IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),、變頻器,、變頻家電等領(lǐng)域。

IGBT功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小,，通斷速度快,，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn),。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開(kāi)關(guān)頻率高（可達(dá)20khz）,，這兩點(diǎn)非常顯著的特性，**近西門(mén)子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳,，相繼東芝,、富士、ir,摩托羅拉亦已在開(kāi)發(fā)研制新品種,。應(yīng)用編輯 IGBT其外部有三個(gè)電極,，分別為G-柵極，C-集電極,，E-發(fā)射極,。模塊排行榜

    l輸入電壓380V±10%l頻率50HZ；l輸出電壓500～1500V可調(diào)（可多個(gè)電源組成）l輸出電流10A,；l電壓控制精度1%l電壓調(diào)整率<,；l紋波電壓<1%；l工作溫度室溫～40℃,；l保護(hù)有過(guò)壓,、過(guò)流、短路保護(hù)功能,。2）直流電容器分為支撐電容,、儲(chǔ)能電容，分別用于補(bǔ)償充電和實(shí)驗(yàn)時(shí)的大電流放電,，滿足動(dòng)態(tài)測(cè)試,、短路電流、反偏安全工作區(qū)的測(cè)試需求,。至少包含8mF的容量,。l單體電容容量1mFl額定電壓3300Vl脈沖電流1kAl工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%3）動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感l(wèi)電感量20μH、50μH100μH200μH500μH1000μH,、2000μHl電流通過(guò)選擇不同檔位電感,，滿足0~1kA電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于3300Vl負(fù)載電感配備自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)，可分別接通不同電感值,，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通,；自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配,。4）安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感l(wèi)電感量1mH、10mH,、50mH,、100mHl電流通過(guò)選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于10kVl負(fù)載電感配備自動(dòng)切換開(kāi)關(guān),，可分別接通不同電感值,，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通；自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配,。5）補(bǔ)充充電回路限流電感限制充電回路中的di/dt,。l電感量100μHl電流能力6000A。云南常規(guī)模塊1974年,，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成,。

    (如BSM、FF,、FZ,、FP系列)三菱MitsubishiCM系列標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊、PM系列智能IGBT東芝TOSHIBAMG系列IGBT模塊,、MIG系列智能IGBT西門(mén)康SEMIKRONSKM系列600V,、1200V、1700VIGBT模塊富士FUJI標(biāo)準(zhǔn)IGBT(1MBI,、2MBI,、6MBI),智能IPM(6MBP、7MBP,、7MBR),,、1200V各種規(guī)格IGBT單管東芝TOSHIBAGT系列900V、1500VIGBT單管仙童FairchildSGH,、SGL,、FGL系列600V,、1200V,、1500V、1700VIGBT單管富士FUJI1MBH,、1MBK系列600V,、1200VIGBT單管、6ED系列IGBT驅(qū)動(dòng)板三菱MitsubishiIGBT驅(qū)動(dòng)厚膜電路如M57962L,、M57962AL,、M57959西門(mén)康SEMIKRONSKYPER、SKHI系列IGBT驅(qū)動(dòng)板富士FUJIEXB841,、EXB840瑞士CONCEPT1GD,、1HD、2SD、6SD系列IGBT驅(qū)動(dòng)板美國(guó)IRIGBT驅(qū)動(dòng)電路IR2110,、IR21304.進(jìn)口可控硅模塊,、二極管模塊優(yōu)派克EUPECTT、TZ,、TD,、DT、DD,、DZ系列可控硅二極管模塊西門(mén)康SEMIKRONSKKT,、SKKH、SKKL,、SKKD,、SKET、SKKE系列可控硅二極管模塊德國(guó)IXYSMCC,、MCD,、MDC可控硅模塊；MDD二極管模塊,；MCO大電流水冷系列三社SanRexPK,、PD、PE,、KK系列可控硅模塊,。

    1～1200AVge柵極電壓-30V～30V-30～0V±1%±；0～+30V±1%±-30V～30VQg柵極電荷400~20000nCIg:0～50A±3%±400~20000nCtd(on),、td(off)開(kāi)通/關(guān)斷延遲10～1000ns10~200±2%±2ns,；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降時(shí)間10～1000ns10~200±2%±2ns,；200~1000±2%±5ns,；Eon、Eoff開(kāi)通/關(guān)斷能量1～5000mJ1～50mJ±2%±,；50～200mJ±2%±1mJ,；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ,；表格5二極管反向恢復(fù)測(cè)試主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vcc二極管電壓50～1500V200～500V±3%±1V,；500～1500V±2%±2V；200～1500VIRM反向恢復(fù)電流50～1200A50～200A±3%±1A,；50～1200AQrr反向關(guān)斷電荷1～20000μC50～200μC±3%±1μC,；200～1000μC±3%±2μC；1000～5000μC±2%±5μC,；5000～20000μC±2%±10μC,；1～20000μCtrr反向恢復(fù)時(shí)間20～2000ns20~100±3%±1ns,；100~500±3%±2ns；500~2000±2%±5ns,；20～2000nsErec反向關(guān)斷能量損失1～5000mJ1～50mJ±3%±,；50～200mJ±3%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ,；1000～5000mJ±1%±5mJ1～5000mJ表格6IGBT短路測(cè)試主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件Vce集射極電壓150～1500V150～1000V±2%±2V,；1000～3300V±1%±5V。IGBT模塊具有節(jié)能,、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。

IGBT由柵極（G）,、發(fā)射（E）和集電極（C）三個(gè)極控制,。如圖1，IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。反之,，加反向門(mén)極電壓消除溝道,，切斷基極電，使IGBT關(guān)斷,。由圖2可知,，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通,，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給,，使得晶體管截止,。IGBT模塊又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開(kāi)關(guān)頻率高（可達(dá)20khz）,，這兩點(diǎn)非常顯著的特性.上海模塊檢測(cè)

要弄明白IGBT模塊,，就要先了解新能源汽車(chē)的電驅(qū)系統(tǒng)。模塊排行榜

    分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth,，溝道不能形成,，IGBT呈正向阻斷狀態(tài),。②若柵-射極電壓UGE＞Uth,，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）,。此時(shí),，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低,。IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過(guò)去幾十年的發(fā)展,，1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO，該時(shí)段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很??；電流控制，控制電路復(fù)雜且功耗大,；1970年代單極型器件VD-MOSFET,。但隨著終端應(yīng)用的需求，需要一種新功率器件能同時(shí)滿足：驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,以降低成本與開(kāi)關(guān)功耗,、通態(tài)壓降較低,，以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來(lái)的研究,，導(dǎo)致了IGBT的發(fā)明,。1985年前后美國(guó)GE成功試制工業(yè)樣品（可惜后來(lái)放棄）。自此以后,，IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進(jìn),。從結(jié)構(gòu)上講，IGBT主要有三個(gè)發(fā)展方向：1）IGBT縱向結(jié)構(gòu)：非透明集電區(qū)NPT型,、帶緩沖層的PT型,、透明集電區(qū)NPT型和FS電場(chǎng)截止型；2）IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機(jī)構(gòu),、Trench溝槽型結(jié)構(gòu),；3）硅片加工工藝：外延生長(zhǎng)技術(shù)、區(qū)熔硅單晶,；其發(fā)展趨勢(shì)是：①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗＝通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開(kāi)關(guān)損耗(EoffEon),。模塊排行榜

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