无码人妻久久一区二区三区蜜桃_日本高清视频WWW夜色资源_国产AV夜夜欢一区二区三区_深夜爽爽无遮无挡视频,男人扒女人添高潮视频,91手机在线视频,黄页网站男人的天,亚洲se2222在线观看,少妇一级婬片免费放真人,成人欧美一区在线视频在线观看_成人美女黄网站色大免费的_99久久精品一区二区三区_男女猛烈激情XX00免费视频_午夜福利麻豆国产精品_日韩精品一区二区亚洲AV_九九免费精品视频 ,性强烈的老熟女

不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓，總有一個pn結(jié)處于反偏狀態(tài),，漏,、源極間沒有導(dǎo)電溝道,，器件無法導(dǎo)通。但如果VGS正向足夠大,，此時柵極G和襯底p之間的絕緣層中會產(chǎn)生一個電場，方向從柵極指向襯底,，電子在該電場的作用下聚集在柵氧下表面,，形成一個N型薄層(一般為幾個nm),，連通左右兩個N+區(qū)，形成導(dǎo)通溝道,，如圖中黃域所示,。當(dāng)VDS＞0V時,，N-MOSFET管導(dǎo)通,，器件工作。了解完以PNP為例的BJT結(jié)構(gòu)和以N-MOSFET為例的MOSFET結(jié)構(gòu)之后,，我們再來看IGBT的結(jié)構(gòu)圖↓IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號黃塊表示IGBT導(dǎo)通時形成的溝道,。首先看黃色虛線部分，細(xì)看之下是不是有一絲熟悉之感,？這...

該電場會阻止P區(qū)空穴繼續(xù)向N區(qū)擴散,。倘若我們在發(fā)射結(jié)添加一個正偏電壓（p正n負(fù)），來減弱內(nèi)建電場的作用,，就能使得空穴能繼續(xù)向N區(qū)擴散,。擴散至N區(qū)的空穴一部分與N區(qū)的多數(shù)載流子——電子發(fā)生復(fù)合，另一部分在集電結(jié)反偏（p負(fù)n正）的條件下通過漂移抵達集電極,，形成集電極電流,。值得注意的是，N區(qū)本身的電子在被來自P區(qū)的空穴復(fù)合之后,，并不會出現(xiàn)N區(qū)電子不夠的情況,，因為b電極（基極）會提供源源不斷的電子以保證上述過程能夠持續(xù)進行。這部分的理解對后面了解IGBT與BJT的關(guān)系有很大幫助,。MOSFET：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱場效晶體管,。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以N-MOSFET為例）如下圖所示,。MOSFET內(nèi)...

但在中MOSFET及IGBT主流器件市場上,，90％主要依賴進口，基本被國外歐美,、日本企業(yè)壟斷,。國外企業(yè)如英飛凌、ABB,、三菱等廠商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規(guī)格涵蓋電壓600V-6500V,，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產(chǎn)品系列,。英飛凌,、三菱、ABB在1700V以上電壓等級的工業(yè)IGBT領(lǐng)域占優(yōu)勢,；在3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術(shù)領(lǐng)域幾乎處于壟斷地位,。在大功率溝槽技術(shù)方面，英飛凌與三菱公司處于國際水平,。西門康,、仙童等在1700V及以下電壓等級的消費IGBT領(lǐng)域處于優(yōu)勢地位。盡管我國擁有大的功率半導(dǎo)體市場,，但是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距,，特別是I...

