IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器,、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能,、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,，一般所說的IGBT也指IGBT模塊,；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見,。IGBT模塊連接圖IGBT模塊的安裝：為了使接觸熱阻變小,，推薦在散熱器與IGBT模塊的安裝面之間涂敷散熱絕緣混合劑。涂敷散熱絕緣混合劑時(shí),，在散熱器或IGBT模塊的金屬基板面上涂敷,。如圖1所示。隨著IGBT模塊與散熱器通過螺釘夾緊,，散熱絕緣混合劑就散開,，使IGBT模塊與散熱器均一接觸。上圖：兩點(diǎn)安裝型模塊下圖：一點(diǎn)安裝型模塊圖1散熱絕緣混合劑的涂敷方法涂敷同等厚度的導(dǎo)熱膏（特別是涂敷厚度較厚的情況下）可使無銅底板的模塊比有銅底板散熱的模塊的發(fā)熱更嚴(yán)重,，**終引至模塊的結(jié)溫超出模塊的安全工作的結(jié)溫上限（Tj《125℃或125℃）,。因?yàn)樯崞鞅砻娌黄秸鸬膶?dǎo)熱膏的厚度增加，會(huì)增大接觸熱阻,，從而減慢熱量的擴(kuò)散速度,。IGBT模塊安裝時(shí),，螺釘?shù)膴A緊方法如圖2所示。另外,。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通,。四川模塊廠家電話

    也可以用模塊中的2個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊,，即將分別將G1和G3、G2和G4,、E1和E3,、E2和E4、E1C2和E3短接,。4.三相橋模塊,，6in1模塊三相橋（3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊,，用于直接構(gòu)成三相橋電路,，也可以將模塊中的3個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領(lǐng)域是變頻器和三相UPS,、三相逆變器,，不同的應(yīng)用對IGBT的要求有所不同，故制造商習(xí)慣上會(huì)推出以實(shí)際應(yīng)用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊,，如3-Phaseinvertermodule（三相逆變器模塊）等,。，CBI模塊,，7in1模塊歐美廠商一般將包含圖6所示的7in1模塊稱為CBI模塊（Converter-Brake-InverterModule,，整流-剎車-逆變）模塊，日系廠商則習(xí)慣稱其為PIM模塊,。圖67in1模塊內(nèi)部的等效電路制造商一般都會(huì)分別給出模塊中個(gè)功能單元的參數(shù),，表1是IXYS的MUBW15-12T7模塊的主要技術(shù)規(guī)格。表1MUBW15-12T7的主要技術(shù)規(guī)格三相整流橋斷路器三相逆變器NTCVRRM=1600VVCES=1200VVCES=1200VR25=ΩIFAVM=38AIC25=30AIC25=30AB25/50=3375KIFSM=300AVCE（sat）=（sat）=其中,，斷路器和三相逆變器給出的都是IGBT管芯的技術(shù)規(guī)格,。貴州西門子模塊在那個(gè)時(shí)候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計(jì),。

    與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。igbt的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓,。igbt驅(qū)動(dòng)電路圖：igbt驅(qū)動(dòng)電路圖一igbt驅(qū)動(dòng)電路圖二igbt驅(qū)動(dòng)電路圖三igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到***的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外,，IGBT驅(qū)動(dòng)器的作用對整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要,。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致IGBT和驅(qū)動(dòng)器損壞,。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考,。IGBT的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT門極電容分布示意圖,。

    且所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接板311的一端朝背離所述擋板11的一側(cè)斜向下延伸,。本實(shí)施例，由于所述壓緊部在工作時(shí),，遠(yuǎn)離所述連接板的一端會(huì)抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè),，即相比于自然狀態(tài)下，所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端在工作時(shí)會(huì)略微向上抬起,。本實(shí)施例,，使所述壓緊部在自然狀態(tài)下，遠(yuǎn)離所述連接板的一端朝背離所述擋板的一側(cè)斜向下延伸,，這樣,，可以使所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端在工作時(shí)仍然能夠可靠地抵設(shè)在所述igbt單管上。如圖2和圖3所示,，可選的,，所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接部31的一端設(shè)置有工裝槽321。本實(shí)施例，可以通過所述工裝槽輔助抬起所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接部的一端,；具體的,，可以將與所述工裝槽適配的工裝插入所述工裝槽內(nèi)，然后通過所述工裝向上勾起所述壓緊部的該端部,，就可以在該壓緊部的下方布置igbt單管了,。本實(shí)施例中所述壓緊部上的工裝槽，與工裝相互配合可以極大的方便所述壓緊件的使用,，提高所述igbt單管的安裝效率,。如圖2和圖3所示，作為上述實(shí)施例的一可選實(shí)施方式,，在所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接板311的一端朝背離所述擋板11的一側(cè)斜向下延伸的情況下,，所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接部31的端部還斜向上翹起。集電極和發(fā)射極是導(dǎo)通端子,，柵極是控制開關(guān)操作的控制端子,。

    同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長。IGBT模塊按封裝工藝來看主要可分為焊接式與壓接式兩類,。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主,，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接,，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝,。隨著IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片的**高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高,，IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應(yīng),。未來IGBT模塊技術(shù)將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢：無焊接,、無引線鍵合及無襯板/基板封裝技術(shù),；內(nèi)部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路等功能元件,，不斷提高IGBT模塊的功率密度,、集成度及智能度。IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,，IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè),、4C(通信、計(jì)算機(jī),、消費(fèi)電子,、汽車電子)、航空航天,、****等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng),、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,。1）新能源汽車IGBT模塊在電動(dòng)汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，是電動(dòng)汽車及充電樁等設(shè)備的**技術(shù)部件,。IGBT模塊占電動(dòng)汽車成本將近10%,，占充電樁成本約20%。IGBT主要應(yīng)用于電動(dòng)汽車領(lǐng)域中以下幾個(gè)方面：A）電動(dòng)控制系統(tǒng)大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅(qū)動(dòng)汽車電機(jī),。反之,，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。四川代理模塊

IGBT 主要用于放大器,，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復(fù)雜的波形,。四川模塊廠家電話

 對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會(huì)引起器件擊穿問題,。晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為IGBT閂鎖,，具體地說，這種缺陷的原因互不相同,，與器件的狀態(tài)有密切關(guān)系,。通常情況下，靜態(tài)和動(dòng)態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：當(dāng)晶閘管全部導(dǎo)通時(shí),，靜態(tài)閂鎖出現(xiàn),，只在關(guān)斷時(shí)才會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)閂鎖。這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了安全操作區(qū),。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現(xiàn)象,，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級(jí)別,，降低NPN和PNP晶體管的總電流增益,。此外，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響,，因此,，它與結(jié)溫的關(guān)系也非常密切；在結(jié)溫和增益提高的情況下,，P基區(qū)的電阻率會(huì)升高,，破壞了整體特性。因此,，器件制造商必須注意將集電極比較大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例,，通常比例為1：5。IGBT模塊五種不同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電路圖1.單管模塊，1in1模塊單管模塊的內(nèi)部由若干個(gè)IGBT并聯(lián),，以達(dá)到所需要的電流規(guī)格,，可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管。受機(jī)械強(qiáng)度和熱阻的限制,，IGBT的管芯面積不能做得太電流規(guī)格的IGBT需要將多個(gè)管芯裝配到一塊金屬基板上,。單管模塊外部標(biāo)簽上的等效電路如圖1所示，副發(fā)射極（第二發(fā)射極）連接到柵極驅(qū)動(dòng)電路,，主發(fā)射極連接到主電路中,。四川模塊廠家電話

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