可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,，等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。IGBT是由 雙極結(jié)型晶體三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件。常規(guī)模塊廠家電話

軌道交通IGBT器件已成為軌道交通車(chē)輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件,。交流傳動(dòng)技術(shù)是現(xiàn)代軌道交通的**技術(shù)之一,，在交流傳動(dòng)系統(tǒng)中牽引變流器是關(guān)鍵部件，而IGBT又是牽引變流器****的器件之一,。IGBT國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)規(guī)模2015年國(guó)際IGBT市場(chǎng)規(guī)模約為48億美元,，預(yù)計(jì)到2020年市場(chǎng)規(guī)模可以達(dá)到80億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率約10%,。2014年國(guó)內(nèi)IGBT銷(xiāo)售額是88.7億元,，約占全球市場(chǎng)的1∕3。預(yù)計(jì)2020年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將超200億元,，年復(fù)合增長(zhǎng)率約為15%,。從公司來(lái)看，國(guó)外研發(fā)IGBT器件的公司主要有英飛凌,、ABB,、三菱、西門(mén)康,、東芝,、富士等。中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上,，但在中**MOSFET及IGBT主流器件市場(chǎng)上,，90％主要依賴(lài)進(jìn)口，基本被國(guó)外歐美,、日本企業(yè)壟斷,。國(guó)外企業(yè)如英飛凌、ABB,、三菱等廠商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規(guī)格涵蓋電壓600V-6500V,，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產(chǎn)品系列,。英飛凌,、三菱、ABB在1700V以上電壓等級(jí)的工業(yè)IGBT領(lǐng)域占***優(yōu)勢(shì),；在3300V以上電壓等級(jí)的高壓IGBT技術(shù)領(lǐng)域幾乎處于壟斷地位,。在大功率溝槽技術(shù)方面，英飛凌與三菱公司處于國(guó)際**水平,。西門(mén)康,、仙童等在1700V及以下電壓等級(jí)的消費(fèi)IGBT領(lǐng)域處于優(yōu)勢(shì)地位。上海代理模塊可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module),。

在IGBT使用過(guò)程中,，可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制,。1）當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時(shí),，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài),。2）當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時(shí),，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。3）當(dāng)集-射極電壓UCE＞0時(shí),，分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth,，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài),。②若柵-射極電壓UGE＞Uth,，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）,。此時(shí),，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值,，使IGBT通態(tài)壓降降低,。

光控晶閘是通過(guò)光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件，它具有很強(qiáng)的抗干擾能力,、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過(guò)電壓承受能力,，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無(wú)功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域,。其研制水平大約為8000V/3600A,。逆變晶閘因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中,，它已讓位于GTR,、GTO、IGBT等新器件,。目前,，其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi)。非對(duì)稱(chēng)晶閘是一種正,、反向電壓耐量不對(duì)稱(chēng)的晶閘管,。而逆導(dǎo)晶閘管不過(guò)是非對(duì)稱(chēng)晶閘管的一種特例,，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件,。與普通晶閘管相比，它具有關(guān)斷時(shí)間短,、正向壓降小,、額定結(jié)溫高、高溫特性好等優(yōu)點(diǎn),，主要用于逆變器和整流器中,。目前，國(guó)內(nèi)有廠家生產(chǎn)3000V/900A的非對(duì)稱(chēng)晶閘管,。超快恢復(fù)二極管芯片和內(nèi)連接線,超快恢復(fù)二極管芯片固定在主電極上,主電極固定在氮化鋁陶瓷覆銅板上,。

  可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見(jiàn)圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多,。   可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P 型導(dǎo)體和N 型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN 結(jié),。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào),。可控硅和只有一個(gè)PN 結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。   IGBT模塊在電動(dòng)汽車(chē)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,。甘肅替換模塊

高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主。常規(guī)模塊廠家電話

隨著IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展,，芯片的比較高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高,，IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進(jìn),。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)：無(wú)焊接,、無(wú)引線鍵合及無(wú)襯板/基板封裝技術(shù)；內(nèi)部集成溫度傳感器,、電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路等功能元件,，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度,。IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件工業(yè),、4C(通信、計(jì)算機(jī),、消費(fèi)電子,、汽車(chē)電子)、航空航天,、****等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,，以及軌道交通、新能源,、智能電網(wǎng),、新能源汽車(chē)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,。常規(guī)模塊廠家電話

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司屬于電子元器件的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚,。公司是一家有限責(zé)任公司（自然）企業(yè),，以誠(chéng)信務(wù)實(shí)的創(chuàng)業(yè)精神、專(zhuān)業(yè)的管理團(tuán)隊(duì),、踏實(shí)的職工隊(duì)伍,，努力為廣大用戶(hù)提供***的產(chǎn)品。公司始終堅(jiān)持客戶(hù)需求優(yōu)先的原則,，致力于提供高質(zhì)量的IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器,。江蘇芯鉆時(shí)代自成立以來(lái)，一直堅(jiān)持走正規(guī)化,、專(zhuān)業(yè)化路線,，得到了廣大客戶(hù)及社會(huì)各界的普遍認(rèn)可與大力支持。