空穴收集區(qū)8可以處于與第1發(fā)射極單元金屬2隔離的任何位置，特別的,，在終端保護區(qū)域的p+場限環(huán)也可以成為空穴收集區(qū)8,，本發(fā)明實施例對此不作限制說明。因此,，本發(fā)明實施例提供的igbt芯片在電流檢測過程中,，通過檢測電阻上產(chǎn)生的電壓，得到工作區(qū)域的電流大小,。但是,，在實際檢測過程中，檢測電阻上的電壓同時抬高了電流檢測區(qū)域的mos溝槽溝道對地電位,，即相當(dāng)降低了電流檢測區(qū)域的柵極電壓,，從而使電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻增加。當(dāng)電流檢測區(qū)域的電流越大時,，電流檢測區(qū)域的mos的溝道電阻就越大,，從而使檢測電壓在工作區(qū)域的電流越大，導(dǎo)致電流檢測區(qū)域的電流與工作區(qū)域電流的比例關(guān)系偏離增大,，產(chǎn)生大電流下的信號失真,，造...

不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓，總有一個pn結(jié)處于反偏狀態(tài),，漏,、源極間沒有導(dǎo)電溝道,，器件無法導(dǎo)通。但如果VGS正向足夠大,，此時柵極G和襯底p之間的絕緣層中會產(chǎn)生一個電場,，方向從柵極指向襯底，電子在該電場的作用下聚集在柵氧下表面,，形成一個N型薄層(一般為幾個nm),，連通左右兩個N+區(qū)，形成導(dǎo)通溝道,，如圖中黃域所示,。當(dāng)VDS＞0V時，N-MOSFET管導(dǎo)通,，器件工作,。了解完以PNP為例的BJT結(jié)構(gòu)和以N-MOSFET為例的MOSFET結(jié)構(gòu)之后，我們再來看IGBT的結(jié)構(gòu)圖↓IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號黃塊表示IGBT導(dǎo)通時形成的溝道,。首先看黃色虛線部分,，細(xì)看之下是不是有一絲熟悉之感？這...

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越的應(yīng)用,，在較高頻率的大,、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT的等效電路如圖1所示,。由圖1可知,，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通,，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通,；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS截止,，切斷PNP晶體管基極電流的供給,，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率,。1,、IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見下表,。使用中當(dāng)...

同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長,。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù),，如燒結(jié)取代焊接,，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝,。隨著IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展,，芯片的高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應(yīng),。未來IGBT模塊技術(shù)將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進,。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢：無焊接、無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術(shù),；內(nèi)部集成溫度傳感器,、電流傳感器及驅(qū)動電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度,、集成度及智能度,。IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域作為新...

MOS管和IGBT管作為開關(guān)元件，在電子電路中會經(jīng)常出現(xiàn),，它們在外形及特性參數(shù)上也比較相似,，相信有不少人會疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管，而有的卻需要用到IGBT管,？它們之間有何區(qū)別呢,？接下來冠華偉業(yè)為你解惑！何為MOS管,？MOS管即MOSFET,，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管,。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型,，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,。MOS管本身自帶有寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下,，燒壞mos管,，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極管...

措施：在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,，就可以減小這種過電壓,。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓,。變壓器空載且電源電壓過零時,，初級拉閘，因變壓器激磁電流的突變,，在次級感生出很高的瞬時電壓,，這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上,。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓,，都必須加阻容吸收路進行保護,。3．直流側(cè)過電壓及保護當(dāng)負(fù)載斷開時或快熔斷時，儲存在變壓器中的磁場能量會產(chǎn)生過電壓,，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護電路可以抑制這種過電壓,，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大，還不能完全消除,。措施：能常采用壓敏吸收進行保護,。4．過電流保護一般加快速熔斷...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機,，變頻器,，變頻家電等領(lǐng)域。目錄1特點2應(yīng)用3注意事項4發(fā)展趨勢IGBT功率模塊特點編輯igbt功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大,，驅(qū)動功率小，控制電路簡單,，開關(guān)損耗小,，通斷速度快，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點,。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點于一體化,。又因先進的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開關(guān)頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性,，近西門子公司又推出低飽和壓降（）的np...

