一,、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,，英文名metaloxidesemiconductor,，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型,，因此，MOS管有時(shí)候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管,。二,、MOS管的構(gòu)造。MOS管這個(gè)器件有兩個(gè)電極,，分別是漏極D和源極S,，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻,、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+/P+區(qū),，并用金屬鋁引出漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的N/P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜,，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極,，作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N/P溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管,。三,、MOS管的特性。MOS管具有輸入阻抗高,、噪聲低,、熱穩(wěn)定性好；制造工藝簡單,、輻射強(qiáng),，因而通常被用于放大電路或開關(guān)電路。四,、MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則:圖一是N溝道MOS管的符號(hào),，圖中D是漏極，S是源極,，G是柵極,，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管,，箭頭向外表示是P溝道的MOS管,。在實(shí)際MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號(hào)的規(guī)則中,；表示襯底的箭頭也必須和源極相連接,，以區(qū)別漏極和源極。圖三是P溝道MOS管的符號(hào),。放大倍數(shù)大,、噪聲小、功耗低等優(yōu)良性能,。浙江貿(mào)易MOS管銷售廠

    流入drain,。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了,。有時(shí)晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個(gè)引線端就會(huì)互相對(duì)換角色,。這種情況下,，電路設(shè)計(jì)師必須指定一個(gè)是drain另一個(gè)是source。Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對(duì)稱MOS管,。制造非對(duì)稱晶體管有很多理由,，但所有的終結(jié)果都是一樣的。一個(gè)引線端被優(yōu)化作為drain,，另一個(gè)被優(yōu)化作為source,。如果drain和source對(duì)調(diào)，這個(gè)器件就不能正常工作了,。晶體管有N型channel所有它稱為N-channelMOS管,，或NMOS。P-channelMOS(PMOS)管也存在,，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管,。如果這個(gè)晶體管的GATE相對(duì)于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面,，空穴就被排斥出表面,。硅的表面就積累，沒有channel形成,。如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置,，空穴被吸引到表面，channel形成了,。因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值,。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的,，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào),。一個(gè)工程師可能說，"PMOSVt從",，實(shí)際上PMOS的Vt是從,。安徽MOS管現(xiàn)貨mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（簡稱mos管）,。

    控制柵極電壓VGS的大小改變了電場的強(qiáng)弱,，就可以達(dá)到控制漏極電流ID的大小的目的，這也是MOS管用電場來控制電流的一個(gè)重要特點(diǎn),，所以也稱之為場效應(yīng)管,。六：MOS的優(yōu)勢：1、場效應(yīng)管的源極S,、柵極G,、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e,、基極b、集電極c,，它們的作用相似,，圖一所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖二所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對(duì)應(yīng)圖,。2,、場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID,，普通的晶體三極管是電流控制電流器件,，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是（跨導(dǎo)gm）當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培,。晶體三極管是電流放大系數(shù)（貝塔β）當(dāng)基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少,。3、場效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的,，不產(chǎn)生電流,；而三極管工作時(shí)基極電流IB決定集電極電流IC。因此場效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多,。4,、場效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電；三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電,，因少數(shù)載流子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大，所以場效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好,。5,、場效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用,，且特性變化不大,。

    ，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管,。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體,，確切的說，這個(gè)名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu),，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上,，加上二氧化硅和金屬，形成柵極,。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個(gè)區(qū)是一樣的,，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的,。(多子)參與導(dǎo)電，是單極型晶體管,。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同,，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?，功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),，又稱為VMOSFET，提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力,。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道,。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí),，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管,。、輸出特性對(duì)于共源極接法的電路,，源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離,，所以柵極電流為0。當(dāng)VGSMOS管作為開關(guān)元件,，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài),。其優(yōu)點(diǎn)是效率高（可達(dá)80%）、抗輻射能力強(qiáng)以及耐高溫性能好,。

    隨著社會(huì)的進(jìn)步和發(fā)展,，MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣，薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅**”,，必須來科普一下這方面的知識(shí),。MOS即MOSFET的簡寫，全稱是金屬氧化物場效應(yīng)晶體管,。就是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,。MOS管的構(gòu)造、原理,、特性,、符號(hào)規(guī)則和封裝種類等,，大致如下,。1、MOS管的構(gòu)造：MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,，用半導(dǎo)體光刻,、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,，分別作為漏極D和源極S,。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極,，作為柵極G,。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。它的柵極和其它電極間是絕緣的,。同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上,，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū),，及上述相同的柵極制作過程,，就制成為一個(gè)P溝道（PNP型）增強(qiáng)型MOS管。圖1-1所示（a）,、（b）分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和符號(hào),。2、MOS管的工作原理：從圖1-2-（a）可以看出,，增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。P-MOS管的通斷控制,，其實(shí)就是控制其Vgs的電壓,，從而達(dá)到控制電源的目的。浙江貿(mào)易MOS管銷售廠

MOS,，是MOSFET的縮寫,。浙江貿(mào)易MOS管銷售廠

    CE極間相當(dāng)“短路”,即呈“開”的狀態(tài),。三極管在截止?fàn)顟B(tài)(發(fā)射結(jié),、集電結(jié)都是反偏置)時(shí),其CE極間的電流極小(硅管基本上量不到),相當(dāng)于“斷開(即‘關(guān)’)”的狀態(tài),。三極管開關(guān)電路的特點(diǎn)是開關(guān)速度極快,遠(yuǎn)遠(yuǎn)比機(jī)械開關(guān)快;沒有機(jī)械接點(diǎn),不產(chǎn)生電火花;開關(guān)的控制靈敏,對(duì)控制信號(hào)的要求低;導(dǎo)通時(shí)開關(guān)的電壓降比機(jī)械開關(guān)大,關(guān)斷時(shí)開關(guān)的漏電流比機(jī)械開關(guān)大;不宜直接用于高電壓、強(qiáng)電流的控制,。2020-08-30什么是高反壓開關(guān)三極管晶體三極管工作在開關(guān)狀態(tài)時(shí),，發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零,，集電極電流和發(fā)射極電流都為零,，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的斷開狀態(tài),，即為三極管的截止?fàn)顟B(tài)。開關(guān)三極管處于截止?fàn)顟B(tài)的特征是發(fā)射結(jié),，集電結(jié)均處于反向偏置。此時(shí)三極管能夠承受額電壓越高,，其被擊穿的可能性越小,，工作越可靠,，所以在一些特殊電路中必須選用高反壓開關(guān)三極管,，例如彩色電視機(jī)的行輸出電路，一般高反壓三極管的耐壓都在1500伏以上,。2020-08-30有關(guān)三極管的開關(guān)作用三極管都有開關(guān)作用,。普通三極管當(dāng)B極沒有電流時(shí)會(huì)截止的，但是可控硅（也是一種三極管）卻是只管導(dǎo)通不能控制截止,，就是說B極給電流導(dǎo)通之后不能控制EC截止,。浙江貿(mào)易MOS管銷售廠

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