下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極,、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法,。判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,,測(cè)量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極,,紅表筆接K極時(shí),,電阻呈低阻值,對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大,。由此可迅速判定G,、K極,剩下的就是A極,。(此處指的模擬表,,電子式萬(wàn)用表紅表筆與電池正極相連,模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(LightTriggeredThyristor——LTT),,又稱(chēng)光觸發(fā)晶閘管。國(guó)內(nèi)也稱(chēng)GK型光開(kāi)關(guān)管,,是一種光敏器件,。1.光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極:控制極G、陽(yáng)極A和陰極K,。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來(lái)自光...
采用電子線(xiàn)路進(jìn)行保護(hù)等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,,常稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路,。(4)阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有相對(duì)較高的頻率,因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,,為防止出現(xiàn)振蕩,,常加阻尼電阻,構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè),、直流側(cè),或并接在晶閘管的陽(yáng)極與陰極保護(hù)之間,。吸收進(jìn)行電路設(shè)計(jì)好方法選用無(wú)感電容,,接線(xiàn)應(yīng)盡量短。(5)吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€(xiàn)性元件組成上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,,有時(shí)對(duì)時(shí)間短,、峰值高,、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電,抑制過(guò)電壓的效果較差,。因此,,一般在變流裝置的進(jìn)出線(xiàn)端還并有硒堆或壓敏電阻等非線(xiàn)性元件。硒堆...
美國(guó)通用電氣公司研發(fā)了世界上***個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器(SR),,1957年又開(kāi)發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器(SCR),。由于它們具有體積小、重量輕,、效率高,、壽命長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì),尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率,,令半導(dǎo)體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電控制領(lǐng)域,、大功率控制領(lǐng)域。在整流器的應(yīng)用上,,晶閘管迅速取代了**整流器(引燃管),,實(shí)現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無(wú)觸點(diǎn)化,,并獲得巨大的節(jié)能效果,。從1960年代開(kāi)始,由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管,、光控晶閘管,、不對(duì)稱(chēng)晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管,形成一個(gè)龐大的晶閘管家族,。晶閘管在應(yīng)用中有效率高,、控制特...
且在門(mén)極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi);④應(yīng)有良好的抗干擾能力,、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離,;⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中,,要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通,,宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種:①電磁觸發(fā)方式,,將低電位觸發(fā)信號(hào)經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門(mén)極,。這種觸發(fā)方式成本較低,技術(shù)比較成熟,。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問(wèn)題,,同時(shí)觸發(fā)時(shí)的電磁干擾較大。②直接光觸發(fā)方式,將觸發(fā)脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖,,直接觸發(fā)高位光控晶閘管,。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管,且該種晶閘管的成本較高,,不適宜采用,;③間接光觸發(fā)方式,利用光纖通信的方...
故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài),。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,,從門(mén)極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),,從而提高其電流放大系數(shù)a2,,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3,,當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時(shí),,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),,流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,,在晶閘管導(dǎo)通后,,1-(a1+a2)...
且在門(mén)極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi);④應(yīng)有良好的抗干擾能力,、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離;⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致,。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中,,要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通,宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式,。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種:①電磁觸發(fā)方式,,將低電位觸發(fā)信號(hào)經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門(mén)極。這種觸發(fā)方式成本較低,,技術(shù)比較成熟,。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問(wèn)題,,同時(shí)觸發(fā)時(shí)的電磁干擾較大。②直接光觸發(fā)方式,將觸發(fā)脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖,,直接觸發(fā)高位光控晶閘管,。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管,且該種晶閘管的成本較高,不適宜采用,;③間接光觸發(fā)方式,利用光纖通信的方...
塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,,大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,,快速晶閘管包括所有專(zhuān)為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管,有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,,可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中,。(備注:高頻不能等同于快速晶閘管)工作原理/晶閘管編輯晶閘管在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,,組成晶閘管的主電路,,晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路...
因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè):1,、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大,,串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡,。同時(shí),半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響,,不同的結(jié)溫也會(huì)使均壓性能受到影響,。[1]2、關(guān)斷電荷和開(kāi)通時(shí)間等動(dòng)態(tài)特性對(duì)動(dòng)態(tài)均壓的影響,。晶閘管串聯(lián)運(yùn)行,,延遲時(shí)間不同,門(mén)極觸發(fā)脈沖的大小不同,,都會(huì)導(dǎo)致閥片的開(kāi)通適度不同,。閥片的開(kāi)通速度不同,會(huì)引起動(dòng)態(tài)電壓的不均衡,。同時(shí)關(guān)斷時(shí)間的差異也會(huì)造成各晶閘管不同時(shí)關(guān)斷的現(xiàn)象,。關(guān)斷電荷少,則易關(guān)斷,,關(guān)斷時(shí)間也短,,先關(guān)斷的元件必然承受**高的動(dòng)態(tài)電壓,。[1]晶閘管串聯(lián)...
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),又被稱(chēng)做可控硅整流器,,以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅,;1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化,;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),,它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和控制極,;晶閘管具有硅整流器件的特性,,能在高電壓、大電流條件下工作,,且其工作過(guò)程可以控制,、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān),、逆變及變頻等電子電路中。工作原理晶閘管在工作過(guò)程中,,它的陽(yáng)極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,,組成晶閘管的控制電路,。晶閘管為半控型電力電子器件,它的工作條件如下:1.晶...
下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極,、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,,測(cè)量任意兩腳間的電阻,,*當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時(shí),,電阻呈低阻值,,對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G,、K極,剩下的就是A極,。(此處指的模擬表,,電子式萬(wàn)用表紅表筆與電池正極相連,模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(LightTriggeredThyristor——LTT),,又稱(chēng)光觸發(fā)晶閘管,。國(guó)內(nèi)也稱(chēng)GK型光開(kāi)關(guān)管,,是一種光敏器件。1.光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極:控制極G,、陽(yáng)極A和陰極K,。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來(lái)自光...
其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開(kāi)關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源,、超聲波電源,、激光電源、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車(chē)輛調(diào)速等領(lǐng)域,。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車(chē)和地鐵機(jī)車(chē)為了便于調(diào)速采用直流供電,,用直流開(kāi)關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻,改變電路電流來(lái)控制車(chē)輛的速度,。但它有不能平滑起動(dòng)和加速,。開(kāi)關(guān)體積大、壽命短,,而且低速運(yùn)行時(shí)耗電大(減速時(shí)消耗在啟動(dòng)電阻上)等缺點(diǎn),。自有了逆導(dǎo)晶閘管,采用了逆導(dǎo)晶閘管控制,、調(diào)節(jié)車(chē)速,,不*克服了上述缺點(diǎn),而且還降低了功耗,,提高了機(jī)車(chē)可靠性,。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成(同做在一個(gè)硅片上。它的等效電路和符號(hào)如圖1所示,。它的特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏?。由于它的?yáng)極和陰...
4.可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管。其主要特點(diǎn)是,,當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷,。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),,以具有自關(guān)斷能力,,使用方便,是理想的高壓,、大電流開(kāi)關(guān)器件,。它的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管。目前,,大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,,顯示出強(qiáng)大的生命力,。5.光控晶閘管光控晶閘管又稱(chēng)光觸發(fā)晶閘管,,是一種光敏器件。由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射,,沒(méi)有必要再引出控制極,,所以只有兩個(gè)電極(陽(yáng)極A和陰極K),結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,,是由四層PNPN器件構(gòu)成,。圖2光控晶閘管符號(hào)圖當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓,陰極加上負(fù)向電壓時(shí),,控晶閘管可以...