不存在少子儲存效應(yīng),，因而關(guān)斷過程非常迅速,，開關(guān)時間在10—100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上,，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應(yīng),，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象,，影響開關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的）。10,、無二次擊穿：由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會導(dǎo)致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象,，而集電極電流的上升又會導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升,，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán),。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升,、耐壓繼續(xù)下降終導(dǎo)致晶體三極管的擊穿,，這是一種導(dǎo)致電視機開關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象,。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性,，即當(dāng)管溫度（或環(huán)境溫度）上升時，溝道電流IDS反而下降,。例如,；一只IDS=10A的MOSFET開關(guān)管，當(dāng)VGS控制電壓不變時,，在250C溫度下IDS=3A,，當(dāng)芯片溫度升高為1000C時，IDS降低到2A,，這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性,，使之不會產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（簡稱mos管）,。北京進(jìn)口MOS管供應(yīng)商

    在單個MOS管器件中有,，在集成電路光刻中沒有，這個二極管在大電流驅(qū)動中和感性負(fù)載時可以起到反向保護(hù)和續(xù)流的作用,，一般正向?qū)▔航翟谧笥?。因為這個二極管的存在，MOS器件在電路中不能簡單地看到一個開關(guān)的作用,，比如充電電路中,，充電完成，移除電源后,，電池會反向向外部供電,，這個通常是我們不愿意看到的結(jié)果。一般解決的方法是在后面增加一個二極管來防止反向供電,，這樣雖然可以做到,，但是二極管的特性決定必須有的正向壓降，在大電流的情況下發(fā)熱嚴(yán)重,，同時造成能源的浪費,，使整機能效低下,。還有一個方法是再增加一個背靠背的MOS管，利用MOS管低導(dǎo)通電阻來達(dá)到節(jié)能的目的,，這一特性另一個常見的應(yīng)用為低壓同步整流,。注意事項MOS管導(dǎo)通后的無方向性，MOS在加壓導(dǎo)通后,，就類似于一根導(dǎo)線,，只具有電阻特性，無導(dǎo)通壓降,，通常飽和導(dǎo)通電阻為幾到幾十毫歐,，且無方向性，允許直流和交流電通過,。使用MOS管的注意事項1,、為了安全使用MOS管，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率,，大漏源電壓,、大柵源電壓和大電流等參數(shù)的極限值。2,、各類型MOS管在使用時,，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守MOS管偏置的極性,。如結(jié)型MOS管柵源漏之間是PN結(jié),，N溝道管柵極不能加正偏壓。江蘇哪里有MOS管代理商開關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過程中,，也就是MOS處于恒流區(qū)時所產(chǎn)生的損耗,。

    隨著社會的進(jìn)步和發(fā)展,，MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣,，薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅**”,，必須來科普一下這方面的知識。MOS即MOSFET的簡寫,，全稱是金屬氧化物場效應(yīng)晶體管,。就是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。MOS管的構(gòu)造,、原理,、特性、符號規(guī)則和封裝種類等,，大致如下,。1,、MOS管的構(gòu)造：MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,，用半導(dǎo)體光刻,、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極,，分別作為漏極D和源極S,。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極,，作為柵極G,。這就構(gòu)成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管。它的柵極和其它電極間是絕緣的,。同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上,，用半導(dǎo)體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區(qū),，及上述相同的柵極制作過程,，就制成為一個P溝道（PNP型）增強型MOS管。圖1-1所示（a）,、（b）分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和符號,。2、MOS管的工作原理：從圖1-2-（a）可以看出,，增強型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個背靠背的PN結(jié),。

