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igbt芯片的邊緣還設(shè)置有終端保護區(qū)域，其中,，終端保護區(qū)域包括在n型耐壓漂移層上設(shè)置的多個p+場限環(huán)或p型擴散區(qū),；從而通過多個p+場限環(huán)或p型擴散區(qū)對igbt芯片進行耐壓保護，在實際應(yīng)用中,，由于p+場限環(huán)或p型擴散區(qū)的數(shù)量與igbt芯片的電壓等級有關(guān),，因此，關(guān)于p+場限環(huán)或p型擴散區(qū)的數(shù)量,，本發(fā)明實施例對此不作限制說明,。具體地，圖7示出了一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)圖,，如圖7所示,，一發(fā)射極單元金屬2為一發(fā)射極單元101在一表面中的設(shè)置位置，空穴收集區(qū)電極金屬3為電流檢測區(qū)域20的電極空穴收集區(qū)在一表面中的設(shè)置位置,。當改變電流檢測區(qū)域20的形狀時,，如指狀或者梳妝時，igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)如...

將功率模塊支架3,、功率模塊4一起以散熱體6上的定位柱裝配到導(dǎo)熱墊5上,；再將pcb板2以功率模塊支架3上的定位柱裝配到功率模塊支架3上,，功率模塊支架3的定位柱和散熱體6的定位柱為同軸，此時pcb板2和功率模塊4之間就形成了定位關(guān)系,；后裝配螺釘，將功率模塊支架3,、功率模塊4,、導(dǎo)熱墊5一起固定在散熱體6上，在將功率模塊4的引腳焊接在pcb板2上,，至此整個系統(tǒng)裝配完成,。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實施例的一種功率模塊支架及其功率模塊機構(gòu),，將多個該功率模塊集成到一起,，進行統(tǒng)一安裝和定位，實現(xiàn)模塊裝配的集成化,，節(jié)省生產(chǎn)成本,、提高了生產(chǎn)效率。上述以實施例來進一步說明本實用新型的技術(shù)內(nèi)容,，以便于讀者更容易理解,，...

具體實施方式下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚,、完整地描述,，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例,，而不是全部的實施例,。基于本實用新型中的實施例,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,，都屬于本實用新型保護的范圍。請參閱圖1-3,，一種igbt功率模塊的安裝機構(gòu),，包括底座1，底座1內(nèi)部的兩側(cè)均開設(shè)有容納槽2,，容納槽2的內(nèi)壁固定連接有一軸承3,，一軸承3的內(nèi)部固定連接有蝸桿4，蝸桿4的外端貫穿至底座1的外部固定連接有轉(zhuǎn)盤5,，轉(zhuǎn)盤5外側(cè)的底部固定連接有把手18,，把手18與轉(zhuǎn)盤5配合使用，通過設(shè)置把手18,，能夠便于使用者通...

滑環(huán)12的底部固定連接有與傳動桿10配合使用的移動框13,，移動框13位于圓盤9的前側(cè)，傳動桿10的前端延伸至移動框13的內(nèi)部，傳動桿10的表面與移動框13的內(nèi)壁接觸,，移動框13的底部固定連接有導(dǎo)向桿19,，容納槽2內(nèi)壁的底部開設(shè)有導(dǎo)向槽20，導(dǎo)向桿19與導(dǎo)向槽20滑動連接,，通過設(shè)置導(dǎo)向桿19和導(dǎo)向槽20,，能夠增加移動框13移動的穩(wěn)定性，防止移動框13移動時傾斜,，滑環(huán)12的頂部固定連接有移動板14,，移動板14的頂部貫穿至底座1的外部，移動板14內(nèi)側(cè)的頂部固定連接有卡桿15,，底座1的頂部設(shè)置有igbt功率模塊本體16,，igbt功率模塊本體16底部的兩側(cè)均固定連接有橡膠墊21，橡膠墊21的底部...

對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結(jié)構(gòu)圖,；圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結(jié)構(gòu)圖,；圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖,；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖,；圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10...

