AlN陶瓷金屬化的方法主要有：薄膜金屬化（如Ti/Pd/Au）,、厚膜金屬化（低溫金屬化、高溫金屬化）,、化學(xué)鍍金屬化（如Ni）,、直接覆銅法（DBC）及激光金屬化。薄膜金屬化法采用濺射鍍膜等真空鍍膜法使膜材料和基板結(jié)合在一起,，通常在多層結(jié)構(gòu)基板中,，基板內(nèi)部金屬和表層金屬不盡相同，陶瓷基板相接觸的薄膜金屬應(yīng)該具有反應(yīng)性好,、與基板結(jié)合力強(qiáng)的特性,，表面金屬層多選擇電導(dǎo)率高、不易氧化的金屬,。由于是氣相沉積,，原則上任何金屬都可以成膜，任何基板都可以金屬化,，而且沉積的金屬層均勻,，結(jié)合強(qiáng)度高。但薄膜金屬化需要后續(xù)圖形化工藝實(shí)現(xiàn)金屬引線的圖形制備,，成本較高,。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩(wěn)定的相，它具有共價(jià)鍵,、六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),。單晶氧化鋁商家

氮化鋁選用高純度且為微粉的“氮化鋁粉末”，一般而言氧質(zhì)量含量在1.2%以下,，碳質(zhì)量含量為0.04%以下，F(xiàn)e含量為30ppm以下,，Si含量為60ppm以下,。氮化鋁粉體的很大粒徑很好控制在20μm以下的氮化鋁粉末。此處,，“氧”基本上屬于雜質(zhì),，但有防止過(guò)分煅燒的作用，因此為了防止煅燒導(dǎo)致的煅燒體強(qiáng)度下降優(yōu)先選用氧質(zhì)量含量在0.7%以上的氮化鋁粉末,。此外,，在原料中常含有“煅燒助劑”，大多使用稀土金屬化合物,、堿土金屬化合物,、過(guò)渡金屬化合物等,。例如可選用氧化釔或氧化鋁等，這些煅燒助劑與氮化鋁粉體形成復(fù)合的氧化物液相,，該液相帶來(lái)煅燒體的高密度化,，同時(shí)，提取氮化鋁晶粒中屬于雜質(zhì)的氧,，以結(jié)晶晶界的氧化物進(jìn)行偏析,，從而使氮化鋁基板的導(dǎo)熱率提高。大連耐溫氧化鋁品牌氮化鋁的熱導(dǎo)率主要由晶體缺陷和聲子自身對(duì)聲子散射控制,。

在氮化鋁一系列重要的性質(zhì)中,，很為明顯的是高的熱導(dǎo)率。關(guān)于氮化鋁的導(dǎo)熱機(jī)理,，國(guó)內(nèi)外已做了大量的研究,，并已形成了較為完善的理論體系。主要機(jī)理為：通過(guò)點(diǎn)陣或晶格振動(dòng),，即借助晶格波或熱波進(jìn)行熱的傳遞,。量子力學(xué)的研究結(jié)果告訴我們，晶格波可以作為一種粒子——聲子的運(yùn)動(dòng)來(lái)處理,。熱波同樣具有波粒二象性,。載熱聲子通過(guò)結(jié)構(gòu)基元(原子、離子或分子)間進(jìn)行相互制約,、相互協(xié)調(diào)的振動(dòng)來(lái)實(shí)現(xiàn)熱的傳遞,。如果晶體為具有完全理想結(jié)構(gòu)的非彈性體，則熱可以自由的由晶體的熱端不受任何干擾和散射向冷端傳遞,，熱導(dǎo)率可以達(dá)到很高的數(shù)值,。其熱導(dǎo)率主要由晶體缺陷和聲子自身對(duì)聲子散射控制。

AlN自擴(kuò)散系數(shù)小難以燒結(jié),，一般采用添加堿土金屬化合物及稀土鑭系化合物,，通過(guò)液相燒結(jié)實(shí)現(xiàn)燒結(jié)致密化。燒結(jié)助劑能在燒結(jié)初期和中期明顯促進(jìn)AlN陶瓷燒結(jié),，并且在燒結(jié)的后期從陶瓷材料中部分揮發(fā),，從而制備純度及致密化程度都較高的AlN陶瓷材料及制品。在此過(guò)程中,，助燒劑的種類,、添加方式、添加量等均會(huì)對(duì)AlN陶瓷材料及制品的結(jié)構(gòu)與性能產(chǎn)生明顯程度的影響,。選擇AlN陶瓷燒結(jié)助劑應(yīng)遵循以下原則：能在較低的溫度下與AlN顆粒表面的氧化鋁發(fā)生共熔,，產(chǎn)生液相，這樣才能降低燒結(jié)溫度；產(chǎn)生的液相對(duì)AlN顆粒有良好的浸潤(rùn)性,，才能有效起到燒結(jié)助劑作用,；燒結(jié)助劑與氧化鋁有較強(qiáng)的結(jié)合能力，以除去雜質(zhì)氧,，凈化AlN晶界,；液相的流動(dòng)性好，在燒結(jié)后期AlN晶粒生長(zhǎng)過(guò)程中向三角晶界流動(dòng),，而不至于形成AlN晶粒間的熱阻層,；燒結(jié)助劑很好不與AlN發(fā)生反應(yīng)，否則既容易產(chǎn)生晶格缺陷,，又難于形成多面體形態(tài)的AlN完整晶形,。提高氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的途徑：加入適當(dāng)?shù)臒Y(jié)助劑，可促進(jìn)氮化鋁陶瓷致密化,。

陶瓷線路板的耐熱循環(huán)性能是其可靠性關(guān)鍵參數(shù)之一,。本文對(duì)陶瓷基板在反復(fù)周期性加熱過(guò)程中發(fā)生的變形情況進(jìn)行了研究。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),，陶瓷覆銅板在周期性加熱過(guò)程中,，存在類似金屬材料在周期載荷作用下出現(xiàn)的棘輪效應(yīng)和包辛格效應(yīng)。結(jié)合ＡＮＳＹＳ有限元計(jì)算結(jié)果,，可以推斷,，陶瓷線路板的失效開(kāi)裂與金屬層的塑性變形或位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)直接相關(guān)。另外,，活性金屬釬焊陶瓷基板的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性優(yōu)于直接覆銅陶瓷基板,。隨著功率器件工作電壓、電流的增加和芯片尺寸不斷減小,，芯片功率密度急劇增加,，對(duì)芯片的散熱封裝的可靠性提出了更高挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)柔性基板或金屬基板已滿足不了第三代半導(dǎo)體模塊高功率,、高散熱的要求,，陶瓷基板具有良好的導(dǎo)熱性、耐熱性,、絕緣性,、低熱膨脹系數(shù)，是功率電子器件中關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,。陶瓷基板由金屬線路層和陶瓷層組成，由于陶瓷和金屬之間存在較大的熱膨脹差異,，使用過(guò)程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力會(huì)造成基板開(kāi)裂失效,，因此，對(duì)陶瓷基板耐熱循環(huán)可靠性研究具有重要意義。氮化鋁的應(yīng)用：應(yīng)用于襯底材料,，AlN晶體是GaN,、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底。麗水高導(dǎo)熱氮化鋁價(jià)格

氮化鋁陶瓷具有高熱導(dǎo)率,、好的抗熱沖擊性,、高溫下依然擁有良好的力學(xué)性能。單晶氧化鋁商家

提高氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的途徑：選擇合適的燒結(jié)工藝,，致密度對(duì)氮化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率有重要影響,，致密度較低的氮化鋁陶瓷很難有較高的熱導(dǎo)率，因此必須選擇合適的燒結(jié)工藝實(shí)現(xiàn)氮化鋁陶瓷的致密化,。常壓燒結(jié)：常壓燒結(jié)的燒結(jié)溫度通常為1600℃至2000℃,，當(dāng)添加了Y2O3燒結(jié)助劑后，氮化鋁粉會(huì)產(chǎn)生液相燒結(jié),，燒結(jié)溫度一般在1700℃至1900℃,，特別是1800℃很常用，保溫時(shí)間為2h,。燒結(jié)溫度還要受到氮化鋁粉粒度,、添加劑含量及種類等的影響。熱壓溫度相對(duì)能低一些,，一般是在1500℃至1700℃,，保溫時(shí)間為0.5h，施加的壓力為20MPa左右,。在1500℃至1800℃范圍內(nèi),，提高氮化鋁燒結(jié)溫度通常會(huì)明顯提高氮化鋁燒結(jié)體的導(dǎo)熱率和致密度，特別是在常壓燒結(jié)時(shí),，這種影響更為明顯,。單晶氧化鋁商家