影響氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的因素：影響氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的主要因素有晶格的氧含量、致密度,、顯微結(jié)構(gòu),、粉體純度等。氧含量及雜質(zhì)：對于氮化鋁陶瓷來說,，由于它對氧的親和作用強(qiáng)烈,，氧雜質(zhì)易于在燒結(jié)過程中擴(kuò)散進(jìn)入AlN晶格，與多種缺陷直接相關(guān),，是影響氮化鋁熱導(dǎo)率的很主要根源,。在聲子-缺陷的散射中，起主要作用的是雜質(zhì)氧和氧化鋁的存在,，由于氮化鋁易于水解和氧化,，表面形成一層氧化鋁膜,，氧化鋁溶入氮化鋁晶格中產(chǎn)生鋁空位。使得氮化鋁晶格出現(xiàn)非諧性,，影響聲子散射,，從而使氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率急劇降低。氮化鋁膜是指用氣相沉積,、液相沉積,、表面轉(zhuǎn)化或其它表面技術(shù)制備的氮化鋁覆蓋層 。湖州陶瓷氮化鋁粉體

直接覆銅陶瓷基板是基于氧化鋁陶瓷基板的一種金屬化技術(shù),，利用銅的含氧共晶液直接將銅敷接在陶瓷上,，在銅與陶瓷之間存在很薄的過渡層。由于ＡｌＮ陶瓷對銅幾乎沒有浸潤性能,，所以在敷接前必須要對其表面進(jìn)行氧化處理,。由于ＤＢＣ基板的界面靠很薄的一層共晶層粘接，實(shí)際生產(chǎn)中很難控制界面層的狀態(tài),，導(dǎo)致界面出現(xiàn)空洞,。界面孔洞率不易控制，在承受大電流時,，界面空洞周圍會產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力,，導(dǎo)致陶瓷開裂失效，因此還有必要進(jìn)行相關(guān)基礎(chǔ)理論研究和工藝條件的優(yōu)化,?；钚越饘兮F焊陶瓷基板是利用釬料中含有的少量活性元素，與陶瓷反應(yīng)形成界面反應(yīng)層,，實(shí)現(xiàn)陶瓷金屬化的一種方法,。活性釬焊時,，通過釬料的潤濕性和界面反應(yīng)可使陶瓷和金屬形成致密的界面,，但殘余熱應(yīng)力大是陶瓷金屬化中普遍存在的問題。湖州陶瓷氮化鋁粉體大多數(shù)氮化鋁膜為多晶,，但已在藍(lán)寶石基材上成功地外延生長制成單晶氮化鋁膜,。

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到陶瓷基片表面（單面或雙面）上的特殊工藝板。氮化鋁陶瓷基板是以氮化鋁陶瓷為主要原材料制造而成的基板,。氮化鋁陶瓷基板作為一種新型陶瓷基板,，具有導(dǎo)熱效率高、力學(xué)性能好,、耐腐蝕,、電性能優(yōu)、可焊接等特點(diǎn)，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料,。近年來,，隨著我國電子信息行業(yè)的快速發(fā)展，市場對陶瓷基板的性能要求不斷提升,，氮化鋁陶瓷基板憑借其優(yōu)異的特征,，其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)展。氮化鋁陶瓷基板應(yīng)用領(lǐng)域較廣,，涉及到汽車電子,、光電通信、航空航天,、消費(fèi)電子、LED,、軌道交通,、新能源等多個領(lǐng)域，但受生產(chǎn)工藝,、技術(shù)水平,、市場價格等因素的影響，目前我國氮化鋁陶瓷基板應(yīng)用范圍仍較窄,，主要應(yīng)用在制造業(yè)領(lǐng)域,。相比與氧化鋁陶瓷基板，氮化鋁陶瓷基板性能優(yōu)異,，隨著市場對基板性能的要求不斷提升,，未來我國氮化鋁陶瓷基板行業(yè)發(fā)展空間廣闊。

