所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例,，而不是全部的實施例,?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例,，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍,。本實用新型實施例提供一種igbt模塊,，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率,。如圖1所示，本實用新型提供的一種igbt模塊,，包括安裝板1,、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2，所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3,，所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上,。本實施例，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時,，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件,，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后，再松開所述壓緊件即可實現(xiàn)所述igbt單管的固定,。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法,，**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時間,，并且減少了總裝的零件數(shù)量，提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率,，還降低了因螺釘松動而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險,。如圖1和圖2所示，可選的,，所述壓緊件3包括連接部31和具有彈性的壓緊部32,，所述連接部31一端與所述壓緊部32相連，另一端與所述安裝板1相連,，所述壓緊部3抵設(shè)在所述igbt單管2的上側(cè),，將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實施例,，在使用所述壓緊件時,。IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線,，斷開時當(dāng)做開路,。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點。湖南模塊類型

    向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通,。反之,，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT單管產(chǎn)品圖IGBT單管結(jié)構(gòu)圖IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護(hù)電路，高性能IGBT芯片,，新型封裝技術(shù),，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB,、電力模塊IPEM,。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,，IPM除用于變頻調(diào)速外,，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置,。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，**降低電路接線電感,，提高系統(tǒng)效率,，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM,，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中,。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點,。河南節(jié)能模塊當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時,，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài),。

    但是在高電平時,，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT技術(shù)高出很多。較低的壓降,，轉(zhuǎn)換成一個低VCE（sat）的能力,，以及IGBT的結(jié)構(gòu)，同一個標(biāo)準(zhǔn)雙極器件相比,，可支持更高電流密度,，并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)十分相似,，主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩沖層（NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒有增加這個部分）,。如等效電路圖所示（圖1），其中一個MOSFET驅(qū)動兩個雙極器件,?；膽?yīng)用在管體的P+和N+區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結(jié)。當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時,，一個N溝道形成,，同時出現(xiàn)一個電子流，并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個電子流產(chǎn)生的電壓在,，那么,，J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi),，并調(diào)整陰陽極之間的電阻率,，這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗，并啟動了第二個電荷流,。***的結(jié)果是,，在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€電子流（MOSFET電流）；一個空穴電流（雙極）,。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時,，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區(qū)內(nèi),。在任何情況下,，如果MOSFET電流在開關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低,，這是因為換向開始后,，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）。這種殘余電流值,。

    且所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接板311的一端朝背離所述擋板11的一側(cè)斜向下延伸,。本實施例，由于所述壓緊部在工作時,，遠(yuǎn)離所述連接板的一端會抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè),，即相比于自然狀態(tài)下，所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端在工作時會略微向上抬起,。本實施例,，使所述壓緊部在自然狀態(tài)下，遠(yuǎn)離所述連接板的一端朝背離所述擋板的一側(cè)斜向下延伸,，這樣,，可以使所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端在工作時仍然能夠可靠地抵設(shè)在所述igbt單管上。如圖2和圖3所示,，可選的,，所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接部31的一端設(shè)置有工裝槽321。本實施例,，可以通過所述工裝槽輔助抬起所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接部的一端,；具體的，可以將與所述工裝槽適配的工裝插入所述工裝槽內(nèi),，然后通過所述工裝向上勾起所述壓緊部的該端部,，就可以在該壓緊部的下方布置igbt單管了。本實施例中所述壓緊部上的工裝槽，與工裝相互配合可以極大的方便所述壓緊件的使用,，提高所述igbt單管的安裝效率,。如圖2和圖3所示，作為上述實施例的一可選實施方式,，在所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接板311的一端朝背離所述擋板11的一側(cè)斜向下延伸的情況下,，所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接部31的端部還斜向上翹起。IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。

