氮化鋁是共價鍵化合物,，屬于六方晶系，纖鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu),，呈白色或灰白色,。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢,。氮化鋁導(dǎo)熱性好,，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料,。具有優(yōu)異的抗熱震性,。AlN的導(dǎo)熱率是Al2O3的2～3倍，熱壓時強度比Al2O3還高,。氮化鋁對Al和其他熔融金屬,、砷化鎵等具有良好的耐蝕性，尤其對熔融Al液具有極好的耐侵蝕性,，還具有優(yōu)良的電絕緣性和介電性質(zhì),。但氮化鋁的高溫抗氧化性差，在大氣中易吸潮,、水解,，和濕空氣、水或含水液體接觸產(chǎn)生熱和氮并迅速分解,。在2516℃分解,，熱硬度很高，即使在分解溫度前也不軟化變形,。氮化鋁和水在室溫下也能緩慢地進行反應(yīng),，而被水解。和干燥氧氣在800℃以上進行反應(yīng),。氮化鋁陶瓷基板具有導(dǎo)熱效率高,、力學(xué)性能好、耐腐蝕、電性能優(yōu),、可焊接等特點,。深圳導(dǎo)熱氮化硼銷售公司

氮化鋁（AlN）陶瓷作為一種新型的電子器件封裝基板材料，具有熱導(dǎo)率高,、強度高,、熱膨脹系數(shù)低、介電損耗小,、耐高溫及化學(xué)腐蝕,，絕緣性好，而且無毒環(huán)保等優(yōu)良性能,，是被國內(nèi)外一致看好很具有發(fā)展前景的陶瓷材料之一,。作為一種非常適合用于高功率、高引線和大尺寸芯片封裝基板材料,，氮化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率一直是行業(yè)內(nèi)關(guān)注研究的難題，目前商用氮化鋁基板的熱導(dǎo)率距離其理論熱導(dǎo)率還有很大的差距,，因此,，在降低氮化鋁陶瓷燒結(jié)溫度的同時研制出更高熱導(dǎo)率的氮化鋁陶瓷基板，對于電子器件的快速發(fā)展有著重大意義,。要想制備出熱導(dǎo)率更高的氮化鋁基板,，就要從其導(dǎo)熱原理出發(fā)，探究究竟哪些因素影響了熱導(dǎo)率,。寧波球形氮化鋁粉體銷售公司氮化鋁是一種綜合性能優(yōu)良的陶瓷材料,，由于氮化鋁是共價化合物，自擴散系數(shù)小,，熔點高,。

氮化鋁陶瓷的制備技術(shù)：模壓成型是應(yīng)用很較廣的成型工藝。其工藝原理是將經(jīng)過噴霧造粒后流動性好的造粒料填充到金屬模腔內(nèi),，通過壓頭施加壓力,，壓頭在模腔內(nèi)產(chǎn)生移動，模腔內(nèi)粉體在壓頭作用力下產(chǎn)生顆粒重排,，顆粒間空隙內(nèi)氣體排出,，形成具有一定強度和形狀的陶瓷素坯。通常壓制的初始階段致密化速率很高,，初始階段的壓力通過顆粒間的接觸,，使包覆有粘結(jié)劑的顆?；瑒雍椭嘏?，當進一步施壓時，顆粒變形增加相互間的接觸面，減少顆粒間的氣孔,，氣體在加壓過程中通過顆粒間遷移,，很終通過模具間隙排出。

