可控硅可控硅簡稱SCR,,是一種大功率電器元件,,也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高、壽命長等優(yōu)點,。在自動控制系統(tǒng)中,,可作為大功率驅(qū)動器件,實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接,,這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋F渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通,。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,,因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點,。GTR飽和壓降低,載流密度大,,但驅(qū)動電流較大,;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,,但導通壓降大,,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,,驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域,。在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,,允許通過陰極和陽極的電流平均值,。定制可控硅工廠直銷
即導通角為180°(或p),。正是由于正弦波被切割、波形遭受破壞,會給電網(wǎng)帶來干擾等問題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施,,努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾,。可控硅的作用可控硅的作用之一就是可控整流,,這也是可控硅基本也重要的作用,。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,并沒有實現(xiàn)可控,,而一旦把二極管換做可控硅,,便構(gòu)成了一個可控整流電路。在一個基本的單相半波可控整流電路中,,當正弦交流電壓處于正半周時,,只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時,可控硅才被觸發(fā)導通,,負載上才會有電壓輸出,,因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時間,來進一步調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值,,達到可控整流的作用,。可控硅的作用之二就是用作無觸點開關(guān),,經(jīng)常用于自動化設(shè)備中,,代替通用繼電器,具有無噪音,、壽命長的特點,。可控硅的作用三:開關(guān)和調(diào)壓作用可控硅的作用之三就是起到開關(guān)和調(diào)壓的作用,,經(jīng)常應(yīng)用于交流電路中,,由于其被觸發(fā)時間不同,因此通過它的電流只有其交流周期的一部分,,通過它的電壓只有全電壓的一部分,,因而起到調(diào)節(jié)輸出電壓的作用。定制可控硅工廠直銷可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,,2.門極伏安特性區(qū),。
可控硅又稱晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導體器件,,其主要的功能是功率控制,。可控硅可分為單向可控硅,、雙向可控硅,、可關(guān)斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向?qū)щ娦?,以小電流控制大電流,,以低電壓控制高電壓??煽毓杩梢杂萌f用表進行檢測,。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),,形成3個PN結(jié),,具有3個外電極:陽極A、陰極K,、控制極G,。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時,,萬用表置于“Rx10Ω”檔,,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內(nèi)電池負極)接單向可控硅的陰極K,,這時測量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,,應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示,。對調(diào)兩表筆后,,測其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些,。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,,紅表筆改接單向可控硅的陽極A,阻值應(yīng)為無窮大,,如下圖所示。對調(diào)兩表筆后,,再測,,阻值仍應(yīng)為無窮大。這是因為G,、A間為兩個PN結(jié)反向串聯(lián),,正常情況下其正、反向阻值均為無窮大,。二,、檢測單向晶閘管導通特性萬用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽極A,,紅表筆接單向可控硅陰極K,,表針應(yīng)指示為無窮大,。這是用金屬導體將控制極G與陽極A短接一下(短接后馬上斷開)。
一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二,、三,、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。可畫出圖1的等效電路圖,。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓E,,又在控制極G和陰極C之間(相當BG2的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號,BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,,經(jīng)放大,,BG2將有一個放大了β2倍的集電極電流IC2。因為BG2集電極與BG1基極相連,,IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,,直到BG1,、BG2完全導通。事實上這一過程是“一觸即發(fā)”的,,對可控硅來說,,觸發(fā)信號加到控制極,可控硅立即導通,。導通的時間主要決定于可控硅的性能,。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后,,由于循環(huán)反饋的原因,,流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),,這一電流遠大于Ib2,足以保持BG2的持續(xù)導通,。此時觸發(fā)信號即使消失,,可控硅仍保持導通狀態(tài),,只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導通的小值時,,可控硅方可關(guān)斷。當然,,如果E極性反接,。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。
第三層P型半導體引出的電極叫控制極G,,第四層N型半導體引出的電極叫陰極K,。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個控制極G,,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年,,因為它的特性類似于真空閘流管,,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T,,又因為晶閘管初的在靜止整流方面,,所以又被稱之為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR,。在性能上,,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性,。它只有導通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備,,如果超過此功率,,因元件開關(guān)損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,,此時,,標稱電流應(yīng)降級使用??煽毓璧膬?yōu)點很多,,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,;反應(yīng)極快,,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷,;無觸點運行,,無火花,、無噪音;效率高,,成本低等等,。可控硅的弱點:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,;容易受干擾而誤導通,。可控硅從外形上分類主要有:螺栓形,、平板形和平底形,??煽毓柙慕Y(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC,。定制可控硅工廠直銷
它具有體積小,、效率高、壽命長等優(yōu)點,。在自動控制系統(tǒng)中,,大功率驅(qū)動器件,實現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備,。定制可控硅工廠直銷
若測得元件陰陽極正反向已短路,,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,,或控制極與陰極斷路,,說明元件已損壞??煽毓韫ぷ髟硎鞘裁?(圖)可控硅工作原理是什么?(圖)可控硅相當于可以控制的二極管,,當控制極加一定的電壓時,陰極和陽極就導通了,??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,都是三個電極,。單向可控硅有陰極(K),、陽極(A)、控制極(G),。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,,其引出端稱T2極,,剩下則為控制極(G)。1,、單,、雙向可控硅的判別:先任測兩個極,若正,、反測指針均不動(R×1擋),,可能是A、K或G,、A極(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2,、G極(對雙向可控硅),。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,,則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,,剩下即為A極,。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,,則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測,其中必有一次阻值稍大,,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,,余下是T2極,。2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,,黑筆同時接通G,、A極。定制可控硅工廠直銷
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