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認識半導體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅,。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產品,，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導體結構,，形成三個PN結,，分別稱：陽極，陰極和控制極,。圖1晶閘管的結構晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路,。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導通,，這是晶閘管的閘流特性,，即可控特性。若晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導通情況下,，當主回路電壓（或電流）減...

而單向可控硅經觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向導通,，所以采用可控硅有單雙向關系之分。電子生產中常用的SCR,，單向MCR-100,，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅,、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝,、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型,、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進行品種,、高壓品種,。可控硅產品由于它在電路應用中的效率高,、控制特性好,、壽命長、體積小,、功能強等優(yōu)點,，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨的學科,。“晶閘管交流技術”,?？煽毓璋l(fā)展到，在工藝上已經非常成熟,，質量更好,，收率有了很大的提高，并向高壓大電...

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1,、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量,。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍,。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2,、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓,、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀,。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值,，所以,，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍,。因此,，要求模塊應在較大導通角下（100...

晶閘管是一種開關元件，顧名思義他的名字里面有一個閘字也就是門,，開關的意思,，他的應用在各種電路,，以及電子設備中。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設備,，他通過一個電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導通狀態(tài)此時他的電阻變得很小相當于一跟導線,。晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅,，晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極,，陰極和控制極,，晶閘管（Thyristor）是一種開關元件，能在高電壓,、大電流條件下工作,，并且其工作過程可以控制、被應用于可控整流,、交流調壓,、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中,，是典型的小電流控制大電流的設備,。1957年，美國通...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1,、靜態(tài)伏安特性對靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大,，串聯(lián)使用時會使電壓分配不均衡,。同時，半導體器件的伏安特性容易受溫度的影響,，不同的結溫也會使均壓性能受到影響,。[1]2、關斷電荷和開通時間等動態(tài)特性對動態(tài)均壓的影響,。晶閘管串聯(lián)運行,，延遲時間不同，門極觸發(fā)脈沖的大小不同,，都會導致閥片的開通適度不同,。閥片的開通速度不同，會引起動態(tài)電壓的不均衡,。同時關斷時間的差異也會造成各晶閘管不同時關斷的現(xiàn)象,。關斷電荷少，則易關斷，關斷時間也短,，先關斷的元件必然承受**高的動態(tài)電壓,。[1]晶閘管串聯(lián)...

1)斷態(tài)重復峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,，其數(shù)值比正向轉折電壓小100V,。(2)反向重復峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個數(shù)值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞,，因而在選用的時候,，額定電壓一個應該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù),。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標準散熱即全導通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內)的平...

4．可關斷晶閘管可關斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是,，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關斷,。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,，以具有自關斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關器件,。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前,，大功率可關斷晶閘管已廣用于斬波調速,、變頻調速、逆變電源等領域,，顯示出強大的生命力,。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是一種光敏器件,。由于其控制信號來自光的照射,，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）,，結構與普通可控硅一樣,，是由四層PNPN器件構成。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以...

晶閘管陽極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻，處于截止狀態(tài)(稱為正向阻斷狀態(tài)),，簡稱斷態(tài),。當陽極電壓上升到某一數(shù)值時，晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉化為導通狀態(tài),，簡稱通態(tài),。陽極這時的電壓稱為斷態(tài)不重復峰值電壓(UDSM)，或稱正向轉折電壓(UBO),。導通后,，元件中流過較大的電流，其值主要由限流電阻(使用時由負載)決定,。在減小陽極電源電壓或增加負載電阻時,，陽極電流隨之減小，當陽極電流小于維持電流IH時,，晶閘管便從導通狀態(tài)轉化為阻斷狀態(tài),。由圖可看出，當晶閘管控制極流過正向電流Ig時,，晶閘管的正向轉折電壓降低,，Ig越大，轉折電壓越小,，當Ig足夠大時,，晶閘管正向轉折電壓很小，一加上正向陽極電壓,，晶閘管就導通,。實際規(guī)定，...

或電流）的情況下晶閘管才導通,。這時晶閘管處于正向導通狀態(tài),。3.一旦晶閘管開始導通，它就被鉗住在導通狀態(tài),，而此時門極電流可以取消,。晶閘管不能被門極關斷，像一個二極管一樣導通,，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時,，它才會截止。當晶閘管再次進入正向阻斷狀態(tài)后,，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導通,。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如圖G1所示,。當晶閘管的柵極懸空時,，BG1和BG2都處于截止狀態(tài),，此時電路基本上沒有電流流過負載電阻RL，當柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通,，使BG1的基極電位下降,，BG1因此開始道通，BG1的道通使得BG2的基極電位進一步升...

在恢復電流快速衰減時,，由于外電路電感的作用,，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零,，到反向恢復電流衰減至接近于零的時間,，就是晶閘管的反向阻斷恢復時間t。[1]反向恢復過程結束后,，由于載流子復合過程比較慢,，晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間，這叫做反向阻斷恢復時間tgr,。在反向阻斷恢復時間內如果重新對晶閘管施加正向電壓,，晶閘管會重新正向導通，而不受門極電流控制而導通,。所以在實際應用中,，需對晶閘管施加足夠長時間的反壓，使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力,，電路才能可靠工作,。晶閘管的電路換向關斷時間t定義為t與t之和，即t=t+t除了開通時間t,、關斷時間t及觸發(fā)電流IG...

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1,、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量,。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍,。2,、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流,，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀,。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值,，所以,，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍,。因此,，要求模塊應在較大導通角下（100...

他發(fā)生在芯片外圓倒角處,，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕,。這是制造廠家安裝不慎所造成的,。它導致電壓擊穿,。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構成可控整流電路,、逆變、電機調速,、電機勵磁,、無觸點開關及自動控制等方面。現(xiàn)在我畫一個**簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a）〕,。在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導通?，F(xiàn)在,，畫出它的波形圖〔圖4(c）及（d）〕，可以看到,，只...

使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強迫關斷。這就需要增加換向電路,，不*使設備的體積重量增大,，而且會降低效率，產生波形失真和噪聲,?？申P斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點,，以具有自關斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻率比GTR低,。目前,，GTO已達到3000A、4500V的容量,。大功率可關斷晶閘管已***用于斬波調速,、變頻調速、逆變電源等領域,，顯示出強大的生命力,。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結構及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO...