主要的工藝技術(shù)可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散,、薄膜,、平坦化制成、金屬化制成,。IC由很多重疊的層組成，每層由視頻技術(shù)定義,，通常用不同的顏色表示,。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層（成為擴散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層）,，一些定義導(dǎo)體（多晶硅或金屬層）,，一些定義傳導(dǎo)層之間的連接（過孔或接觸層）,。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。在一個自排列（CMOS）過程中,，所有門層（多晶硅或金屬）穿過擴散層的地方形成晶體管,。電阻結(jié)構(gòu)，電阻結(jié)構(gòu)的長寬比,，結(jié)合表面電阻系數(shù),，決定電阻。電容結(jié)構(gòu),，由于尺寸限制,，在IC上只能產(chǎn)生很小的電容。更為少見的電感結(jié)構(gòu),，可以制作芯片載電感或由回旋器模擬,。因為CMOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門之間轉(zhuǎn)換,，CMOS設(shè)備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多,。透過電路的設(shè)計,，將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上，就可以畫出不同作用的集成電路,。隨機存取存儲器是常見類型的集成電路，所以密度高的設(shè)備是存儲器,，但即使是微處理器上也有存儲器。盡管結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜－幾十年來芯片寬度一直減少－但集成電路的層依然比寬度薄很多,。組件層的制作非常像照相過程,。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層。IC芯片是一種微型電子器件或部件,。AP7383-33W5-7

    使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸,，并且與所述熱接口材料層熱耦聯(lián),。圖是移除了雙列直插式存儲模塊組件的印刷電路裝配件的圖,。圖是印刷電路裝配件的圖,，包括已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲模塊組件并且包括已附接的分流管,。圖a和圖b示出了根據(jù)一個實施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件,。圖a和圖b示出了根據(jù)一個實施例的,、特征在于內(nèi)部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件,。圖示出了根據(jù)一個實施例的流程,。附圖是非詳盡的,，并且不限制本公開至所公開的精確形式,。具體實施方式諸如雙列直插式存儲模塊(dimm)的集成電路產(chǎn)生大量的熱量，特別是在高密度配置中?，F(xiàn)有許多技術(shù)對集成電路進行冷卻，但是存在許多與這些現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的缺點,。空氣冷卻是嘈雜的,，并且因此當(dāng)靠近辦公室人員/在工作環(huán)境中布置時是不期望的,。當(dāng)需要維護雙列直插式存儲模塊時，液體浸入式冷卻是雜亂的,。另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件,，所述散熱器熱耦聯(lián)至循環(huán)制冷液體的冷卻管。所公開的實施例以兩個系統(tǒng)板為一對,。ZXLD1362ET5TAIC芯片的DIP等插件的引腳不應(yīng)有擦花的痕跡,，即使有擦痕也應(yīng)是整齊,、同方向的且金屬暴露處光潔無氧化。

    制造商面臨使用更好幾何學(xué)的尖銳挑戰(zhàn),。這個過程和在未來幾年所期望的進步，在半導(dǎo)體**技術(shù)路線圖中有很好的描述,。在其開發(fā)后半個世紀(jì),，集成電路變得無處不在，計算機,、手機和其他數(shù)字電器成為社會結(jié)構(gòu)不可缺少的一部分,。這是因為,，現(xiàn)代計算,、交流、制造和交通系統(tǒng),，包括互聯(lián)網(wǎng),，全都依賴于集成電路的存在。甚至很多學(xué)者認(rèn)為有集成電路帶來的數(shù)字是人類歷史中重要的事件,。IC的成熟將會帶來科技的,，不論是在設(shè)計的技術(shù)上，或是半導(dǎo)體的工藝突破,，兩者都是息息相關(guān),。[1]分類播報編輯集成電路的分類方法很多，依照電路屬模擬或數(shù)字,，可以分為：模擬集成電路,、數(shù)字集成電路和混合信號集成電路（模擬和數(shù)字在一個芯片上）。數(shù)字集成電路可以包含任何東西,，在幾平方毫米上有從幾千到百萬的邏輯門,、觸發(fā)器、多任務(wù)器和其他電路,。這些電路的小尺寸使得與板級集成相比,，有更高速度,，更低功耗（參見低功耗設(shè)計）并降低了制造成本。這些數(shù)字IC,，以微處理器,、數(shù)字信號處理器和微控制器為，工作中使用二進制,，處理1和0信號。模擬集成電路有,，例如傳感器,、電源控制電路和運放,，處理模擬信號。完成放大,、濾波、解調(diào),、混頻的功能等,。通過使用所設(shè)計,、具有良好特性的模擬集成電路。

    每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管,。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時,，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法,，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊,，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的,，并且由此可以靠近辦公室員工放置,。這種方法也允許容易的維護,，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出,。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到的是,，所公開的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個或多個元素/部件,。圖是系統(tǒng)的關(guān)系圖,，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例,。系統(tǒng)包括計算部件,，所述計算部件包括處理器和存儲器。存儲器包括多個雙列直插式存儲模塊組件,。系統(tǒng)還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵,、熱交換器和儲液器,。泵將冷卻液體提供給雙列直插式存儲模塊組件,。由雙列直插式存儲模塊組件產(chǎn)生的熱量被傳送給液體,，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲模塊組件。泵將被加熱的液體從雙列直插式存儲模塊組件移除,。熱交換器冷卻被加熱的液體,。儲液器適應(yīng)液體體積的改變。圖a和圖b示出了根據(jù)一個實施例的雙列直插式存儲模塊組件,。電源ic芯片是指開關(guān)電源的脈寬控制集成,，電源靠它來調(diào)整輸出電壓電流的穩(wěn)定。

    靜態(tài)電流診斷技術(shù)的是將待測電路處于穩(wěn)定運行狀態(tài)下的電源電流與預(yù)先設(shè)定的閾值進行比較,，來判定待測電路是否存在故障,。可見,，閾值的選取便是決定此方法檢測率高低的關(guān)鍵,。早期的靜態(tài)電流診斷技術(shù)采用的固定閾值,，然而固定的閾值并不能適應(yīng)集成電路芯片向深亞微米的發(fā)展。于是,，后人在靜態(tài)電流檢測方法上進行了不斷的改進,，相繼提出了差分靜態(tài)電流檢測技術(shù)，電流比率診斷方法,，基于聚類技術(shù)的靜態(tài)電流檢測技術(shù)等,。動態(tài)電流診斷技術(shù)于90年代問世。動態(tài)電流能夠直接反應(yīng)電路在進行狀態(tài)轉(zhuǎn)換時,，其內(nèi)部電壓的切換頻繁程度,。基于動態(tài)電流的檢測技術(shù)可以檢測出之前兩類方法所不能檢測出的故障,，進一步擴大故障覆蓋范圍,。隨著智能化技術(shù)的發(fā)展與逐漸成熟，集成電路芯片故障檢測技術(shù)也朝著智能化的趨勢前進[2],。家電領(lǐng)域：IC芯片在家電領(lǐng)域中也有應(yīng)用,，如電視、空調(diào),、冰箱,、洗衣機、微波爐等,。ZXLD1362ET5TA

汽車電子：IC芯片在汽車電子中的應(yīng)用越來越廣,，如發(fā)動機控制、車身控制,、安全系統(tǒng),、娛樂系統(tǒng)等。AP7383-33W5-7

    dimm)的集成電路產(chǎn)生大量的熱量,，特別是在高密度配置中?，F(xiàn)有許多技術(shù)對集成電路進行冷卻，但是存在許多與這些現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的缺點,?？諝饫鋮s是嘈雜的，并且因此當(dāng)靠近辦公室人員/在工作環(huán)境中布置時是不期望的,。當(dāng)需要維護雙列直插式存儲模塊時,，液體浸入式冷卻是雜亂的。另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件,，所述散熱器熱耦聯(lián)至循環(huán)制冷液體的冷卻管。所公開的實施例以兩個系統(tǒng)板為一對,。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年,，總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座,，2002年成立北京分公司，是專業(yè)的IC供貨商（只做原裝）,，其中有8位單片機,、32位單片機；在該領(lǐng)域已經(jīng)營多年,，資源豐富,，目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)?；碾娮釉骷?jīng)銷商,，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認(rèn)同，公司工程技術(shù)力量強大,，可為客戶設(shè)計指導(dǎo)方案開發(fā),。每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時,，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻,。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊,，同時仍然提供必要的冷卻,。AP7383-33W5-7