從結(jié)構(gòu)上講,，IGBT主要有三個發(fā)展方向：1）IGBT縱向結(jié)構(gòu)：非透明集電區(qū)NPT型,、帶緩沖層的PT型,、透明集電區(qū)NPT型和FS電場截止型,；2）IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機(jī)構(gòu),、Trench溝槽型結(jié)構(gòu),；3）硅片加工工藝：外延生長技術(shù),、區(qū)熔硅單晶；其發(fā)展趨勢是：①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗＝通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開關(guān)損耗(EoffEon),。同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長,。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主,，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù),，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝,。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,。加工模塊平臺

一、600V系列EUPEC IGBT模塊,infineon IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,優(yōu)派克IGBT模塊,，部分型號如下：兩單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊： BSM50GB60DLC  BSM75GB60DLC  BSM100GB60DLC  BSM150GB60DLC  BSM200GB60DLC   BSM300GB60DLC  FF200R06KE3  FF300R06KE3  FF400R06KE3功率集成模塊PIM：BSM10GP60  BSM20GP60  BSM50GP60  BSM75GP60  BSM100GP60    FP10R06YE3  二,、1200V系列EUPEC IGBT模塊infineon IGBT模塊英飛凌IGBT模塊優(yōu)派克IGBT模塊，部分型號如下：一單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊：BSM200GA1**N2  BSM300GA1**N2   BSM400GA1**N2  FZ1200R12KF4  FZ1600R12KF4  FZ1800R12KF4  BSM300GA1**LC  BSM400GA1**LC  FZ400R12KE3  FZ600R12KE3  FZ1600R12KE3  FZ2400R12KE3  FZ400R12KS4二單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊：BSM50GB1**N2  BSM75GB1**N2  BSM100GB1**N2  BSM150GB1**N2  BSM200GB1**N2   FF400R12KF4  FF600R12KF4  BSM100GB1**LC BSM150GB1**LC  BSM200GB1**LC  BSM300GB1**LC   FF100R12KS4  FF150R12KS4  FF200R12KS4  FF300R12KS4  FF200R12KE3  FF300R12KE3  FF400R12KE3  FF600R12KE3     FF200R12KT3  FF300R12KT3  FF400R12KT3    微型模塊供應(yīng)商家當(dāng)速晶閘管模塊承受反向陽極電壓時,，無論柵極電壓如何,，晶閘管都會關(guān)閉。

圖1 光電耦合器驅(qū)動電路  推薦使用的光電耦合器有： HCPI,-4505,、HCPL-4506,、TI.P759 (IGM)、TLP755 等,。一般情況下,，光電耦合器要符合UI。,、VDE 等安全認(rèn)證,。同時比較好使光電耦合器和IGBT控制端子間的布線盡量短。由于光電耦合器兩端間常加有大的du/出,，因此,，光電耦合器兩端的布線不要太靠近以減小其間的耦合電容。在使用15V的直流電源組件時,，電源輸出側(cè)的GND端子不要互聯(lián),，并盡量減少各電源與地間的雜散電容，同時還應(yīng)當(dāng)確保足夠大的絕緣距離（大于2mm),。光電耦合器輸入用的10μF及0.1μF濾波電容主要用于保持控制 電壓平穩(wěn)和使線路阻抗穩(wěn)定,?？刂菩盘栞斎攵伺cVcc端應(yīng)接20kΩ的上拉電阻，在不使用制動單元時,，也應(yīng)該在DB輸人端與Vcc端之間接20Ω的上拉電阻,，否則，du/dt過大,，可能會引起誤動作,。  

背景技術(shù)：電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實現(xiàn)電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅(qū)動器件，如晶閘管,、晶體管,、場效應(yīng)管、可控硅,、繼電器等,。其中，現(xiàn)有的晶閘管能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制,，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制,。因此，針對上述問題,，有必要提出進(jìn)一步的解決方案,。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼,、蓋板,、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭,、第二接頭和第三接頭,、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；1964年,，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制。

  可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種（見圖表-25）,。螺旋式的應(yīng)用較多。   可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P 型導(dǎo)體和N 型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個PN 結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號?？煽毓韬椭挥幸粋€PN 結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時,，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。   IGBT模塊輸入阻抗大,，驅(qū)動功率小,，控制電路簡單，開關(guān)損耗小,，通斷速度快,，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點,。河南標(biāo)準(zhǔn)模塊

廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域,。加工模塊平臺

1）新能源汽車IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,，是電動汽車及充電樁等設(shè)備的**技術(shù)部件。IGBT模塊占電動汽車成本將近10%,，占充電樁成本約20%,。IGBT主要應(yīng)用于電動汽車領(lǐng)域中以下幾個方面：A）電動控制系統(tǒng)大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅(qū)動汽車電機(jī)；B）車載空調(diào)控制系統(tǒng)小功率直流/交流(DC/AC)逆變,，使用電流較小的IGBT和FRD,；C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開關(guān)元件使用；2）智能電網(wǎng)的發(fā)電端,、輸電端,、變電端及用電端：1、從發(fā)電端來看,，風(fēng)力發(fā)電,、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。2,、從輸電端來看,，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。3、從變電端來看,，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關(guān)鍵器件,。4、從用電端來看,，家用白電,、微波爐、LED照明驅(qū)動等都對IGBT有大量的需求,。加工模塊平臺

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司主營品牌有英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼,，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊不斷壯大，該公司貿(mào)易型的公司,。江蘇芯鉆時代是一家有限責(zé)任公司（自然）企業(yè),，一直“以人為本，服務(wù)于社會”的經(jīng)營理念;“誠守信譽,，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針,。公司業(yè)務(wù)涵蓋IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器，價格合理,，品質(zhì)有保證,，深受廣大客戶的歡迎。江蘇芯鉆時代以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念,，打造高指標(biāo)的服務(wù),，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。