氮化鋁的應用：應用于發(fā)光材料,，氮化鋁（AlN）的直接帶隙禁帶很大寬度為6.2eV,，相對于間接帶隙半導體有著更高的光電轉(zhuǎn)換效率。AlN作為重要的藍光和紫外發(fā)光材料,，應用于紫外/深紫外發(fā)光二極管,、紫外激光二極管以及紫外探測器等。此外,，AlN可以和III族氮化物如GaN和InN形成連續(xù)的固溶體,，其三元或四元合金可以實現(xiàn)其帶隙從可見波段到深紫外波段的連續(xù)可調(diào)，使其成為重要的高性能發(fā)光材料,?？梢哉f，從性能的角度講,，氮化鋁與氮化硅是目前很適合用作電子封裝基片的材料,，但他們也有個共同的問題就是價格過高。氮化鋁陶瓷基板具有導熱效率高,、力學性能好,、耐腐蝕、電性能優(yōu),、可焊接等特點,。納米氮化鋁價格

具有優(yōu)良的耐磨損性能，可用作研磨材料和耐磨損零件,，但由于造價高,，只能用于磨損嚴重的部位,。將某些易氧化的金屬或非金屬表面包裹AlN涂層，可以提高其抗氧化,、耐磨的性能,；也可以用作防腐蝕涂層，如腐蝕性物質(zhì)的處理器和容器的襯里等,。純度高,、致密度高、氣孔率少的氮化鋁陶瓷呈透明狀,，可用來制作電子光學器件,。也可用作雷達和紅外線的透過材料，因此,，在**方面同樣具有良好的發(fā)展,。氮化鋁陶瓷同樣可以用來制作納米陶瓷管，可以用在發(fā)熱板,，作載熱材料,，在微電子工業(yè)用途范圍較廣。片狀氧化鋁哪家好氮化鋁陶瓷基板是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料,。

熱壓燒結(jié)：即在一定壓力下燒結(jié)陶瓷,，可以使加熱燒結(jié)和加壓成型同時進行。無壓燒結(jié)：常壓燒結(jié)氮化鋁陶瓷一般溫度范圍為1600-2000℃,，適當升高燒結(jié)溫度和延長保溫時間可以提高氮化鋁陶瓷的致密度,。微波燒結(jié)：微波燒結(jié)也是一種快速燒結(jié)法，利用微波與介質(zhì)的相互作用產(chǎn)生介電損耗而使坯體整體加熱的燒結(jié)方法,。放電等離子燒結(jié)：融合等離子活化,、熱壓、電阻加熱等技術(shù),，具有燒結(jié)速度快,，晶粒尺寸均勻等特點。自蔓延燒結(jié)：即在超高壓氮氣下利用自蔓延高溫合成反應直接制備AlN陶瓷致密材料,。但由于高溫燃燒反應下原料中的Al易熔融而阻礙氮氣向毛坯內(nèi)部滲透,， 難以得到致密度高的AlN陶瓷。以上5中燒結(jié)工藝中,，熱壓燒結(jié)是目前制備高熱導率致密化AlN陶瓷的主要工藝,。

AlN陶瓷基片的燒結(jié)工藝：燒結(jié)助劑及其添加方式，燒結(jié)助劑主要有兩方面的作用：一方面形成低熔點物相,，實現(xiàn)液相燒結(jié),，降低燒結(jié)溫度，促進坯體致密化；另一方面,，高熱導率是AlN基板的重要性能,，而實際AlN基板中由于存在氧雜質(zhì)等各種缺陷，熱導率低于其理論值,，加入燒結(jié)助劑可以與氧反應,，使晶格完整化，進而提高熱導率,。常用的燒結(jié)助劑主要是以堿土金屬和稀土元素的化合物為主,，單元燒結(jié)助劑燒結(jié)能力往往很有限,，通常要配合1800℃以上燒結(jié)溫度,、較長燒結(jié)時間及較多含量的燒結(jié)助劑等條件。燒結(jié)過程中如果只采用一種燒結(jié)助劑,，所需要的燒結(jié)溫度難以降低,，生產(chǎn)成本較高。二元或多元燒結(jié)助劑各成分間相互促進,，往往會得到更加明顯的燒結(jié)效果,。目前，助燒劑引入的方式一般有2種,，一種是直接添加,，另一種是以可溶性硝酸鹽形式制成前驅(qū)體原位生成燒結(jié)助劑。后者所生成的燒結(jié)助劑組元分布更為均勻,，顆粒更為細小,，比表面能更大。氮化鋁是一種綜合性能優(yōu)良的陶瓷材料,，由于氮化鋁是共價化合物,，自擴散系數(shù)小，熔點高,。

AIN氮化鋁陶瓷作為一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料,，因其氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的熱傳導性，可靠的電絕緣性,，低的介電常數(shù)和介電損耗,，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性，被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件封裝的理想材料,。氮化鋁陶瓷可做成氮化鋁陶瓷基板,，被較廣應用到散熱需求較高的領(lǐng)域，比如大功率LED模組,，半導體等領(lǐng)域,。高性能氮化鋁粉體是制備高熱導率氮化鋁陶瓷基片的關(guān)鍵，目前國外氮化鋁粉制造工藝已經(jīng)相當成熟，商品化程度也很高,。但掌握高性能氮化鋁粉生產(chǎn)技術(shù)的廠家并不多,，主要分布在日本、德國和美國,。氮化鋁粉末作為制備陶瓷成品的原料,，其純度、粒度,、氧含量以及其它雜質(zhì)的含量都對后續(xù)成品的熱導性能,、后續(xù)燒結(jié)，成型工藝有重要影響,，是很終成品性能優(yōu)異與否的基石,。氮化鋁可以用作高溫結(jié)構(gòu)件熱交換器材料等。成都單晶氮化硼

環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩(wěn)定性的高分子材料,，它固化方便,，收縮率低。納米氮化鋁價格

氮化鋁陶瓷基片制造并非易事：氮化鋁的很大特點是熱膨脹系數(shù)（CTE）與半導體硅（Si）相當,，且熱導率高,，理論上氮化鋁熱導率可達到320W/(m·K)，但成本很高,。由于制備氮化鋁陶瓷的重點原料氮化鋁粉體制備工藝復雜,、能耗高、周期長,、價格昂貴,，國內(nèi)的氮化鋁粉體很大程度上依賴進口。原料的批次穩(wěn)定性,、成本也成為國內(nèi)氮化鋁陶瓷基片材料制造的瓶頸,。氮化鋁基板生產(chǎn)呈地區(qū)集中狀態(tài)，美國,、日本,、德國等國家和地區(qū)是全球很主要的電子元件生產(chǎn)和研發(fā)中心，在氮化鋁陶瓷基片的研究已遠早于國內(nèi),。日本已有較多企業(yè)研發(fā)和生產(chǎn)氮化鋁陶瓷基片,，目前是全球很大的氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)國。納米氮化鋁價格