可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理,。   首先,，我們可以把從陰極向上數(shù)、二,、三層看面是一只NPN 型號晶體管,，而二、三四層組成另一只PNP 型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來分析,。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea ,，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1 的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1 將產(chǎn)生基極電流Ib1 ,，經(jīng)放大,，BG1 將有一個放大了β1 倍的集電極電流IC1 。因為BG1 集電極與BG2 基極相連,，IC1 又是BG2 的基極電流Ib2 ,。BG2 又把比Ib2 （Ib1 ）放大了β2 的集電極電流IC2 送回BG1 的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1 ,、BG2 完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通,。導通的時間主要決定于可控硅的性能,。   當速晶閘管模塊承受反向陽極電壓時，無論柵極電壓如何,，晶閘管都會關(guān)閉。四川節(jié)能模塊

晶閘管誕生后,，其結(jié)構(gòu)的改進和工藝的改進,，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年,，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,，應(yīng)用于調(diào)光和馬達控制；1965年,，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ)；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世,，成為當時逆變電路的基本元件,；1974年，逆導晶閘管和非對稱晶閘管研制完成,。普通晶閘廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域,，運用由它所構(gòu)成的電路對電網(wǎng)進行控制和變換是一種簡便而經(jīng)濟的辦法,。不過，這種裝置的運行會產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù),、影響電網(wǎng)的質(zhì)量,。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。雙向晶閘可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中,。正、負脈沖都可觸發(fā)導通,，因而其控制電路比較簡單,。其缺點是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低,、關(guān)斷時間較長,，其水平已超過2000V/500A。上海大規(guī)模模塊市價光控晶閘是通過光信號控制晶閘管觸發(fā)導通的器件,，它具有很強的抗干擾能力,。

■可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導通,。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時，可控硅方可關(guān)斷,。當然,，如果Ea極性反接，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài),。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的,，可控硅也不能導通,。另外，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時,，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了,。

可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流,，還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的轉(zhuǎn)變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。可控硅和其它半導體器件一樣,，其有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點,。它的出現(xiàn)，使半導體技術(shù)從弱電范疇進入了強電范疇,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運輸,、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件。當集-射極電壓UCE＜0時,，J3的PN結(jié)處于反偏,，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

本系統(tǒng)壓敏電阻的選擇為:710-1000V,。阻容吸收回路能抑制模塊內(nèi)品閘管由導通到截止時產(chǎn)生的過電壓,避免品閘管被擊穿,但它只能吸收時間很短.電壓不高的過電壓,。單相電路用電阻和電容串聯(lián)后并聯(lián)在交流輸人端，三相電路用電阻和電容接成星形或3角形并聯(lián)在交流輸人端,，阻容吸收回路。3.模塊領(lǐng)配備相應(yīng)敢熱器以保證其可靠性和安全性,，本系統(tǒng)使用的模塊翰出額定電流較大(SOA),電動機額定電德為12A,因此模塊達不到滿負荷工作,，采用自然冷卻方式即可。4.三相整流模塊直流輸出給電動機電樞供電時，電樞回路要接入電抗器來限制直流電流的脈動,，使電動機輕載或空載時維持電流連續(xù),。超快恢復二極管模塊,包括紫銅底板,氮化鋁陶瓷覆銅板,塑料外殼,三個主電極,環(huán)氧樹脂保護層。進口模塊供應(yīng)商

若柵-射極電壓UGE＜Uth,，溝道不能形成,，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。四川節(jié)能模塊

早在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）,、普通整流管模塊（MDC）,、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）,、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG）,、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等,。四川節(jié)能模塊

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