措施：在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時,，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓,。變壓器空載且電源電壓過零時，初級拉閘,，因變壓器激磁電流的突變,，在次級感生出很高的瞬時電壓，這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓,，即偶發(fā)性浪涌電壓,，都必須加阻容吸收路進行保護。3．直流側(cè)過電壓及保護當(dāng)負(fù)載斷開時或快熔斷時,，儲存在變壓器中的磁場能量會產(chǎn)生過電壓,，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護電路可以抑制這種過電壓,，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大,，還不能完全消除,。措施：能常采用壓敏吸收進行保護。4．過電流保護一般加快速熔斷...

這個反電動勢可以對電容進行充電,。這樣,，正極的電壓也不會上升。如下圖：坦白說,，上面的這個解釋節(jié)我寫得不是很有信心,，我希望有高人出來指點一下。歡迎朋友在評論中留言,。我會在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中,，通過實際的電流照片，驗證這個二極管的作用?，F(xiàn)在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進行整流”有問題的,。IGBT,通常就是一個元件，它不帶續(xù)流二極管,。即是這個符號：商用IGBT模塊,，都是將“IGBT+續(xù)流二極管”集成在一個整體部件中，即下面的這個符號,。在工廠中,，我們稱這個整體部件叫IGBT，不會說“IGBT模塊”,。我們可以用“IGBT模塊”搭接...

MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點,，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻,?？偟膩碚f，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz,、上MHz,，缺點是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn),，其導(dǎo)通電阻小,，耐壓高。選擇MOS管還是IGBT,？在電路中,，選用MOS管作為功率開關(guān)管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問題,，如果從系統(tǒng)的電壓,、電流、切換功率等因素作為考慮,，可以總結(jié)出以下幾點：人們常問：“是MOSFET好還是IGBT好,？”其實兩者沒有什么好壞之分，i主要的還是看其實際應(yīng)用情況,。關(guān)于MOSFET與IGBT的區(qū)別,，您若還有...

一個空穴電流（雙極）。當(dāng)UCE大于開啟電壓UCE(th）,，MOSFET內(nèi)形成溝道,，為晶體管提供基極電流，IGBT導(dǎo)通,。2)導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小,，通態(tài)壓降小。所謂通態(tài)壓降,，是指IGBT進入導(dǎo)通狀態(tài)的管壓降UDS,，這個電壓隨UCS上升而下降。3)關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時,，溝道被禁止,，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下,，如果MOSFET的電流在開關(guān)階段迅速下降,，集電極電流則逐漸降低，這是閡為換向開始后,，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少于）,。這種殘余電流值（尾流）的降低，完全取決于關(guān)斷時電荷的密度,，而密度又與幾種因素有關(guān),，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓?fù)?，層次厚度和溫度。少子的衰減...

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大,。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導(dǎo)通,，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”,。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后,，還必須加上觸發(fā)電壓,，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通,。觸發(fā)電流不夠時,，管子不會導(dǎo)通，但此時正向漏電流隨著增大而增大,。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個狀態(tài),，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性,。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通,，門極完全失去控制作用,。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流,，對于電阻負(fù)載,，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,，通常在管...

同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長,。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主,，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù),，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝,。隨著IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展,，芯片的高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應(yīng),。未來IGBT模塊技術(shù)將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進,。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢：無焊接、無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術(shù),；內(nèi)部集成溫度傳感器,、電流傳感器及驅(qū)動電路等功能元件,，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度,。IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域作為新...

IGBT與MOSFET的開關(guān)速度比較因功率MOSFET具有開關(guān)速度快,，峰值電流大，容易驅(qū)動,，安全工作區(qū)寬,，dV/dt耐量高等優(yōu)點，在小功率電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用,。但是由于導(dǎo)通特性受和額定電壓的影響很大,，而且工作電壓較高時，MOSFET固有的反向二極管導(dǎo)致通態(tài)電阻增加,，因此在大功率電子設(shè)備中的應(yīng)用受至限制,。IGBT是少子器件,，它不但具有非常好的導(dǎo)通特性,，而且也具有功率MOSFET的許多特性，如容易驅(qū)動,，安全工作區(qū)寬,，峰值電流大,，堅固耐用等,，一般來講,，IGBT的開關(guān)速度低于功率MOSET,，但是IR公司新系列IGBT的開關(guān)特性非常接近功率MOSFET，而且導(dǎo)通特性也不受工作電壓的影響,。由于IGBT...