    也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象，可見采用MOS管作為開關(guān)管,，其開關(guān)管的損壞率大幅度的降低,，近兩年電視機開關(guān)電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后，開關(guān)管損壞率降低也是一個極好的證明,。11,、MOS管導(dǎo)通后其導(dǎo)通特性呈純阻性：普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通是，幾乎是直通,，有一個極低的壓降,，稱為飽和壓降，既然有一個壓降,，那么也就是,；普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通后等效是一個阻值極小的電阻，但是這個等效的電阻是一個非線性的電阻（電阻上的電壓和流過的電流不能符合歐姆定律）,，而MOS管作為開關(guān)管應(yīng)用,，在飽和導(dǎo)通后也存在一個阻值極小的電阻，但是這個電阻等效一個線性電阻,，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過的電流符合歐姆定律的關(guān)系,，電流大壓降就大，電流小壓降就小,，導(dǎo)通后既然等效是一個線性元件,，線性元件就可以并聯(lián)應(yīng)用,，當(dāng)這樣兩個電阻并聯(lián)在一起，就有一個自動電流平衡的作用,，所以MOS管在一個管子功率不夠的時候,，可以多管并聯(lián)應(yīng)用，且不必另外增加平衡措施（非線性器件是不能直接并聯(lián)應(yīng)用的）,。MOS管和普通的晶體三極管相比,，有以上11項優(yōu)點，就足以使MOS管在開關(guān)運用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管,。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V,。這個器件有兩個電極，一個是金屬,，另一個是extrinsic silicon(外在硅),。

    或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū),。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的,，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。目前在市場應(yīng)用方面,，排名第1的是消費類電子電源適配器產(chǎn)品,。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB,、計算機類適配器,、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計算機主板,、計算機類適配器,、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費類電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信,、工業(yè)控制,、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費類電子了,。下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點，然后對1,，2重點進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效）,，也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效）,，既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導(dǎo)致的失效,。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效,。mos管也稱場效應(yīng)管，首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管,。江蘇哪里有MOS管代理商

MOS管有 三個引腳名稱：G：gate 柵極;S：source 源極;D：drain 漏極,。北京進(jìn)口MOS管供應(yīng)商

    我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚，十分抱歉,，建議雙擊放大觀看）,。從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時,，有個下跌,，這個下跌點后又有一段的上升時間，這段時間其本質(zhì)就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關(guān)斷后,，MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷,，但是由于器件本身的關(guān)斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺,，如果二次上升平臺過大,，那么在變壓器余量設(shè)計不足時，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效,。3：合理的熱設(shè)計余量,，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了,，不行就加散熱器。在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候,，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,，大電壓等，大電流等,，也有很多人考慮這些因素,。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是的,，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的,。1、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強型或耗盡型,，P溝道或N溝道共4種類型,，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS,，或者PMOS指的就是這兩種,。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底,。對于這兩種增強型MOS管,，比較常用的是NMOS。北京進(jìn)口MOS管供應(yīng)商

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司成立于2022-03-29年,，在此之前我們已在IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊，熔斷器行業(yè)中有了多年的生產(chǎn)和服務(wù)經(jīng)驗,，深受經(jīng)銷商和客戶的好評,。我們從一個名不見經(jīng)傳的小公司,，慢慢的適應(yīng)了市場的需求，得到了越來越多的客戶認(rèn)可,。公司現(xiàn)在主要提供IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊，熔斷器等業(yè)務(wù),，從業(yè)人員均有IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器行內(nèi)多年經(jīng)驗,。公司員工技術(shù)嫻熟、責(zé)任心強,。公司秉承客戶是上帝的原則,，急客戶所急，想客戶所想,，熱情服務(wù),。公司秉承以人為本,，科技創(chuàng)新，市場先導(dǎo),，和諧共贏的理念,，建立一支由IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器**組成的顧問團隊，由經(jīng)驗豐富的技術(shù)人員組成的研發(fā)和應(yīng)用團隊,。在市場競爭日趨激烈的現(xiàn)在,，我們承諾保證IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器質(zhì)量和服務(wù),，再創(chuàng)佳績是我們一直的追求,，我們真誠的為客戶提供真誠的服務(wù)，歡迎各位新老客戶來我公司參觀指導(dǎo),。