該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上成分為銀,，孔隙率小于25％,，且厚度為1～15μm。藉此,，本發(fā)明具有下列功效：1.本發(fā)明使用的熱接口材料將不會產(chǎn)生任何介金屬化合物,，故不會因制程(環(huán)境)溫度而脆化，且在高溫下(＜800℃)相當穩(wěn)定,。2.本發(fā)明使用的熱接口材料在完成熱處理后含少量有機物(＜1％),，且99％以上為純銀，故長時間使用下將無有機揮發(fā)物(volatileorganiccompounds,voc)產(chǎn)生,。3.本發(fā)明所使用的熱接口材料為純銀,，以高純度銀做異質(zhì)界面接合用材料，其導(dǎo)熱系數(shù)為錫銀銅合金(無鉛焊錫)的兩倍以上,，如表1所示,。表1本發(fā)明與現(xiàn)有錫銀銅合金焊料的比較錫銀銅焊料...

廣泛應(yīng)用在斬波或逆變電路中,，如軌道交通、電動汽車,、風(fēng)力和光伏發(fā)電等電力系統(tǒng)以及家電領(lǐng)域,。此外，半導(dǎo)體功率模塊主要包括igbt器件和fwd,，在實際應(yīng)用中,，為了保證半導(dǎo)體功率模塊能夠保證安全、可靠的工作,，通常在半導(dǎo)體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以及溫度傳感器，以對半導(dǎo)體功率模塊中的器件進行過電流和溫度的實時監(jiān)控,，方便電路進行保護?，F(xiàn)有技術(shù)中主要通過在igbt器件芯片內(nèi)集成電流傳感器，并利用鏡像電流檢測原理實現(xiàn)電流的實時監(jiān)控,，例如,，對于圖2中的電流敏感器件，在igbt器件芯片有源區(qū)內(nèi)按照一定面積比如1:1000,，隔離開1/1000的源區(qū)金屬電極作為電流檢測的電流傳感器1,，該電流傳感器1...

采用本實用新型ipm模塊短路檢測電路和現(xiàn)有退飽和檢測電路對ipm模塊進行短路檢測，結(jié)果如圖3所示,，圖3中,，縱軸vce為ipm模塊集電極與發(fā)射極之間的電壓，橫軸為時間,，該圖中上面的虛線表示ipm模塊發(fā)生短路故障后,，其集電極與發(fā)射極之間電壓隨時間的變化趨勢；中間實線表示ipm模塊正常工作時,，即沒有發(fā)生短路時,，其其集電極與發(fā)射極之間電壓隨時間的變化趨勢；底部虛線表示現(xiàn)有退飽和檢測電路設(shè)置的閾值電壓vref隨時間的變化趨勢,；在ipm模塊發(fā)生短路時,，本實用新型ipm模塊短路檢測電路測試出短路故障所需時間為t1，現(xiàn)有退飽和檢測電路測試出短路故障所需時間為t2,，從圖3中可看出,，t2≈2t1，表明本實...

且便于連接微處理器.驅(qū)動信號一般由光耦電路產(chǎn)生,。驅(qū)動電路主要是使控制輸入信號通過光電耦合器傳送,，設(shè)計時可選擇HcPI一1505、HC-PL_4506,、TLP一759,、TLP559等型號的光電耦合器,，并使光耦與IPM控制端子間的布線短，布線阻抗小,。以上推薦型號的光電耦合器均為發(fā)光二極管驅(qū)動方式,，dv/dt的耐量小，故采用光耦陰極接限流電阻的驅(qū)動電路形式,，完整的驅(qū)動電路如圖2所示,。圖2驅(qū)動電路，其結(jié)構(gòu)為交-直-交電壓型變頻器,，通過PWM信號控制IGBT的導(dǎo)通,，得到頻率可變的交流輸出，則可實現(xiàn)交流電機的無極調(diào)速,。圖3中,，驅(qū)動單元共7組，上橋臂用3組,，下橋臂用3組,，制動用1組;控制電源共4組，...