而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的,，又稱為FWD（續(xù)流二極管）,。二者內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同MOSFET的三個極分別是源極(S),、漏極(D)和柵極(G),。IGBT的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G),。IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的,。它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖：二者的應(yīng)用領(lǐng)域不同MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同,。由于MOSFET的結(jié)構(gòu),，通常它可以做到電流很大，可以到上KA,，但是前提耐壓能力沒有IGBT強,。其主要應(yīng)用領(lǐng)域為于開關(guān)電源,，鎮(zhèn)流器，高頻感應(yīng)加熱,，高頻逆變焊機，通信電源等高頻電源領(lǐng)域,。IGBT可以做很大功率,，電流和電壓都可以，就是一點...

術(shù)語“中心”,、“上”,、“下”、“左”,、“右”,、“豎直”、“水平”,、“內(nèi)”,、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,，是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位,、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制,。此外,，術(shù)語“第1”、“第二”,、“第三”用于描述目的,，而不能理解為指示或暗示相對重要性。應(yīng)說明的是：以上所述實施例,，為本發(fā)明的具體實施方式,，用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制,，本發(fā)明的保護范圍并不局限于此,，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)...

該電場會阻止P區(qū)空穴繼續(xù)向N區(qū)擴散,。倘若我們在發(fā)射結(jié)添加一個正偏電壓（p正n負(fù)），來減弱內(nèi)建電場的作用,，就能使得空穴能繼續(xù)向N區(qū)擴散,。擴散至N區(qū)的空穴一部分與N區(qū)的多數(shù)載流子——電子發(fā)生復(fù)合，另一部分在集電結(jié)反偏（p負(fù)n正）的條件下通過漂移抵達集電極,，形成集電極電流,。值得注意的是，N區(qū)本身的電子在被來自P區(qū)的空穴復(fù)合之后,，并不會出現(xiàn)N區(qū)電子不夠的情況,，因為b電極（基極）會提供源源不斷的電子以保證上述過程能夠持續(xù)進行。這部分的理解對后面了解IGBT與BJT的關(guān)系有很大幫助,。MOSFET：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,，簡稱場效晶體管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以N-MOSFET為例）如下圖所示,。MOSFET內(nèi)...

晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn),。除此之外整流器件還有很多,，如：可關(guān)斷晶閘管GTO,，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊,，功率模塊IGBT,，SIT，MOSFET等等,，這里只探討晶閘管,。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅,。是一種功率半導(dǎo)體器件,，由于它效率高，控制特性好,，壽命長,，體積小等優(yōu)點，自上個世紀(jì)六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”,。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好,，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展,。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達5000A,，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管,。晶閘管的應(yīng)用：一,、可控整流如同二極管整流一...

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓,。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部,，在關(guān)斷...

關(guān)于賽米控賽米控是一家國際的功率半導(dǎo)體制造商,。成立于1951年，總部位于德國的賽米控公司是一家在全球有3900名員工的家族式企業(yè),。賽米控遍布全球的36家子公司及分?e設(shè)在中國,、巴西、法國,、德國、印度,、意大利,、韓國,、斯洛伐克、南非和美國的生產(chǎn)基地,，能夠為客戶提供快速高效的現(xiàn)場服務(wù),。賽米控是芯片、分離半導(dǎo)體器件,、晶體管,、二極管和晶閘管功率模塊、功率集成和系統(tǒng)的一站式供應(yīng)商,，產(chǎn)品用于工業(yè)驅(qū)動,、風(fēng)能和太陽能發(fā)電、混合和電動汽車,、火車工業(yè)以及電源,。賽米控是二極管/晶閘管半導(dǎo)體市場，并且占有全球30％的市場份額,。(資料來源:IMS-Research?Theworldwidemarketforpow...