同時，IPM模塊的工作狀況在很大程度上取決于正確,、有效、及時的控制信號,。所以,，設(shè)計一個優(yōu)良的光電耦合器控制電路也是IPlvl模塊正常工作的關(guān)鍵之一。根據(jù)IGBT的驅(qū)動以及逆變電路的要求,，模塊內(nèi)部的IGBT控制電源必須是上橋臂3組,，下橋臂1組，總計4組15V直流電源,。  圖1中給出了幾種典型光電耦合器驅(qū)動電路,，其中三極管與光電耦合器并聯(lián)型電路對光電耦合器特別有利,。對控制輸入的光電耦合器規(guī)格的要求是：CMH與CML相等且太于15kV/μs或1 0kV/μs，TPHL=TPLH<0. 8ms, CTR>15%,。晶閘管誕生后,，其結(jié)構(gòu)的改進和工藝的改進，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。進口模塊商城

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule),。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。可控硅模塊的優(yōu)點：體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外接線簡單,、互換性好、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,?？煽毓枘K的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,，從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG),、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等,。廣東模塊多少錢60年代后期,，大功率逆變晶閘管問世，成為當時逆變電路的基本元件,。

IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過去幾十年的發(fā)展,，1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO,，該時段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很小,；電流控制,，控制電路復(fù)雜且功耗大；1970年代單極型器件VD-MOSFET,。但隨著終端應(yīng)用的需求,，需要一種新功率器件能同時滿足：驅(qū)動電路簡單,以降低成本與開關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低,，以減小器件自身的功耗,。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來的研究，導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明,。1985年前后美國GE成功試制工業(yè)樣品（可惜后來放棄）,。自此以后，IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進,。

超快恢復(fù)二極管模塊,包括紫銅底板,氮化鋁陶瓷覆銅板,塑料外殼,三個主電極,環(huán)氧樹脂保護層,雙組份彈性硅凝膠保護層,RTV硅橡膠保護層,超快恢復(fù)二極管芯片和內(nèi)連接線,超快恢復(fù)二極管芯片固定在主電極上,主電極固定在氮化鋁陶瓷覆銅板上,氮化鋁陶瓷覆銅板固定在紫銅底板上,所有超快恢復(fù)二極管芯片,主電極,內(nèi)連接線和氮化鋁陶瓷覆銅板均設(shè)置在塑料外殼內(nèi),在塑料外殼的內(nèi)腔中,從下到上依次設(shè)有三層保護層,其中超快恢復(fù)二極管芯片,主電極,氮化鋁陶瓷覆銅板,紫銅底板之間都是通過銀錫焊連接,所述紫銅底板在焊接前必須進行預(yù)彎處理,預(yù)彎方向為上平面向下彎曲.它具有頻率高,超快恢復(fù),超軟和超耐固的特點.從發(fā)電端來看,，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊,。

本系統(tǒng)壓敏電阻的選擇為:710-1000V,。阻容吸收回路能抑制模塊內(nèi)品閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓,避免品閘管被擊穿,但它只能吸收時間很短.電壓不高的過電壓。單相電路用電阻和電容串聯(lián)后并聯(lián)在交流輸人端,，三相電路用電阻和電容接成星形或3角形并聯(lián)在交流輸人端,，阻容吸收回路。3.模塊領(lǐng)配備相應(yīng)敢熱器以保證其可靠性和安全性,，本系統(tǒng)使用的模塊翰出額定電流較大(SOA),電動機額定電德為12A,因此模塊達不到滿負荷工作,，采用自然冷卻方式即可。4.三相整流模塊直流輸出給電動機電樞供電時,，電樞回路要接入電抗器來限制直流電流的脈動,，使電動機輕載或空載時維持電流連續(xù)。IGBT是先進的第三代功率模塊,，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,。山東通用模塊

高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主。進口模塊商城

光控晶閘是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,，它具有很強的抗干擾能力,、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC),、靜止無功功率補償(SVC)等領(lǐng)域。其研制水平大約為8000V/3600A,。逆變晶閘因具有較短的關(guān)斷時間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱,。在逆變電路中,，它已讓位于GTR、GTO,、IGBT等新器件,。目前，其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi),。非對稱晶閘是一種正,、反向電壓耐量不對稱的晶閘管。而逆導(dǎo)晶閘管不過是非對稱晶閘管的一種特例,，是將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件,。與普通晶閘管相比，它具有關(guān)斷時間短,、正向壓降小,、額定結(jié)溫高、高溫特性好等優(yōu)點,，主要用于逆變器和整流器中,。目前，國內(nèi)有廠家生產(chǎn)3000V/900A的非對稱晶閘管,。進口模塊商城

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