本實用新型的有益效果如下：1,、本實用新型通過設(shè)置底座,、容納槽、一軸承,、蝸桿,、轉(zhuǎn)盤、第二軸承,、轉(zhuǎn)軸,、蝸輪、圓盤,、傳動桿,、滑桿、滑環(huán),、移動框,、移動板、卡桿,、igbt功率模塊本體和卡槽的配合使用,，解決了現(xiàn)有igbt功率模塊的安裝機構(gòu)操作時繁瑣，不方便使用者安裝igbt功率模塊的問題,，該igbt功率模塊的安裝機構(gòu),，具備方便安裝的優(yōu)點，節(jié)省了使用者大量的時間,，提高了igbt功率模塊安裝的效率,。2,、本實用新型通過設(shè)置把手，能夠便于使用者通過把手轉(zhuǎn)動轉(zhuǎn)盤,，提高了把手的實用性,，通過設(shè)置滑桿和滑環(huán)，能夠增加滑環(huán)滑動的穩(wěn)定性,，通過設(shè)置導(dǎo)向桿和導(dǎo)向槽,，能夠增加移動框移動的穩(wěn)定性，防止移動框移動時傾斜,，通過設(shè)...

該igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域,、電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域；其中,，igbt芯片還包括一表面和第二表面,，且，一表面和第二表面相對設(shè)置,；一表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共柵極單元，以及,，工作區(qū)域的一發(fā)射極單元,、電流檢測區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元，其中,，第三發(fā)射極單元與一發(fā)射極單元連接,，公共柵極單元與一發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測區(qū)域的公共集電極單元,；接地區(qū)域設(shè)置于一發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處,；電流檢測區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產(chǎn)生電壓,，并根據(jù)電壓檢測工作區(qū)域的工作電流,。第二方面，本發(fā)明實施例還提...

空穴收集區(qū)8可以處于與一發(fā)射極單元金屬2隔離的任何位置,，特別的,，在終端保護區(qū)域的p+場限環(huán)也可以成為空穴收集區(qū)8，本發(fā)明實施例對此不作限制說明,。因此,，本發(fā)明實施例提供的igbt芯片在電流檢測過程中，通過檢測電阻上產(chǎn)生的電壓,，得到工作區(qū)域的電流大小,。但是，在實際檢測過程中,，檢測電阻上的電壓同時抬高了電流檢測區(qū)域的mos溝槽溝道對地電位,，即相當降低了電流檢測區(qū)域的柵極電壓,，從而使電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻增加。當電流檢測區(qū)域的電流越大時,，電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻就越大,，從而使檢測電壓在工作區(qū)域的電流越大，導(dǎo)致電流檢測區(qū)域的電流與工作區(qū)域電流的比例關(guān)系偏離增大,，產(chǎn)生大電流下的信號失...

多個直流母線電容一側(cè)設(shè)置在鈑金固定板上,。所述的疊層母排包括正疊層銅排13和負疊層銅排14，正疊層銅排和負疊層銅排之間設(shè)置有第二絕緣層15,。所述的直流母線電容組件另一側(cè)面與疊層母排的正疊層銅排并聯(lián)連接,，直流母線電容組件通過疊層母排設(shè)置在一絕緣層的兩側(cè)。直流母線電容組件通過箱體風(fēng)道散熱所述的IGBT功率組件包括IGBT驅(qū)動板16和多個IGBT元件17,，多個IGBT元件通過IGBT驅(qū)動板設(shè)置在液冷換熱器的兩側(cè),。所述的鈑金隔板底面形成有兩個連接口18，液冷換熱器設(shè)置在兩個連接口之間的鈑金隔板上,，液冷換熱器兩側(cè)緊鄰設(shè)置的IGBT功率組件分別與兩個連接口相對應(yīng),，液冷換熱器給IGBT功率組件散熱。液...