氮化鋁的特性：熱導(dǎo)率高(約320W/m·K),，接近BeO和SiC,，是Al2O3的5倍以上；熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配,；各種電性能(介電常數(shù),、介質(zhì)損耗、體電阻率,、介電強度)優(yōu)良,；機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷,，可以常壓燒結(jié),；純度高；光傳輸特性好,；無毒,；可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料,。由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性,，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測器。而探測器則會放置於矽晶圓上,。只有非常少的地方能可靠地制造這些細的薄膜,。利用氮化鋁陶瓷具有較高的室溫和高溫強度，膨脹系數(shù)小,，導(dǎo)熱性好的特性,，可以用作高溫結(jié)構(gòu)件熱交換器材料等。利用氮化鋁陶瓷能耐鐵,、鋁等金屬和合金的溶蝕性能,，可用作Al、Cu,、Ag,、Pb等金屬熔煉的坩堝和澆鑄模具材料。在實際產(chǎn)品中,，氮化鋁的晶體結(jié)構(gòu)不能完全均均勻分布,，并且存在許多雜質(zhì)和缺陷。

AlN自擴散系數(shù)小難以燒結(jié),，一般采用添加堿土金屬化合物及稀土鑭系化合物,，通過液相燒結(jié)實現(xiàn)燒結(jié)致密化,。燒結(jié)助劑能在燒結(jié)初期和中期明顯促進AlN陶瓷燒結(jié)，并且在燒結(jié)的后期從陶瓷材料中部分揮發(fā),，從而制備純度及致密化程度都較高的AlN陶瓷材料及制品,。在此過程中，助燒劑的種類,、添加方式,、添加量等均會對AlN陶瓷材料及制品的結(jié)構(gòu)與性能產(chǎn)生明顯程度的影響。選擇AlN陶瓷燒結(jié)助劑應(yīng)遵循以下原則：能在較低的溫度下與AlN顆粒表面的氧化鋁發(fā)生共熔,，產(chǎn)生液相,，這樣才能降低燒結(jié)溫度；產(chǎn)生的液相對AlN顆粒有良好的浸潤性,，才能有效起到燒結(jié)助劑作用,；燒結(jié)助劑與氧化鋁有較強的結(jié)合能力，以除去雜質(zhì)氧,，凈化AlN晶界,；液相的流動性好，在燒結(jié)后期AlN晶粒生長過程中向三角晶界流動,，而不至于形成AlN晶粒間的熱阻層,；燒結(jié)助劑很好不與AlN發(fā)生反應(yīng)，否則既容易產(chǎn)生晶格缺陷,，又難于形成多面體形態(tài)的AlN完整晶形。高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)展前景的氮化鋁粉末合成方法,。麗水絕緣氮化硼價格

氮化鋁的電阻率較高,熱膨脹系數(shù)低,，硬度高，化學(xué)穩(wěn)定性好但與一般絕緣體不同,。深圳導(dǎo)熱氮化硼銷售公司

目前發(fā)現(xiàn)的適合作為燒結(jié)助劑的材料有Y2O3,、CaO、Li2O,、BaO,、MgO、SrO2,、La2O3,、HfO2和CeO2等不與AlN發(fā)生反應(yīng)的氧化物，以及一些稀土金屬與堿土金屬的氟化物和少量具有還原性的化合物（CaC2,、YC2,、TiO2、ZrO2,、TiN等）,。單獨采用某種單一的燒結(jié)助劑，在常壓下燒結(jié)通常需要高于1800℃的溫度，利用復(fù)合助劑,，設(shè)計合理的助劑及配比,，可以進一步有效降低燒結(jié)溫度，也是目前普遍采用的一種氮化鋁低溫?zé)Y(jié)方法,。氮化鋁陶瓷基板電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用范圍越來越廣,，目前也有一些國內(nèi)企業(yè)在這個領(lǐng)域有所建樹，然而相對于早已接近紅海的海外市場,，我國的氮化鋁陶瓷基板的發(fā)展仍處于起步階段,，在高性能粉體及高導(dǎo)熱基板的制備生產(chǎn)上仍有一定的差距。深入了解材料的作用機理,，從根源上“對癥下藥”,，才能讓我國的陶瓷基板產(chǎn)業(yè)更上一個臺階。深圳導(dǎo)熱氮化硼銷售公司