IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器,、變頻家電等領(lǐng)域,。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小,，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小,，通斷速度快,，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化,。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點(diǎn)非常顯著的特性,，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳,，相繼東芝、富士,、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種,。當(dāng)速晶閘管模塊承受反向陽極電壓時(shí)，無論柵極電壓如何,，晶閘管都會(huì)關(guān)閉,。貴州可控硅模塊

2、熱限制熱限制就是我們脈沖功,，時(shí)間比較短,，它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn)，可能突然增加,，這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo),，動(dòng)態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗,。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影響到IGBT的可靠性,，就是壽命問題,。你可以看到50赫茲波動(dòng)量非常小，這個(gè)壽命才長(zhǎng),。3,、封裝要求封裝要求主要體現(xiàn)在外部封裝材料上面，在結(jié)構(gòu)上面,，其實(shí)也會(huì)和封裝相關(guān),，因?yàn)樵O(shè)計(jì)的時(shí)候會(huì)布局和結(jié)構(gòu)的問題，不同的設(shè)計(jì)它的差異性很大,。4,、可靠性要求可靠性問題，剛才說到結(jié)溫波動(dòng),，其中**擔(dān)心就是結(jié)溫波動(dòng)以后,，會(huì)影響到這個(gè)綁定線和硅片之間的焊接，時(shí)間久了,，這兩種材料本身之間的熱抗系數(shù)都有差異,，所以在結(jié)溫波動(dòng)情況下，長(zhǎng)時(shí)間下來,，如果工藝不好的話,，就會(huì)出現(xiàn)裂痕甚至斷裂，這樣就會(huì)影響保護(hù)壓降,，進(jìn)一步導(dǎo)致ICBT失效,。第二個(gè)就是熱循環(huán)，主要體現(xiàn)在硅片和DCB這個(gè)材料之間,，他們之間的差異性,。如果失效了以后，就分層了,，材料與材料之間特性不一樣,，就變成這樣情況的東西，這個(gè)失效很明顯,。陜西模塊工業(yè)化當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時(shí),，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài),。

    圖2是本實(shí)用新型的非絕緣雙塔型二極管模塊的結(jié)構(gòu)示意圖,。其中1—底板，2—上過渡層,，3—二極管芯片,，4一下過渡層，5—連接橋,，6—主電極,，61—過孔,，7—絕緣體，8—軟彈性膠,，9一外殼,，91一定位凹槽，具體實(shí)施方式見圖1所示的非絕緣雙塔型二極管模塊,，包括底板l,、二極管芯片3、主電極6以及外殼9,，底板1采用鍍鎳銅板或其它導(dǎo)電板,，而二極管芯片3的下端面通過下過渡層4固定連接在底板1上，二極管芯片3的上端面通過上過渡層2與連接橋板5的一側(cè)固定連接,，上過渡層2和下過渡層4均是能與二極管芯片3,、底板1以及連接橋板5連接的鉬片、鎢片或可伐片等,，通過上,、下過渡層使二極管芯片3可靠地與底板1和連接橋板5連接，該連接可采用焊接或粘接等固定方式,，特別是鉬片的熱膨脹系數(shù)接近于二極管芯片,，減少熱應(yīng)力。本實(shí)用新型的連接橋板5是具有兩個(gè)以上折彎的條板,，如圖2所示,，連接橋板5具有三折，且連接橋板5為兩端平板中部凸起的梯形,；或連接橋板5為兩端平板且中部凸起弓形；連接橋板5也可以是多折,，彎折后的連接橋板5能吸收和釋放機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,，連接橋板5的另一側(cè)通過絕緣體7固定在底板1上，該絕緣體7是兩面涂有或覆有金屬層的陶瓷片,，可采用燒結(jié)或鍵合工藝制造,。

    本實(shí)用新型涉及變流技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種igbt模塊,。背景技術(shù)：目前,，國外標(biāo)準(zhǔn)型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的igbt模塊直接應(yīng)用于變頻器,、ups不間斷電源等設(shè)備上,；igbt模塊具有節(jié)能、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),，隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上越來越多見。然而,，這種igbt模塊的成本較高,，嚴(yán)重制約了國內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。為了解決國外標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊成本較高的問題,，目前國內(nèi)出現(xiàn)了一種將igbt單管并聯(lián)后形成igbt模塊的方案,，這種igbt模塊與國外相同技術(shù)參數(shù)規(guī)格下的標(biāo)準(zhǔn)型igbt模塊相比，成本要低15％～20％,，進(jìn)而能夠促進(jìn)國內(nèi)變流技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展,；但是，這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上,，這就**降低了igbt模塊的生產(chǎn)效率,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率,。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊，包括安裝板,、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管,，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上,?？蛇x的。光控晶閘是通過光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,，它具有很強(qiáng)的抗干擾能力,。

提到可控硅模塊，人們都會(huì)想到它是一種類似于二極管的東西,，但是詳細(xì)作用往往不是特別了解,，尤其是在電路中的作用更是知之甚少，下面,，正高電氣就在給你普及一下相關(guān)知識(shí),，詳細(xì)講解可控硅模塊在電路中的作用?？煽毓柙陔娐分械淖饔靡话阌袃煞N,，主要是可控整流和無觸點(diǎn)開關(guān)?？煽卣鳎阂话銇碚f,，普通的可控硅模塊在電路中的用途就是可控整流，像大家都比較熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路，如果能夠?qū)⒍O管換成可控硅模塊,，就能夠構(gòu)成可控整流電路,、逆變、電機(jī)調(diào)速,、電機(jī)勵(lì)磁,、無觸點(diǎn)開關(guān)機(jī)自動(dòng)控制等多個(gè)方面的應(yīng)用。在電工技術(shù)中,，經(jīng)常將交流電的半個(gè)周期為180度,，稱為電角度，這樣在U2的每個(gè)正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度成為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅龋淖冐?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。IGBT其外部有三個(gè)電極，分別為G-柵極,，C-集電極,，E-發(fā)射極。遼寧質(zhì)量模塊

當(dāng) 晶閘管模塊 開啟時(shí),，只要有一定的陽極電壓,，無論門極電壓如何，晶閘管保持開啟,，在晶閘管開啟后失去功能,。貴州可控硅模塊

IGBT是一種功率晶體管，運(yùn)用此種晶體設(shè)計(jì)之UPS可有效提升產(chǎn)品效能,，使電源品質(zhì)好,、效率高、熱損耗少,、噪音低、體積小與產(chǎn)品壽命長(zhǎng)等多種優(yōu)點(diǎn),。IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路,。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,，陽極,，和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時(shí)候存在很小的電阻,，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷,。在安全上面，主要指的就是電的特性,，除了常規(guī)的變壓電流以外,，還有RBSOA（反向偏置安全工作區(qū)）和短路時(shí)候的保護(hù)。這個(gè)是開通和關(guān)斷時(shí)候的波形,，這個(gè)是相關(guān)的開通和關(guān)斷時(shí)候的定義,。我們做設(shè)計(jì)時(shí)結(jié)溫的要求，比如長(zhǎng)期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi),，做到這個(gè)保證的前提是需要把這個(gè)模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來,。這樣結(jié)合這個(gè)參數(shù)以后，結(jié)合選擇的IGBT的芯片,，還有封裝和電流,，來計(jì)算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫，是否滿足安全結(jié)溫的需求,。貴州可控硅模塊

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