    圖2是本實用新型的非絕緣雙塔型二極管模塊的結(jié)構(gòu)示意圖,。其中1—底板，2—上過渡層,，3—二極管芯片,，4一下過渡層，5—連接橋,，6—主電極,，61—過孔，7—絕緣體,，8—軟彈性膠,，9一外殼，91一定位凹槽,，具體實施方式見圖1所示的非絕緣雙塔型二極管模塊,，包括底板l,、二極管芯片3,、主電極6以及外殼9，底板1采用鍍鎳銅板或其它導(dǎo)電板,，而二極管芯片3的下端面通過下過渡層4固定連接在底板1上,，二極管芯片3的上端面通過上過渡層2與連接橋板5的一側(cè)固定連接，上過渡層2和下過渡層4均是能與二極管芯片3,、底板1以及連接橋板5連接的鉬片,、鎢片或可伐片等，通過上,、下過渡層使二極管芯片3可靠地與底板1和連接橋板5連接,，該連接可采用焊接或粘接等固定方式，特別是鉬片的熱膨脹系數(shù)接近于二極管芯片,，減少熱應(yīng)力,。本實用新型的連接橋板5是具有兩個以上折彎的條板，如圖2所示,，連接橋板5具有三折,，且連接橋板5為兩端平板中部凸起的梯形；或連接橋板5為兩端平板且中部凸起弓形；連接橋板5也可以是多折,，彎折后的連接橋板5能吸收和釋放機械應(yīng)力和熱應(yīng)力,，連接橋板5的另一側(cè)通過絕緣體7固定在底板1上，該絕緣體7是兩面涂有或覆有金屬層的陶瓷片,，可采用燒結(jié)或鍵合工藝制造,。晶閘管模塊應(yīng)用比較普遍，種類繁多,，如單向晶閘管,、雙向晶閘管、快速晶閘管等,。浙江有什么模塊進(jìn)貨價

廣泛應(yīng)用于伺服電機,、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域,。湖南模塊類型

    對等效MOSFET的控制能力降低,，通常還會引起器件擊穿問題。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為IGBT閂鎖,，具體地說,，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系,。通常情況下,，靜態(tài)和動態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn),，只在關(guān)斷時才會出現(xiàn)動態(tài)閂鎖,。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū)。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象,，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通,，分別改變布局和摻雜級別，降低NPN和PNP晶體管的總電流增益,。此外,，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此,，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切,；在結(jié)溫和增益提高的情況下，P基區(qū)的電阻率會升高,，破壞了整體特性,。因此，器件制造商必須注意將集電極比較大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例,，通常比例為1：5,。IGBT模塊五種不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路圖1.單管模塊,，1in1模塊單管模塊的內(nèi)部由若干個IGBT并聯(lián)，以達(dá)到所需要的電流規(guī)格,，可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管,。受機械強度和熱阻的限制，IGBT的管芯面積不能做得太**電流規(guī)格的IGBT需要將多個管芯裝配到一塊金屬基板上,。單管模塊外部標(biāo)簽上的等效電路如圖1所示,，副發(fā)射極（第二發(fā)射極）連接到柵極驅(qū)動電路，主發(fā)射極連接到主電路中,。湖南模塊類型

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司是一家從事IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器研發(fā),、生產(chǎn)、銷售及售后的貿(mào)易型企業(yè),。公司坐落在昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機電城北樓A201,，成立于2022-03-29。公司通過創(chuàng)新型可持續(xù)發(fā)展為重心理念,，以客戶滿意為重要標(biāo)準(zhǔn),。在孜孜不倦的奮斗下，公司產(chǎn)品業(yè)務(wù)越來越廣,。目前主要經(jīng)營有IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等產(chǎn)品,，并多次以電子元器件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、客戶需求定制多款多元化的產(chǎn)品,。我們以客戶的需求為基礎(chǔ),，在產(chǎn)品設(shè)計和研發(fā)上面苦下功夫,，一份份的不懈努力和付出,，打造了英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼產(chǎn)品。我們從用戶角度,，對每一款產(chǎn)品進(jìn)行多方面分析,，對每一款產(chǎn)品都精心設(shè)計、精心制作和嚴(yán)格檢驗,。IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器產(chǎn)品滿足客戶多方面的使用要求,，讓客戶買的放心,，用的稱心，產(chǎn)品定位以經(jīng)濟(jì)實用為重心,，公司真誠期待與您合作,，相信有了您的支持我們會以昂揚的姿態(tài)不斷前進(jìn)、進(jìn)步,。