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晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),，又被稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅,；1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個(gè)極：陽(yáng)極,，陰極和控制極；晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓,、大電流條件下工作,，且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,。工作原理晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。晶閘管為半控型電力電子器件,，它的工作條件如下：1.晶...

在恢復(fù)電流快速衰減時(shí)，由于外電路電感的作用,，會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U,。從正向電流降為零，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間,，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t,。[1]反向恢復(fù)過(guò)程結(jié)束后，由于載流子復(fù)合過(guò)程比較慢,，晶閘管要恢復(fù)其對(duì)反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間,，這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓,，晶閘管會(huì)重新正向?qū)?，而不受門(mén)極電流控制而導(dǎo)通。所以在實(shí)際應(yīng)用中,，需對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反壓,，使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作,。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和,，即t=t+t除了開(kāi)通時(shí)間t、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IG...

晶閘管是一種開(kāi)關(guān)元件,，顧名思義他的名字里面有一個(gè)閘字也就是門(mén),，開(kāi)關(guān)的意思，他的應(yīng)用在各種電路,，以及電子設(shè)備中,。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設(shè)備，他通過(guò)一個(gè)電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導(dǎo)通狀態(tài)此時(shí)他的電阻變得很小相當(dāng)于一跟導(dǎo)線,。晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),，又被稱(chēng)做可控硅整流器,，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅，晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個(gè)極：陽(yáng)極,，陰極和控制極，晶閘管（Thyristor）是一種開(kāi)關(guān)元件,，能在高電壓,、大電流條件下工作，并且其工作過(guò)程可以控制,、被應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān),、逆變及變頻等電子電路中,，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。1957年,，美國(guó)通...

采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散,，常稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有相對(duì)較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè),、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽(yáng)極與陰極保護(hù)之間,。吸收進(jìn)行電路設(shè)計(jì)好方法選用無(wú)感電容,，接線應(yīng)盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,，有時(shí)對(duì)時(shí)間短,、峰值高、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電,，抑制過(guò)電壓的效果較差,。因此，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆...

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1,、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量,。推薦選擇如下：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍,。感性負(fù)載：模塊標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2,、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)（即模塊高輸入電壓,、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀,。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測(cè)出的電流值,，不是有效值，所以,，盡管儀表顯示的電流值并未超過(guò)模塊的標(biāo)稱(chēng)值,，但有效值會(huì)超過(guò)模塊標(biāo)稱(chēng)值的幾倍。因此,，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下（100...

晶閘管的種類(lèi)晶閘管有多種方式分類(lèi)管理方法。（1）按關(guān)閉,、傳導(dǎo)和控制方式分類(lèi)晶閘管可分為普通晶閘管,、晶閘管晶閘管、反向晶閘管,、門(mén)極關(guān)斷晶閘管,、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管,。（B）在銷(xiāo)和分類(lèi)的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類(lèi)晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管,，晶閘管塑料晶閘管和三種類(lèi)型的陶瓷封裝的,。其中，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形,，板形,，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無(wú)兩。（四）按電流容量分類(lèi)晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管,、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種,。通常，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝,，而中,、...

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V,。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓,。由于瞬時(shí)過(guò)電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時(shí)候,，額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍,，作為安全系數(shù)。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過(guò)的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期內(nèi))的平...

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專(zhuān)為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管,，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）工作原理/晶閘管編輯晶閘管在工作過(guò)程中,，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路...

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流,，一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān),，結(jié)溫越高,，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后,，能維持導(dǎo)通所需的**小電流,。對(duì)同一晶閘管來(lái)說(shuō)，通常I約為I的2～4倍,。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過(guò)額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過(guò)載電流,。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫、門(mén)極開(kāi)路的情況下,，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率,。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率,。如果di/dt過(guò)大,，在晶閘管剛開(kāi)通時(shí)會(huì)有很大的電流集中在門(mén)極附近...

引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加,，泄漏了能量,，抑制了過(guò)電壓，從而使晶閘管得到保護(hù),。浪涌過(guò)后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示,。標(biāo)稱(chēng)電壓：當(dāng)參考?jí)好綦娮柚绷?mA電流流動(dòng),，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒,、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流,，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次,，標(biāo)稱(chēng)工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以?xún)?nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來(lái)表示,。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過(guò)一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標(biāo)稱(chēng)電壓值不會(huì)隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降,，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一部分電流時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電壓下降到0,，...

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管。其主要特點(diǎn)是,，當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷,。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開(kāi)關(guān)器件,。它的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管。目前,，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱(chēng)光觸發(fā)晶閘管，是一種光敏器件,。由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射,，沒(méi)有必要再引出控制極,，所以只有兩個(gè)電極（陽(yáng)極A和陰極K），結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,，是由四層PNPN器件構(gòu)成,。圖2光控晶閘管符號(hào)圖當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓，陰極加上負(fù)向電壓時(shí),，控晶閘管可以...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專(zhuān)為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管,，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）晶閘管的作用與工作原理：我們分析晶閘管的作用與原理的時(shí)候可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如上圖所當(dāng)陽(yáng)極A...