TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓,、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓,。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過程中,，管子在反向作用下,，正向電流下降到零時(shí)，元件內(nèi)部殘存著載流子,。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,，使殘存的載流子迅速消失，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大,，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,，這個(gè)電勢與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿,。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍,。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路,。2．交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程，會產(chǎn)生操作過電壓,。高壓合閘的瞬間,，由于初次級之間存在分布電容，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,，出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用,。海南常見可控硅工廠直銷

    可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成,。它的功能不僅是整流,，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷,；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件。目前可控硅在自動控制,、機(jī)電應(yīng)用,、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多,?？煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)構(gòu)原件可控硅有三個(gè)極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G）,，管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié)，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),?？煽毓钁?yīng)用時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。江西優(yōu)勢可控硅實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。

    一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二,、三,、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。可畫出圖1的等效電路圖,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,，經(jīng)放大,，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的,，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加到控制極，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2）,，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果E極性反接,。

    晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。為了克服上述問題,，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化,，以防止誤觸發(fā)。一般,，電阻取100R,，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉,。3,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大,，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí),，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況易在感性負(fù)載的情況下發(fā)生,，很容易導(dǎo)致器件的損壞,。此時(shí)可以在負(fù)載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。4,、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT在處于截止?fàn)顟B(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個(gè)小于它的VDFM的高速變化的電壓時(shí),，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導(dǎo)通。這在高溫下尤為嚴(yán)重,，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來限制VD/DT,，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5,、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的大值，此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通,。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通,。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞,。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流,，這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰,。過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅,。

    在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,，此時(shí)可控硅已被觸發(fā),，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流小）,。然后瞬時(shí)斷開A極再接通,，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好,。對于1~6A雙向可控硅,，紅筆接T1極，黑筆同時(shí)接G,、T2極,，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小,、廠家不同而異）,。然后將兩筆對調(diào)，重復(fù)上述步驟測一次,，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小,。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極,，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞,?？砂磮D2方法進(jìn)一步測量，對于單向可控硅,，閉合開關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅,，否則說明可控硅損壞,。對于雙向可控硅，閉合開關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮,，斷開K，燈應(yīng)不息滅,。然后將電池反接,，重復(fù)上述步驟,，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的,。否則說明該器件已損壞,。可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管,，當(dāng)控制極加一定的電壓時(shí),，陰極和陽極就導(dǎo)通了?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）,、陽極（A）,、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成,?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。山東品質(zhì)可控硅現(xiàn)貨

硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化,。海南常見可控硅工廠直銷

    可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule),。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,?？煽毓枘K的優(yōu)點(diǎn)：體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外接線簡單、互換性好,、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化,，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),。可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX),、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG),、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等,?？煽毓韫ぷ髟砜煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的轉(zhuǎn)變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。海南常見可控硅工廠直銷

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