7)固定在底板(1)上，頂部具有定位凹槽的外殼(9)固定在底板(1)上,；所述的主電極(6)為兩個(gè)以上折邊的條板,，主電極(6)的內(nèi)側(cè)與連接橋板(5)固定連接，主電極(6)的另一側(cè)穿出外殼(9)并覆在外殼(9)頂部,，且覆在外殼(9)頂部的主電極(6)上設(shè)有過孔(61)并與殼體(9)上的定位凹槽(91)對應(yīng),，下過渡層(4),、二極管芯片(3)、上過渡層(2),、連接橋板(5),、絕緣體(7)的外周以及主電極(6)的一側(cè)灌注軟彈性膠(8)密封。2,、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,，其特征在于所述的連接橋板(5)為兩端平板中部凸起的梯形。3,、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,，其特征在于所述的連接橋板(5)為兩端平板且中部凸起弓形。4,、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,，其特征在于所述外殼(9)頂部的定位凹槽(91)的槽邊至少設(shè)有兩個(gè)平行的平面，且下部設(shè)有過孔,。5,、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特征在于所述的絕緣體(7)是兩面涂有或覆有金屬層的陶瓷片,。6,、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特征在于所述的上過渡層(2)為鉬片或鎢片或可伐片,。7,、根據(jù)權(quán)利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特征在于所述的下過渡層(4)為鉬片或鎢片或可伐片,。1979年,，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。四川本地模塊

    可通過連接橋板的變形來釋放所受到的應(yīng)力,，加之主電極也為折彎的條板,，主電極的一側(cè)固定連接在連接橋板上，使主電極也能釋放機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,，因此可通過連接橋板以及主電極降低二極管芯片的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,，有效地降低了二極管在長期工作中因機(jī)械震動(dòng)以及發(fā)熱所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力。2,、本實(shí)用新型由于在殼體的頂部設(shè)有用于緊固件定位用的定位凹槽,，而覆在殼體頂部的主電極上設(shè)有過孔并與殼體上的定位凹槽對應(yīng)，由于螺釘安裝時(shí)的力矩方向?yàn)樗椒较?，因此在模塊裝配及電極裝配的過程中,，主電極不再受外部機(jī)械應(yīng)力的影響，故二極管芯片沒有機(jī)械應(yīng)力的作用,，在工作運(yùn)行時(shí)也不會(huì)受到機(jī)械應(yīng)力的影響,，提高了二極管工作可靠性,。3、本實(shí)用新型通過軟彈性膠對下過渡層,、二極管芯片,、上過渡層、連接橋板,、絕緣體以及主電極灌注密封,，因此二極管芯片能通過軟彈性膠進(jìn)行保護(hù)，不僅使連接橋板和主電極能釋放因振動(dòng)而產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力以及工作中所產(chǎn)生的熱應(yīng)力,，而且通過軟彈性膠使熱應(yīng)力不會(huì)作用于二極管芯片上,，因此二極管工作可靠性得到很大提高。以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)描述,。圖1是已有非絕緣雙塔型二極管模塊的結(jié)構(gòu)示意圖,。湖南模塊裝潢可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。

    會(huì)使二極管芯片承受外力而損傷,，造成二極管特性變壞,，降低工作可靠性。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種在安裝以及運(yùn)行過程中能降低二極管芯片的機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力,，能提高二極管工作可靠性的非絕緣雙塔型二極管模塊,。本實(shí)用新型為達(dá)到上述目的的技術(shù)方案是一種非絕緣雙塔型二極管模塊，包括底板,、二極管芯片,、主電極以及外殼，其特征在于所述二極管芯片的下端面通過下過渡層固定連接在底板上,，二極管芯片的上端面通過上渡層與連接橋板的一側(cè)固定連接，連接橋板是具有兩個(gè)以上折彎的條板,，連接橋板的另一側(cè)通過絕緣體固定在底板上,，頂部具有定位凹槽的外殼固定在底板上；所述的主電極為兩個(gè)以上折邊的條板,，主電極的內(nèi)側(cè)與連接橋板固定連接,，主電極的另一側(cè)穿出外殼并覆在外殼頂部，且覆在外殼頂部的主電極上設(shè)有過孔與殼體上的定位凹槽對應(yīng),，下過渡層,、二極管芯片、上過渡層,、連接橋板,、絕緣體的外周以及主電極的一側(cè)灌注軟彈性膠密封。本實(shí)用新型采用上述技術(shù)方案后具有以下的優(yōu)點(diǎn)1,、本實(shí)用新型將具有折彎的連接橋板的兩側(cè)分別固定在二極管芯片和主極板之間,，而二極管芯片和連接橋板的一側(cè)分別連接在底板上,，當(dāng)二極管受到機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力后。

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域,。

IGBT功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小,，控制電路簡單,，開關(guān)損耗小，通斷速度快,，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化,。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達(dá)20khz）,，這兩點(diǎn)非常顯著的特性,，**近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-IGBT性能更佳，相繼東芝,、富士,、ir,摩托羅拉亦已在開發(fā)研制新品種。應(yīng)用編輯 要弄明白IGBT模塊,，就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng),。

    與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。igbt的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓,。igbt驅(qū)動(dòng)電路圖：igbt驅(qū)動(dòng)電路圖一igbt驅(qū)動(dòng)電路圖二igbt驅(qū)動(dòng)電路圖三igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到***的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外,，IGBT驅(qū)動(dòng)器的作用對整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要,。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致IGBT和驅(qū)動(dòng)器損壞,。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考,。IGBT的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT門極電容分布示意圖,。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,，Ugs 越高， Id 越大,。貿(mào)易模塊大概價(jià)格多少

后來,，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個(gè)***改進(jìn)。四川本地模塊

    1～1200AVge柵極電壓-30V～30V-30～0V±1%±,；0～+30V±1%±-30V～30VQg柵極電荷400~20000nCIg:0～50A±3%±400~20000nCtd(on),、td(off)開通/關(guān)斷延遲10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr,、tf上升/下降時(shí)間10～1000ns10~200±2%±2ns,；200~1000±2%±5ns；Eon,、Eoff開通/關(guān)斷能量1～5000mJ1～50mJ±2%±；50～200mJ±2%±1mJ,；200～1000mJ±2%±2mJ,；1000～5000mJ±1%±5mJ；表格5二極管反向恢復(fù)測試主要參數(shù)測試范圍精度要求測試條件Vcc二極管電壓50～1500V200～500V±3%±1V,；500～1500V±2%±2V,；200～1500VIRM反向恢復(fù)電流50～1200A50～200A±3%±1A；50～1200AQrr反向關(guān)斷電荷1～20000μC50～200μC±3%±1μC,；200～1000μC±3%±2μC,；1000～5000μC±2%±5μC,；5000～20000μC±2%±10μC；1～20000μCtrr反向恢復(fù)時(shí)間20～2000ns20~100±3%±1ns,；100~500±3%±2ns,；500~2000±2%±5ns；20～2000nsErec反向關(guān)斷能量損失1～5000mJ1～50mJ±3%±,；50～200mJ±3%±1mJ,；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ1～5000mJ表格6IGBT短路測試主要參數(shù)測試范圍精度要求測試條件Vce集射極電壓150～1500V150～1000V±2%±2V,；1000～3300V±1%±5V,。四川本地模塊

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