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它由電源變壓器,、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊,、數(shù)字調(diào)節(jié)器,、數(shù)字觸發(fā)器,、六路相互隔離的脈沖輸出電路,、開關(guān)量輸入,、故障及報警輸出電路,、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成,。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓：≤1000V(50HZ),。⑵控制板工作電源：單相220V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號：三相同步,AC380V,，50HZ,，電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號：DC0∽10V,，內(nèi)阻抗≥20KΩ,，反饋信號比較大共模電壓≤10V，其他需定制(5)IF電流反饋信號：DC0∽5V,，內(nèi)阻抗≥20KΩ,，反饋信號比較大共模電壓≤5V，其...

除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2,、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,，應(yīng)立即更換,。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況,。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱,。5,、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。6,、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出,，打...

⑿脈沖輸出：六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度：2個20°寬脈沖列,、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動態(tài)響應(yīng)時間≤10ms，超調(diào)量≤1%,。⒁有回零保護(hù),、軟起動、急停功能,。⒂比較大外形尺寸：235㎜×180㎜×50㎜,。三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)編輯◆獨有三相不平衡自動調(diào)整功能，有效提高電能利用效率,?！粝冗M(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)，改善了電網(wǎng)功率因數(shù),，可以有效節(jié)省用電量?！艟哂幸葡嘤|發(fā)與過零觸發(fā)雙重工作模式,，撥動選擇開關(guān)，即可輕松實現(xiàn)轉(zhuǎn)換?！舳喾N控制信號輸入：DC4~20mA,、DC0~10mA、DC1~5V,、DC0~10V,、開關(guān)...

認(rèn)識半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅,。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，形成三個PN結(jié),，分別稱：陽極，陰極和控制極,。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路,。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通,，這是晶閘管的閘流特性,，即可控特性。若晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減...

采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè),、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護(hù)之間,。吸收進(jìn)行電路設(shè)計好方法選用無感電容,，接線應(yīng)盡量短,。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的，有時對時間短,、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差,。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆...

除了考慮通過元件的平均電流外,，還應(yīng)注意正常工作時導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值,。2,、使用可控硅之前，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好,。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時,，應(yīng)立即更換。3,、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況,。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,，以幫于良好的散熱,。5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置,。6,、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,，可把管芯從冷卻套中取出,，打...

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起,。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,，從電路功能上可以把它等效成圖3(c),，也就是說，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的,。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因,。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,，管子才能導(dǎo)通,。對雙向晶閘管來說，無所謂陽極和陰極,。它的任何一個主電極,，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講，對一個管子是陽極,，對另一個管子就是陰極,，反過來也一樣。因此,，雙向晶閘管...

晶閘管是一種開關(guān)元件,，顧名思義他的名字里面有一個閘字也就是門，開關(guān)的意思,，他的應(yīng)用在各種電路,，以及電子設(shè)備中。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備,，他通過一個電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時他的電阻變得很小相當(dāng)于一跟導(dǎo)線,。晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅,，晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極,，陰極和控制極,，晶閘管（Thyristor）是一種開關(guān)元件，能在高電壓,、大電流條件下工作,，并且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備,。1957年，美國通...

否則將遭至徹底損壞,。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時,，熱量來不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高,，終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞,。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,，例如，變流裝置本身晶閘管損壞,，觸發(fā)電路發(fā)生故障,，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過高,、過低或缺相,，負(fù)載過載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等,。常用的晶閘管過電流保護(hù)方法是快速熔斷器,。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢，吹它尚未被燒毀晶閘管保險絲之前;不能用于保護(hù)晶閘管,。埋銀保險石英砂內(nèi)快速熔斷器,，熔斷時間很短，它可以用來保護(hù)晶閘管,。業(yè)績快速熔斷器主要有以下特征,。晶閘管的代換晶閘管損壞后，若無同型號的晶閘管更換,，可以通過選用中國與其工作性能設(shè)計參數(shù)相近的其他產(chǎn)品型號晶...

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是,。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us,，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A,，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us,。但是此種開關(guān)所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用,。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素,。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件,，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關(guān)斷,，導(dǎo)通后控制極即不再起作用，要關(guān)斷必須切斷電源,，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流,。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特性，必須...

他發(fā)生在芯片外圓倒角處,，有細(xì)小光潔小孔,。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的,。它導(dǎo)致電壓擊穿,。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路,、逆變、電機(jī)調(diào)速,、電機(jī)勵磁,、無觸點開關(guān)及自動控制等方面?，F(xiàn)在我畫一個**簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a）〕,。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時,，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?，F(xiàn)在，畫出它的波形圖〔圖4(c）及（d）〕,，可以看到,，只...

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、**率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,，快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計的晶閘管,，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中,。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）工作原理/晶閘管編輯晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路...

從而實際強(qiáng)觸發(fā)，加速了元件的導(dǎo)通,，提高了耐電流上升率的能力,。三、能耐較高的電壓上升率（dv/dt）晶閘管是由三個P—N結(jié)組成的,。每個結(jié)相當(dāng)于一個電容器,。結(jié)電壓急劇變化時,，就有很大的位移電流流過元件，它等效于控制極觸發(fā)電流的作用,?？赡苁咕чl管誤導(dǎo)通。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因,。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生,，快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路,。這樣一來,，即使電壓上升率較高，晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,，不致使晶閘管誤導(dǎo)通,。只是在電壓上升率進(jìn)一步提高，結(jié)電容位移電流進(jìn)一步增大,，在短路點上產(chǎn)生電壓降足夠大時,，晶閘管才能導(dǎo)通。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶閘管,，用...

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管,。其主要特點是，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷,。它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管,。目前，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力,。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,，是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射,，沒有必要再引出控制極,，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K），結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成,。圖2光控晶閘管符號圖當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,，陰極加上負(fù)向電壓時，控晶閘管可以...

且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi),；④應(yīng)有良好的抗干擾能力,、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時間趨于一致,。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中,，要求串聯(lián)的元件同一時刻導(dǎo)通，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式,。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電磁觸發(fā)方式,，將低電位觸發(fā)信號經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發(fā)方式成本較低,，技術(shù)比較成熟,。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題，同時觸發(fā)時的電磁干擾較大,。②直接光觸發(fā)方式，將觸發(fā)脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖,，直接觸發(fā)高位光控晶閘管,。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管，且該種晶閘管的成本較高,，不適宜采用,；③間接光觸發(fā)方式，利用光纖通信的方...