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而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的,，又稱為FWD（續(xù)流二極管）,。二者內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同MOSFET的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G),。IGBT的三個(gè)極分別是集電極(C),、發(fā)射極(E)和柵極(G),。IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖：二者的應(yīng)用領(lǐng)域不同MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同,。由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大,，可以到上KA,，但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng),。其主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橛陂_關(guān)電源，鎮(zhèn)流器,，高頻感應(yīng)加熱,，高頻逆變焊機(jī)，通信電源等高頻電源領(lǐng)域,。IGBT可以做很大功率,，電流和電壓都可以，...

供電質(zhì)量好,，傳輸損耗小,，效率高，節(jié)約能源,，可靠性高,，容易組成N＋1冗余供電系統(tǒng)，擴(kuò)展功率也相對(duì)比較容易,。所以采用分布式供電系統(tǒng)可以滿足高可靠性設(shè)備的要求,。、單端反激式,、雙管正激式,、雙單端正激式、雙正激式,、推挽式,、半橋、全橋等八種拓?fù)?。單端正激式,、單端反激式、雙單端正激式,、推挽式的開關(guān)管的承壓在兩倍輸入電壓以上,，如果按60％降額使用，則使開關(guān)管不易選型,。在推挽和全橋拓?fù)渲锌赡艹霈F(xiàn)單向偏磁飽和,，2020-03-30led燈帶與墻之間的距離,在線等,速度是做沿邊吊頂嗎？吊頂寬300_400毫米,。燈帶是藏在里面的,！離墻大概有100毫米！2020-03-30接電燈的開關(guān)怎么接,大師速度來(lái)解答,兩...

對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt器件的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電流敏感器件的結(jié)構(gòu)圖,；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種kelvin連接示意圖,；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種檢測(cè)電流與工作電流的曲線圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖,；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖,；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖10...

晶閘管等元件通過(guò)整流來(lái)實(shí)現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多,，如：可關(guān)斷晶閘管GTO,，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管,，整流模塊,，功率模塊IGBT，SIT,，MOSFET等等,，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅,，通常人們都叫可控硅,。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高,，控制特性好,，壽命長(zhǎng)，體積小等優(yōu)點(diǎn),，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái),，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科,?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到,，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展。目前國(guó)內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A,，國(guó)外更大,。我國(guó)的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國(guó)自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極...

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體功率模塊,，如圖15所示,，半導(dǎo)體功率模塊50配置有上述igbt芯片51，還包括驅(qū)動(dòng)集成塊52和檢測(cè)電阻40,。具體地,，如圖16所示，igbt芯片51設(shè)置在dcb板60上,，驅(qū)動(dòng)集成塊52的out端口通過(guò)模塊引線端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接,，以便于驅(qū)動(dòng)工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20工作；si端口通過(guò)模塊引線端子521與檢測(cè)電阻40連接,，用于獲取檢測(cè)電阻40上的電壓,；以及，gnd端口通過(guò)模塊引線端子521與電流檢測(cè)區(qū)域的第1發(fā)射極單元101引出的導(dǎo)線522連接,，檢測(cè)電阻40的另一端還分別與電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域連接,，從而...

而是為了保護(hù)IGBT脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管）,。二者內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同MOSFET的三個(gè)極分別是源極(S),、漏極(D)和柵極(G)。IGBT的三個(gè)極分別是集電極(C),、發(fā)射極(E)和柵極(G),。IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖：二者的應(yīng)用領(lǐng)域不同MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同,。由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大,，可以到上KA,，但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。其主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橛陂_關(guān)電源,，鎮(zhèn)流器,，高頻感應(yīng)加熱,，高頻逆變焊機(jī),，通信電源等高頻電源領(lǐng)域。IGBT可以做很大功率,，電流和電壓都可以,，...

MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn),，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻,?？偟膩?lái)說(shuō),，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz,、上MHz,，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場(chǎng)合下表現(xiàn),，其導(dǎo)通電阻小,，耐壓高。選擇MOS管還是IGBT,？在電路中,，選用MOS管作為功率開關(guān)管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問(wèn)題,，如果從系統(tǒng)的電壓,、電流、切換功率等因素作為考慮,，可以總結(jié)出以下幾點(diǎn)：人們常問(wèn)：“是MOSFET好還是IGBT好,？”其實(shí)兩者沒(méi)有什么好壞之分，i主要的還是看其實(shí)際應(yīng)用情況,。關(guān)于MOSFET與IGBT的區(qū)別,，...

公共柵極單元與第1發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過(guò)刻蝕方式進(jìn)行隔開；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共集電極單元,；接地區(qū)域設(shè)置于第1發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處,；電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測(cè)電阻連接，以使檢測(cè)電阻上產(chǎn)生電壓,，并根據(jù)電壓檢測(cè)工作區(qū)域的工作電流,。本申請(qǐng)避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠睿岣吡藱z測(cè)電流的精度,。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體功率模塊,，與上述實(shí)施例提供的一種igbt芯片具有相同的技術(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問(wèn)題,，達(dá)到相同的技術(shù)效果,。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡(jiǎn)潔,，上述描述的半導(dǎo)體功率模塊的具體工作過(guò)程,，可以參考前述方法實(shí)施例...

具有門極輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小,、電流關(guān)斷能力強(qiáng),、開關(guān)速度快、開關(guān)損耗小等優(yōu)點(diǎn),。隨著下游應(yīng)用發(fā)展越來(lái)越快,，MOSFET的電流能力顯然已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)需求,。為了在保留MOSFET優(yōu)點(diǎn)的前提下降低器件的導(dǎo)通電阻,，人們?cè)?jīng)嘗試通過(guò)提高M(jìn)OSFET襯底的摻雜濃度以降低導(dǎo)通電阻,，但襯底摻雜的提高會(huì)降低器件的耐壓。這顯然不是理想的改進(jìn)辦法,。但是如果在MOSFET結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上引入一個(gè)雙極型BJT結(jié)構(gòu),，就不僅能夠保留MOSFET原有優(yōu)點(diǎn)，還可以通過(guò)BJT結(jié)構(gòu)的少數(shù)載流子注入效應(yīng)對(duì)n漂移區(qū)的電導(dǎo)率進(jìn)行調(diào)制,，從而有效降低n漂移區(qū)的電阻率,，提高器件的電流能力。經(jīng)過(guò)后續(xù)不斷的改進(jìn),，目前IGBT已經(jīng)能夠覆蓋從60...

不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓,，總有一個(gè)pn結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏,、源極間沒(méi)有導(dǎo)電溝道,，器件無(wú)法導(dǎo)通。但如果VGS正向足夠大,，此時(shí)柵極G和襯底p之間的絕緣層中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng),，方向從柵極指向襯底，電子在該電場(chǎng)的作用下聚集在柵氧下表面,，形成一個(gè)N型薄層(一般為幾個(gè)nm),，連通左右兩個(gè)N+區(qū)，形成導(dǎo)通溝道,，如圖中黃域所示,。當(dāng)VDS＞0V時(shí)，N-MOSFET管導(dǎo)通,，器件工作,。了解完以PNP為例的BJT結(jié)構(gòu)和以N-MOSFET為例的MOSFET結(jié)構(gòu)之后，我們?cè)賮?lái)看IGBT的結(jié)構(gòu)圖↓IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號(hào)黃塊表示IGBT導(dǎo)通時(shí)形成的溝道,。首先看黃色虛線部分,，細(xì)看之下是不是有一絲熟悉...

晶閘管等元件通過(guò)整流來(lái)實(shí)現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多,，如：可關(guān)斷晶閘管GTO,，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管,，整流模塊,，功率模塊IGBT，SIT,，MOSFET等等,，這里只探討晶閘管,。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅,。是一種功率半導(dǎo)體器件,，由于它效率高，控制特性好,，壽命長(zhǎng),，體積小等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái),，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”,。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好,，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展,。目前國(guó)內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A,，國(guó)外更大。我國(guó)的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國(guó)自行研制的大功率晶閘管,。晶閘管的應(yīng)用：一,、可控整流如同二極...

公共柵極單元100與第1發(fā)射極單元101和第二發(fā)射極單元201之間通過(guò)刻蝕方式進(jìn)行隔開；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20的公共集電極單元200,；接地區(qū)域30則設(shè)置于第1發(fā)射極單元101內(nèi)的任意位置處,；電流檢測(cè)區(qū)域20和接地區(qū)域30分別用于與檢測(cè)電阻40連接，以使檢測(cè)電阻40上產(chǎn)生電壓,，并根據(jù)電壓檢測(cè)工作區(qū)域10的工作電流,。具體地，工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20具有公共柵極單元100和公共集電極單元200,，此外,，電流檢測(cè)區(qū)域20還具有第二發(fā)射極單元201和第三發(fā)射極單元202，檢測(cè)電阻40則分別與第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域30連接,。此時(shí),，在電流檢測(cè)過(guò)程中，工作區(qū)域10由公...

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用,?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJ...

并在檢測(cè)電阻40上得到檢測(cè)信號(hào)。因此,，這種將檢測(cè)電阻40通過(guò)引線直接與主工作區(qū)的源區(qū)金屬相接,，可以避免主工作區(qū)的工作電流接地電壓對(duì)測(cè)試的影響。但是,，這種方式得到的檢測(cè)電流曲線與工作電流曲線并不對(duì)應(yīng),，如圖4所示，得到的檢測(cè)電流與工作電流的比例關(guān)系不固定,，在大電流時(shí),，檢測(cè)電流與工作電流的偏差較大，此時(shí),，電流傳感器1的靈敏性較低,，從而導(dǎo)致檢測(cè)電流的精度和敏感性比較低。針對(duì)上述問(wèn)題,，本發(fā)明實(shí)施例提供了igbt芯片及半導(dǎo)體功率模塊,，避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠睿岣吡藱z測(cè)電流的精度,。為便于對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行理解,，下面首先對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片進(jìn)行詳細(xì)介紹。實(shí)施例一：本發(fā)明實(shí)施例...

MOS管和IGBT管作為開關(guān)元件,，在電子電路中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),，它們?cè)谕庑渭疤匦詤?shù)上也比較相似,，相信有不少人會(huì)疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管，而有的卻需要用到IGBT管,？它們之間有何區(qū)別呢,？接下來(lái)冠華偉業(yè)為你解惑！何為MOS管,？MOS管即MOSFET,，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型,，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,。MOS管本身自帶有寄生二極管，作用是防止VDD過(guò)壓的情況下,，燒壞mos管,，因?yàn)樵谶^(guò)壓對(duì)MOS管造成破壞之前...

對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt器件的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電流敏感器件的結(jié)構(gòu)圖,；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種kelvin連接示意圖,；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種檢測(cè)電流與工作電流的曲線圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖,；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖,；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖,；圖10...

IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級(jí)別的芯片可幫助模塊制造商提高產(chǎn)品集成度和功率密度,，并有效節(jié)約電路板空間,。另外，英飛凌還提供完善的單獨(dú)塑封IGBT系列：IGBT單管,。該系列芯片包括單片IGBT,，以及和續(xù)流二極管集成封裝的產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通用逆變器,、太陽(yáng)能逆變器,、不間斷電源（UPS）、感應(yīng)加熱設(shè)備、大型家電,、焊接以及開關(guān)電源（SMPS）等領(lǐng)域,。單管IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效,、降低散熱需求,，從而有效降低整體系統(tǒng)成本。功率模塊是比分立式IGBT規(guī)模稍大的產(chǎn)品類型,，用于構(gòu)造電力電子設(shè)備的基本單元,。這類模塊通常由IGBT和二極管組成，可有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),。而即用型組...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊,。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器,，變頻家電等領(lǐng)域。目錄1特點(diǎn)2應(yīng)用3注意事項(xiàng)4發(fā)展趨勢(shì)IGBT功率模塊特點(diǎn)編輯igbt功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單,，開關(guān)損耗小,，通斷速度快，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點(diǎn)于一體化,。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點(diǎn)非常顯著的特性,，近西門子公司又推出低飽和壓降（...

所以包裝時(shí)將g極和e極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料,，將它短接。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸,，直到g極管腳進(jìn)行長(zhǎng)久性連接,。b、主電路用螺絲擰緊,，控制極g要用插件,，盡可能不用焊接方式。c、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái),，接地地面,，接地腕帶等防靜電措施。d,、儀器測(cè)量時(shí),，將1000電阻與g極串聯(lián)。e,、要在無(wú)電源時(shí)進(jìn)行安裝,。f,焊接g極時(shí)，電烙鐵要停電并接地,，選用定溫電烙鐵合適,。當(dāng)手工焊接時(shí)，溫度2601c15'c.時(shí)間（10士1）秒,，松香焊劑,。波峰焊接時(shí)，pcb板要預(yù)熱80'c-]05'c,在245℃時(shí)浸入焊接3-4IGBT功率模塊發(fā)展趨勢(shì)編輯igbt發(fā)展趨向是高耐壓,、大電流,、高速度、低壓降,、高可靠,、低成本為目...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),，igbt的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),，變頻器,，變頻家電等領(lǐng)域。目錄1特點(diǎn)2應(yīng)用3注意事項(xiàng)4發(fā)展趨勢(shì)IGBT功率模塊特點(diǎn)編輯igbt功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單,，開關(guān)損耗小,，通斷速度快，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點(diǎn)于一體化,。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz）,，這兩點(diǎn)非常顯著的特性，近西門子公司又推出低飽和壓降（...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊,。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),，igbt的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域,。目錄1特點(diǎn)2應(yīng)用3注意事項(xiàng)4發(fā)展趨勢(shì)IGBT功率模塊特點(diǎn)編輯igbt功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小,，控制電路簡(jiǎn)單,，開關(guān)損耗小，通斷速度快,，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點(diǎn)于一體化,。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz）,，這兩點(diǎn)非常顯著的特性,，近西門子公司又推出低飽和壓降（...

IGBT模塊旁的續(xù)流二極管續(xù)流二極管二極管通常是指反向并聯(lián)在IGBT模塊兩端的一個(gè)二極管,它的作用是在電路中電壓或電流出現(xiàn)突變時(shí),對(duì)電路中其它元件起保護(hù)作用。如在變頻驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)運(yùn)行時(shí),，與IGBT并聯(lián)的快恢復(fù)二極管使IGBT在關(guān)斷時(shí)電動(dòng)機(jī)定子繞組中的儲(chǔ)存的能量能提供一個(gè)繼續(xù)流通的路徑，避免激起高壓損壞IGBT,。二極管除繼續(xù)流通正向電流外,，更重要的反向恢復(fù)特性，因?yàn)樗苯雨P(guān)系到逆變橋上下臂IGBT換流時(shí)的動(dòng)態(tài)特性,。對(duì)于感性負(fù)載而言,，由于感生電壓的存在，在IGBT的S或D極結(jié)點(diǎn)上,，總會(huì)有流入和流出的電流存在,。那個(gè)二極管就負(fù)責(zé)流出電流通路的。從IGBT的結(jié)構(gòu)原理可知,，它只能單向?qū)?。另一個(gè)方向...

20-電流檢測(cè)區(qū)域；201-第二發(fā)射極單元,；202-第三發(fā)射極單元,；30-接地區(qū)域；100-公共柵極單元；200-公共集電極單元,；40-檢測(cè)電阻,；2-第1發(fā)射極單元金屬；3-空穴收集區(qū)電極金屬,；4-氧化物,；5-多晶硅；6-n+源區(qū),；7-p阱區(qū),；8-空穴收集區(qū)；9-n型耐壓漂移層,；11-p+區(qū),；12-公共集電極金屬；13-接觸多晶硅,；50-半導(dǎo)體功率模塊,；51-igbt芯片；52-驅(qū)動(dòng)集成塊,；521-模塊引線端子,；522-導(dǎo)線；60-dcb板,。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的,、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚,、完整地描述,，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部...

一,、IGBT是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。通俗來(lái)講:IGBT是一種大功率的電力電子器件,，是一...

igbt芯片的邊緣還設(shè)置有終端保護(hù)區(qū)域，其中,，終端保護(hù)區(qū)域包括在n型耐壓漂移層上設(shè)置的多個(gè)p+場(chǎng)限環(huán)或p型擴(kuò)散區(qū),；從而通過(guò)多個(gè)p+場(chǎng)限環(huán)或p型擴(kuò)散區(qū)對(duì)igbt芯片進(jìn)行耐壓保護(hù)，在實(shí)際應(yīng)用中,，由于p+場(chǎng)限環(huán)或p型擴(kuò)散區(qū)的數(shù)量與igbt芯片的電壓等級(jí)有關(guān),，因此，關(guān)于p+場(chǎng)限環(huán)或p型擴(kuò)散區(qū)的數(shù)量,，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限制說(shuō)明,。具體地，圖7示出了一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)圖,，如圖7所示,，第1發(fā)射極單元金屬2為第1發(fā)射極單元101在第1表面中的設(shè)置位置，空穴收集區(qū)電極金屬3為電流檢測(cè)區(qū)域20的電極空穴收集區(qū)在第1表面中的設(shè)置位置,。當(dāng)改變電流檢測(cè)區(qū)域20的形狀時(shí),，如指狀或者梳妝時(shí)，igbt芯片的表...

20-電流檢測(cè)區(qū)域,；201-第二發(fā)射極單元,；202-第三發(fā)射極單元；30-接地區(qū)域,；100-公共柵極單元,；200-公共集電極單元；40-檢測(cè)電阻,；2-第1發(fā)射極單元金屬,；3-空穴收集區(qū)電極金屬；4-氧化物,；5-多晶硅；6-n+源區(qū),；7-p阱區(qū),；8-空穴收集區(qū)；9-n型耐壓漂移層,；11-p+區(qū),；12-公共集電極金屬；13-接觸多晶硅,；50-半導(dǎo)體功率模塊,；51-igbt芯片,；52-驅(qū)動(dòng)集成塊；521-模塊引線端子,；522-導(dǎo)線,；60-dcb板。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的,、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,，顯然,，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),，igbt的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),，變頻器,，變頻家電等領(lǐng)域。目錄1特點(diǎn)2應(yīng)用3注意事項(xiàng)4發(fā)展趨勢(shì)IGBT功率模塊特點(diǎn)編輯igbt功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單,，開關(guān)損耗小,，通斷速度快，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點(diǎn)于一體化,。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點(diǎn)非常顯著的特性,，近西門子公司又推出低飽和壓降（...

分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth,，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài),。②若柵-射極電壓UGE＞Uth,，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）,。此時(shí),，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值,，使IGBT通態(tài)壓降降低,。IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過(guò)去幾十年的發(fā)展,，1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO，該時(shí)段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很??；電流控制，控制電路復(fù)雜且功耗大,；1970年代單極型器件VD-MOSFET,。但隨著終端應(yīng)用的需求，需要一種新功率器件能同時(shí)滿足：驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,以降低成本與開關(guān)功耗,、通態(tài)壓降較低,，以減小器件自身的功耗。1980年...

以及測(cè)試電壓vs的影響而產(chǎn)生信號(hào)的失真,，即避免了公共柵極單元100因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠?，從而提高了檢測(cè)電流的精度。本發(fā)明實(shí)施例提供的igbt芯片,，在igbt芯片上設(shè)置有：工作區(qū)域,、電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域；igbt芯片還包括第1表面和第二表面,，且,，第1表面和第二表面相對(duì)設(shè)置；第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共柵極單元,，以及,，工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元,，其中,，第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接，公共柵極單元與第1發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過(guò)刻蝕方式進(jìn)行隔開,；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共集電極單元,；接地區(qū)域設(shè)置于第...

具有門極輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小,、電流關(guān)斷能力強(qiáng),、開關(guān)速度快、開關(guān)損耗小等優(yōu)點(diǎn),。隨著下游應(yīng)用發(fā)展越來(lái)越快,，MOSFET的電流能力顯然已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)需求。為了在保留MOSFET優(yōu)點(diǎn)的前提下降低器件的導(dǎo)通電阻,，人們?cè)?jīng)嘗試通過(guò)提高M(jìn)OSFET襯底的摻雜濃度以降低導(dǎo)通電阻，但襯底摻雜的提高會(huì)降低器件的耐壓,。這顯然不是理想的改進(jìn)辦法,。但是如果在MOSFET結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上引入一個(gè)雙極型BJT結(jié)構(gòu),，就不僅能夠保留MOSFET原有優(yōu)點(diǎn)，還可以通過(guò)BJT結(jié)構(gòu)的少數(shù)載流子注入效應(yīng)對(duì)n漂移區(qū)的電導(dǎo)率進(jìn)行調(diào)制,，從而有效降低n漂移區(qū)的電阻率,，提高器件的電流能力。經(jīng)過(guò)后續(xù)不斷的改進(jìn),，目前IGBT已經(jīng)能夠覆蓋從60...