氮化鋁基板材料熱膨脹系數(shù)（4.6×10-6/K）與SiC芯片熱膨脹系數(shù)（4.5×10-6/K）相近,，導(dǎo)熱率系數(shù)大（170-230W/m?K）,，絕緣性能優(yōu)異，可以適應(yīng)SiC的應(yīng)用要求,，是搭載SiC半導(dǎo)體的理想基板材料,。以往，氮化鋁基板主要通過如下工藝制備：在氮化鋁粉末中混合煅燒助劑,、粘合劑,、增塑劑、分散介質(zhì),、脫模機(jī)等添加劑,，通過擠出成型在空氣中或氮等非氧化性氣氛中加熱到350-700℃而將粘合劑去除后（脫脂），在1800-1900℃的氮等非氧化性氣氛中保持0.5-10小時的（煅燒）,。該法制備氮化鋁基板的缺陷：通過上述工藝制備出來的氮化鋁基板材料,，其擊穿電壓在室溫下顯示為30-40kV/mm左右的高絕緣性，但在400℃的高溫下則降低到10kV/mm左右。在高溫下具備優(yōu)異絕緣特性的氮化鋁基板的制備方法,。通過該法可制備出耐高溫氮化鋁基板材料具有如下特點(diǎn)：氮化鋁晶粒平均大小為2-5μm,；熱導(dǎo)率為170W/m?K以上；不含枝狀晶界相,；在400℃下的擊穿電壓為30kV/mm以上,。電子封裝基片材料：常用的陶瓷基片材料有氧化鈹、氧化鋁,、氮化鋁等,。

流延法制備氮化鋁陶瓷基板的性質(zhì)與氮化鋁粉料的質(zhì)量、流延參數(shù),、排膠制度和燒結(jié)制度等工藝關(guān)系密切,。據(jù)中國粉體網(wǎng)編輯的學(xué)習(xí)了解，粗的氮化鋁粉料易于成型,，但不宜形成高質(zhì)量的基片,，細(xì)氮化鋁粉料只有在嚴(yán)格控制流延參數(shù)的情況下方能成型，但成型的流延帶質(zhì)量較好,。排膠溫度和速度也需嚴(yán)格控制,，溫度高和速度快將引起流延帶的嚴(yán)重開裂。燒成制度非常關(guān)鍵,，它將決定基片的很終性能,。在生產(chǎn)過程中，通常對流延后的產(chǎn)品質(zhì)量要求十分嚴(yán)格,，因此必須要注意以下幾個關(guān)鍵點(diǎn)：刮刀的表面粗糙度,、漿料槽液面高度、漿料的均勻性,、流延厚度,、制定并執(zhí)行很佳的干燥工藝等。在氮化鋁一系列重要的性質(zhì)中,，很為明顯的是高的熱導(dǎo)率,。紹興高導(dǎo)熱氮化鋁銷售公司

氮化鋁抗熔融金屬侵蝕的能力強(qiáng)，是熔鑄純鐵,、鋁或鋁合金理想的坩堝材料,。湖州陶瓷氮化鋁粉體

氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料，具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性,，可靠的電絕緣性,，低的介電常數(shù)和介電損耗，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性,，被認(rèn)為是新一代高集成度半導(dǎo)體基片和電子器件的理想封裝材料,。另外,，氮化鋁陶瓷可用作熔煉有色金屬和半導(dǎo)體材料砷化鎵的坩堝、蒸發(fā)舟,、熱電偶的保護(hù)管、高溫絕緣件,，同時可作為耐高溫耐腐蝕結(jié)構(gòu)陶瓷,、透明氮化鋁陶瓷制品，因而成為一種具有較廣應(yīng)用前景的無機(jī)材料,。陶瓷的透明度,，一般指能讓一定的電磁頻率范圍內(nèi)的電磁波通過，如紅外頻譜區(qū)域中的電磁波若能穿透陶瓷片,，則該陶瓷片為紅外透明陶瓷,。純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體，具有優(yōu)異的光學(xué)性能,，可以用作制造電子光學(xué)器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層,。因此，氮化鋁陶瓷在方面具有很好的應(yīng)用,。湖州陶瓷氮化鋁粉體