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早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG),、三相...

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時,，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1...

鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）,?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過,，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好,。另外,，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,，防止電壓過高控制極反向擊穿,。若測...

可控硅的主要參數(shù)有：1,、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時,，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。4、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時,，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極...

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負(fù)載RL上才有電壓UL輸常見可控硅出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早,，可控硅導(dǎo)通的時間就早,；Ug到來得晚，可控硅導(dǎo)通的時間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度,。這樣，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為...

■首先,，我們可以把從陰極向上數(shù)的第1、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的...

可控硅簡介可控硅（SiliconControlledRectifier）簡稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流...

可控硅模塊作為電路中非常重要的一個基礎(chǔ)元件,，它也有好壞之分,，其好壞的合適與否都直接關(guān)系到運(yùn)行質(zhì)量的好壞，所以,，在選購可控硅模塊前學(xué)會如何判斷可控硅的好壞是非常重要的,，選擇好的可控硅模塊，可以保證運(yùn)行的質(zhì)量和性能,。其實(shí),，判斷可控硅模塊是否完好也并不難，需要從四個方面來進(jìn)行檢查和判斷：首先是判斷該元件的三個PN結(jié)是否完好,；其次就是在陰極與陽極之間電壓反向連接時能夠阻斷不導(dǎo)通,；緊接著就是當(dāng)控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通,；第四就是給控制極加上正向電流,，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài),。可控硅導(dǎo)通后,，當(dāng)陽極電流小干維持電流In時.可控硅關(guān)斷,。...

關(guān)于賽米控賽米控是一家國際的功率半導(dǎo)體制造商。成立于1951年,，總部位于德國的賽米控公司是一家在全球有3900名員工的家族式企業(yè),。賽米控遍布全球的36家子公司及分?e設(shè)在中國、巴西,、法國,、德國、印度,、意大利,、韓國、斯洛伐克,、南非和美國的生產(chǎn)基地,，能夠?yàn)榭蛻籼峁┛焖俑咝У默F(xiàn)場服務(wù)。賽米控是芯片、分離半導(dǎo)體器件,、晶體管,、二極管和晶閘管功率模塊、功率集成和系統(tǒng)的一站式供應(yīng)商,，產(chǎn)品用于工業(yè)驅(qū)動,、風(fēng)能和太陽能發(fā)電、混合和電動汽車,、火車工業(yè)以及電源,。賽米控是二極管/晶閘管半導(dǎo)體市場的，并且占有全球30％的市場份額,。(資料來源:IMS-Research?Theworldwidemarketforpo...

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài),。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1...

就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。2：大,；率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等?？煽毓枵{(diào)壓...

指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,，則表明可控硅良好,，且觸發(fā)電壓（或電流）小,。若保持接通A極或T2極時斷開G極，指針立即退回∞位置,，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞,。可按圖2方法進(jìn)一步測量,，對于單向可控硅,，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮,，斷開K燈仍不息滅,，否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅,，閉合開關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K,，燈應(yīng)不息滅,。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟,，均應(yīng)是同一結(jié)果,，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。左手665收藏時間：2016年2月6日18：40如何鑒別可控硅的三個極關(guān)鍵字：可控硅檢測方法鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與...

可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR),。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管,、雙向晶閘管,、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管,、可關(guān)斷晶閘管,、快速晶閘管,，等等。大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個PN結(jié),，對外有三個電極：第1層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號可以看到,，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個控制極G,，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性,。別可控硅三個極的...

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,，一般由兩晶閘管反向連接而成,。它的功能不僅是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷,；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件,。目前可控硅在自動控制,、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用,?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,。螺旋式應(yīng)用較多,?？煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)...

普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路、逆變,、電機(jī)調(diào)速,、電機(jī)勵磁、無觸點(diǎn)開關(guān)及自動控制等方面?，F(xiàn)在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕,。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。現(xiàn)在,，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分),。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時間就早,；Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控...

可控硅的主要參數(shù)有：1,、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號,，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值,。3,、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極...

即導(dǎo)通角為180°（或p）,。正是由于正弦波被切割,、波形遭受破壞，會給電網(wǎng)帶來干擾等問題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施,，努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾,。可控硅的作用可控硅的作用之一就是可控整流,，這也是可控硅基本也重要的作用,。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實(shí)現(xiàn)可控,，而一旦把二極管換做可控硅,，便構(gòu)成了一個可控整流電路。在一個基本的單相半波可控整流電路中,，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時,，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通,，負(fù)載上才會有電壓輸出,，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間，來進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值,，達(dá)到可控整流的作用,。可控硅的作用之二就...

