一種晶閘管模塊組件,。能解決現(xiàn)有的晶閘管組件存在的問題。包括散熱單元,、晶閘管電路單元,、絕緣單元，散熱單元包括下散熱器,、上散熱器,、緊固螺栓；晶閘管電路單元包括下電極,、芯片,、第二陰極壓塊、陰極壓塊,、導(dǎo)電塊,、第二芯片、第二導(dǎo)電塊,、上電極,；絕緣單元包括絕緣膠體、絕緣殼體,、絕緣陶瓷,、絕緣套管、絕緣件,，絕緣膠體包裹在自導(dǎo)電塊及第二導(dǎo)電塊中下部開始經(jīng)過陰極壓塊,、第二芯片、芯片,、第二陰極壓塊,、下電極至下散熱器上,，絕緣膠體橫向外側(cè)由絕緣殼體包裹，下電極與下散熱器之間的縫隙由絕緣陶瓷填充,，下電極的左側(cè)通過絕緣件隔離,，緊固螺栓外側(cè)套接所述絕緣套管。結(jié)構(gòu)簡單新穎,，操作及使用方便且實(shí)用性強(qiáng),。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主。江蘇貿(mào)易模塊報(bào)價(jià)表

可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流,，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的轉(zhuǎn)變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電范疇進(jìn)入了強(qiáng)電范疇，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件,。浙江模塊廠家從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件,。

3、滿足可控硅模塊工作的必要條件：（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源,。①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V,，紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A,，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞1A,。5（2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào),，正極接CON10V或CON20mA,，負(fù)極接GND1。6（3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源,，電壓460V以下的或者供電變壓器,，接可控硅模塊的輸入端子,；負(fù)載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子,。

背景技術(shù)：目前,，國外標(biāo)準(zhǔn)型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的igbt模塊直接應(yīng)用于變頻器,、ups不間斷電源等設(shè)備上,；igbt模塊具有節(jié)能、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),，隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上越來越多見,。然而,，這種igbt模塊的成本較高，嚴(yán)重制約了國內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展,。為了解決國外標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊成本較高的問題,，目前國內(nèi)出現(xiàn)了一種將igbt單管并聯(lián)后形成igbt模塊的方案，這種igbt模塊與國外相同技術(shù)參數(shù)規(guī)格下的標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊相比,，成本要低15％～20％,，進(jìn)而能夠促進(jìn)國內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展；但是,，這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上,，這就降低了igbt模塊的生產(chǎn)效率。超快恢復(fù)二極管芯片和內(nèi)連接線,超快恢復(fù)二極管芯片固定在主電極上,主電極固定在氮化鋁陶瓷覆銅板上,。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管）,，是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,，是一個(gè)非通即斷的開關(guān),，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,，斷開時(shí)當(dāng)做開路,。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等,。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,，具有節(jié)能、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)?*器件，是電力電子裝置的“CPU”。采用IGBT進(jìn)行功率變換,，能夠提高用電效率和質(zhì)量,，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù),。英飛凌,、 三菱、 ABB在1700V以上電壓等級(jí)的工業(yè)IGBT領(lǐng)域占優(yōu)勢(shì),。江西哪里有模塊量大從優(yōu)

非對(duì)稱晶閘是一種正,、反向電壓耐量不對(duì)稱的晶閘管。江蘇貿(mào)易模塊報(bào)價(jià)表

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此,，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,，包括安裝板,、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上,。可選的,，所述壓緊件包括連接部和具有彈性的壓緊部,，所述連接部一端與所述壓緊部相連，另一端與所述安裝板相連,，所述壓緊部抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè),，將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。江蘇貿(mào)易模塊報(bào)價(jià)表

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