時,,用無水酒精冷卻被懷疑的集成電路,故障發(fā)生時間推遲或不再發(fā)生故障,,判定,。通常只能更換新集成電路來排除。特別對初學者來說,,熟練掌握常用元器件的檢測方法和經(jīng)驗很有必要,。

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    記住其大小,然后交換表筆再測出一個阻值,。兩次測量中阻值大的那一次便是正向接法,,即黑表筆接的是正極,紅表筆接的是負極,。D使用萬用表電阻擋,,采用給電解電容進行正,、反向充電的方法,,根據(jù)指針向右擺動幅度的大小,可估測出電解電容的容量,。3可變電容器的檢測A用手輕輕旋動轉(zhuǎn)軸,,應感覺十分平滑,,不應感覺有時松時緊甚至有卡滯現(xiàn)象。將載軸向前,、后,、上,、下,、左,、右等各個方向推動時,,轉(zhuǎn)軸不應有松動的現(xiàn)象,。B用一只手旋動轉(zhuǎn)軸,另一只手輕摸動片組的外緣,,不應感覺有任何松脫現(xiàn)象,。轉(zhuǎn)軸與動片之間接觸不良的可變電容器,是不能再繼續(xù)使用的,。C將萬用表置于R×10k擋,,一只手將兩個表筆分別接可變電容器的動片和定片的引出端,另一只手將轉(zhuǎn)軸緩緩旋動幾個來回,,萬用表指針都應在無窮大位置不動,。在旋動轉(zhuǎn)軸的過程中,如果指針有時指向零,,說明動片和定片之間存在短路點,;如果碰到某一角度,萬用表讀數(shù)不為無窮大而是出現(xiàn)一定阻值,,說明可變電容器動片與定片之間存在漏電現(xiàn)象,。電子元器件電感器變壓器1色碼電感器的的檢測將萬用表置于R×1擋,紅,、黑表筆各接色碼電感器的任一引出端,,此時指針應向右擺動,。根據(jù)測出的電阻值大小,。在20世紀出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個世界和人們的工作、生活習慣發(fā)生了翻天覆地的變化,。吳江區(qū)品質(zhì)電子元器件排名靠前

如何準確有效地檢測元器件的相關參數(shù),,判斷元器件的是否正常。吳中區(qū)口碑好的電子元器件設計規(guī)范

    阻值不大,。圓柱形線繞電阻燒壞時有的會發(fā)黑或表面爆皮、裂紋,,有的沒有痕跡,。水泥電阻是線繞電阻的一種,燒壞時會斷裂,,否則也沒有可見痕跡,。保險電阻燒壞時有的表面會炸掉一塊皮,有的也沒有什么痕跡,,但絕不會燒焦發(fā)黑,。根據(jù)特點,在檢查電阻時可有所側(cè)重,,快速找出損壞的電阻,。2.電解電容損壞的特點電解電容在電器設備中的用量很大,,故障率很高。電解電容損壞有以下幾種表現(xiàn):一是失去容量或容量變??;二是輕微或嚴重漏電;三是失去容量或容量變小兼有漏電,。查找損壞的電解電容方法有:(1)看:有的電容損壞時會漏液,,電容下面的電路板表面甚至電容外表都會有一層油漬,這種電容不能再用,;有的電容損壞后會鼓起,,這種電容也不能繼續(xù)使用;因此,,在前期選擇電容的時候,,就應該把好質(zhì)量關,盡量選擇品牌的電容,,如電容巨頭——國巨電容,。(2)摸:開機后有些漏電嚴重的電解電容會發(fā)熱,用手指觸摸時甚至會燙手,,這種電容更換,;(3)電解電容內(nèi)部有電解液,長時間烘烤會使電解液變干,,導致電容量減小,,要重點檢查散熱片及大功率元器件附近的電容,離其越近,,損壞的性就越大,。3.半導體器件損壞特點二、三極管的損壞是PN結擊穿或開路,,其中以擊穿短路居多,。吳中區(qū)口碑好的電子元器件設計規(guī)范

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