可控硅的主要參數(shù)有：1,、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號,，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值,。3,、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極...

因此負(fù)載獲得較少的電功率,。這個典型的電功率無級調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它,。可控硅主要參數(shù)有：1,、額定通態(tài)平均電流在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發(fā)信號,，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。3、反向陰斷峰值電壓當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值,。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加一定電壓,，使可控硅從關(guān)斷...

即導(dǎo)通角為180°（或p）。正是由于正弦波被切割,、波形遭受破壞,，會給電網(wǎng)帶來干擾等問題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施，努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾,?？煽毓璧淖饔每煽毓璧淖饔弥痪褪强煽卣?，這也是可控硅基本也重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,，并沒有實(shí)現(xiàn)可控,，而一旦把二極管換做可控硅，便構(gòu)成了一個可控整流電路,。在一個基本的單相半波可控整流電路中,，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時,，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通,，負(fù)載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間,，來進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值,，達(dá)到可控整流的作用?？煽毓璧淖饔弥?..

可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱,，谷稱可控硅模塊，它是1種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體元器件,，在線路中用字母符號為“V”,、“VT”表達(dá)（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表達(dá)）?？煽毓枘K具備硅整流器件的特性,，能在高電壓、大電流條件下運(yùn)行,，且其運(yùn)行過程可以控制,、被普遍使用于可控整流、交流調(diào)壓,、無觸點(diǎn)電子開關(guān),、逆變及變頻等電子線路中?？煽毓枘K有很多種分類方法,。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類可控硅模塊按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分成普通可控硅模塊,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅模塊,、門極關(guān)斷可控硅模塊（GTO）,、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種。（二）按引腳和極性分類可...

只有可控硅模塊能夠滿足上述條件,，才能說明可控硅模塊是質(zhì)量的,。當(dāng)然，判斷起來也非常簡單,，只需要使用萬用表的歐姆檔測量可控硅的極間電阻,。具體的做法就是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓），此兩個阻值均應(yīng)很大,。電阻值越大,，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低,，或近于無窮大,，說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路，此可控硅不能使用了,。接著就是檢測可控硅模塊的三個PN結(jié)是否完好或者損壞,，可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路,。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反...

普通晶閘管基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,、逆變,、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵磁,、無觸點(diǎn)開關(guān)及自動控制等方面?，F(xiàn)在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?，F(xiàn)在,，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時間就早,；Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時間就晚。通過改變控...

鑒別可控硅三個極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）,?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過，因此,，有時測得控制極反向電阻比較小,，并不能說明控制極特性不好。另外,，在測量控制極正反向電阻時,，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿,。若測...

可控硅模塊作為電路中非常重要的一個基礎(chǔ)元件,，它也有好壞之分，其好壞的合適與否都直接關(guān)系到運(yùn)行質(zhì)量的好壞,，所以,，在選購可控硅模塊前學(xué)會如何判斷可控硅的好壞是非常重要的，選擇好的可控硅模塊,，可以保證運(yùn)行的質(zhì)量和性能,。其實(shí)，判斷可控硅模塊是否完好也并不難,，需要從四個方面來進(jìn)行檢查和判斷：首先是判斷該元件的三個PN結(jié)是否完好,；其次就是在陰極與陽極之間電壓反向連接時能夠阻斷不導(dǎo)通；緊接著就是當(dāng)控制極開路時,，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通,；第四就是給控制極加上正向電流,，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài),。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、...

C）的等效電路圖來分析,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能,。■可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只...

■首先，我們可以把從陰極向上數(shù)的第1,、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號,，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大,，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的...

它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件,。一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種（見圖表-25）,。螺旋式的應(yīng)用較多?！隹煽毓栌腥齻€電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié),。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖表-26,。■從圖表-26中可以看到,，可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓...

可控硅的主要參數(shù)有：1,、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號,，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個參數(shù)值,。3,、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時,，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極...

晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài),。為了克服上述問題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā),。一般,，電阻取100R，電容取100nF,。值得注意的是此電阻不能省掉,。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時,，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4,、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時,，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況...