其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí),，可控硅就導(dǎo)通,；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持,，一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷,。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1（或某一相位角wt1）,，在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過(guò)的可控硅開關(guān)特性,，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束,。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,，這一范圍稱為控制角,，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,，這一范圍稱為導(dǎo)通角,，常用j表示。同理在正弦波交流電的負(fù)半周,，對(duì)處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅（對(duì)兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言）在t2時(shí)刻（即相位角wt2）施加觸發(fā)脈沖,，使其導(dǎo)通,。如此周而復(fù)始,，對(duì)正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通，獲得相同的導(dǎo)通角,。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間（或相位）,，即改變了導(dǎo)通角j（或控制角a）的大小。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高,，燈就越亮,。從上述可控硅調(diào)光原理可知，調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了,，除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài),。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴},，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用,。江西哪里有可控硅供應(yīng)商

    可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管,。它具有體積小、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴},，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。江西哪里有可控硅供應(yīng)商別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。

    改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A,。2：大,；功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等?？煽毓梃b別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié),。可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,?？煽毓桦妷簻y(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理,。首先，可以把從陰極向上數(shù)的第1,、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管,。

    通過(guò)上面對(duì)工作原理的分析可知，可控硅只具有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，那么這兩種工作狀態(tài)之間如何進(jìn)行轉(zhuǎn)換呢,？狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要什么條件呢？下圖將會(huì)告訴你答案?？煽毓柚饕獏?shù)⒈額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。⒊控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值可控硅用途普通晶閘管基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來(lái)得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來(lái)得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,。反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花、無(wú)噪音,；效率高,，成本低等等,。

    在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸常見可控硅出(波形圖上陰影部分)。Ug到來(lái)得早,，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來(lái)得晚，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流?？煽毓柙頍o(wú)觸點(diǎn)開關(guān)可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開關(guān),。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其明顯特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng),?？煽毓柙懋a(chǎn)品特性編輯可控硅陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,。可控硅導(dǎo)通后,，當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷,。江西哪里有可控硅供應(yīng)商

雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。江西哪里有可控硅供應(yīng)商

    我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二,、三,、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。可畫出圖1的等效電路圖,。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,，經(jīng)放大,，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的,，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),，觸發(fā)信號(hào)加到控制極，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過(guò)BG1,、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果E極性反接,，BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作,。反過(guò)來(lái),。江西哪里有可控硅供應(yīng)商

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