包括安裝板,、以及布置在所述安裝板上側的igbt單管,，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上,。這樣,，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件,，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后,，再松開所述壓緊件即可實現所述igbt單管的固定。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法,，**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時間,，并且減少了總裝的零件數量，提高了igbt模塊的生產效率,，還降低了因螺釘松動而引起的igbt模塊損壞風險,。附圖說明為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,，顯而易見地,，下面描述中的附圖**是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講,，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的一種igbt模塊的結構示意圖,；圖2為圖1中的igbt模塊的局部示意圖,；圖3為本實用新型實施例提供的其中一種壓緊件的結構示意圖,；圖4為圖1中的igbt模塊去掉igbt單管后的結構示意圖,。具體實施方式下面結合附圖對本實用新型實施例進行詳細描述。應當明確,。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。北京質量模塊進貨價

 對等效MOSFET的控制能力降低,，通常還會引起器件擊穿問題,。晶閘管導通現象被稱為IGBT閂鎖，具體地說,，這種缺陷的原因互不相同,，與器件的狀態(tài)有密切關系。通常情況下,，靜態(tài)和動態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：當晶閘管全部導通時,，靜態(tài)閂鎖出現，只在關斷時才會出現動態(tài)閂鎖,。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區(qū),。為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現象，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通,，分別改變布局和摻雜級別,，降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。此外,，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響,，因此，它與結溫的關系也非常密切,；在結溫和增益提高的情況下,，P基區(qū)的電阻率會升高，破壞了整體特性,。因此,，器件制造商必須注意將集電極比較大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5,。IGBT模塊五種不同的內部結構和電路圖1.單管模塊,，1in1模塊單管模塊的內部由若干個IGBT并聯，以達到所需要的電流規(guī)格,，可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管,。受機械強度和熱阻的限制，IGBT的管芯面積不能做得太電流規(guī)格的IGBT需要將多個管芯裝配到一塊金屬基板上,。單管模塊外部標簽上的等效電路如圖1所示,，副發(fā)射極（第二發(fā)射極）連接到柵極驅動電路，主發(fā)射極連接到主電路中,。節(jié)能模塊報價前市場上銷售的多為此類模塊化產品,，一般所說的IGBT也指IGBT模塊。

    l輸入電壓380V±10%l頻率50HZ,；l輸出電壓500～1500V可調（可多個電源組成）l輸出電流10A,；l電壓控制精度1%l電壓調整率<；l紋波電壓<1%,；l工作溫度室溫～40℃,；l保護有過壓,、過流、短路保護功能,。2）直流電容器分為支撐電容,、儲能電容，分別用于補償充電和實驗時的大電流放電,，滿足動態(tài)測試,、短路電流、反偏安全工作區(qū)的測試需求,。至少包含8mF的容量,。l單體電容容量1mFl額定電壓3300Vl脈沖電流1kAl工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%3）動態(tài)測試負載電感l(wèi)電感量20μH、50μH100μH200μH500μH1000μH,、2000μHl電流通過選擇不同檔位電感,，滿足0~1kA電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于3300Vl負載電感配備自動切換開關，可分別接通不同電感值,，由計算機控制自動接通,；自動切換開關參數性能需求與電感要求相匹配。4）安全工作區(qū)測試負載電感l(wèi)電感量1mH,、10mH,、50mH、100mHl電流通過選擇不同檔位電感,，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）l瞬態(tài)電壓大于10kVl負載電感配備自動切換開關,，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通,；自動切換開關參數性能需求與電感要求相匹配,。5）補充充電回路限流電感限制充電回路中的di/dt。l電感量100μHl電流能力6000A,。

    向漏極注入空穴,，進行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入區(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導通,。反之，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT關斷,。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT單管產品圖IGBT單管結構圖IGBT功率模塊采用IC驅動,，各種驅動保護電路,，高性能IGBT芯片，新型封裝技術,，從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM,、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM,。PIM向高壓大電流發(fā)展,，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調速外,，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器,。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發(fā)射裝置,。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB,，**降低電路接線電感，提高系統效率,，現已開發(fā)成功第二代IPEM,，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化,、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點,。在軌道交通、智能電網,、航空航天,、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

    DD,、KD二極管模塊,、PWB系列焊機模塊5.進口可控硅分立器件優(yōu)派克EUPECT系列可控硅東芝TOSHIBASF系列可控硅、SG系列GTO西門康SEMIKRONSKT系列可控硅西碼WESTCODEN系列相控可控硅,、R系列快速可控硅美國IRST**C*系列平板可控硅,、ST**S*系列螺栓可控硅意大利POSEICOAT系列相控可控硅瑞士ABB5STP系列可控硅、5SGA系列GTODYNEXDCR系列可控硅6.進口二極管分立器件優(yōu)派克EUPECD**N*系列二極管,、D**S*系列快速二極管西門康SEMIKRONSKN系列二極管,SKN*F,、SKR*F系列快速二極管西碼WESTCODESM系列快速二極管,、SW系列普通二極管美國IRSD**C**系列平板型二極管，**HF**,、**HR**系列螺栓型二極管瑞士ABB5SDD系列焊接二極管,、5SDD系列普通二極管7.進口單相整流橋、三相整流橋西門康SEMIKRONSKB,、SKD,、SKCH、SKDH,、SKBT,、SKDT系列整流橋富士FUJI6RI系列三相橋德國IXYSVBO、VHF,、VUO,、VVZ、VGO,、VVZF,、VTO、VTOF系列整流橋三社SanRexDF,、DWF,、DWR、PWB系列整流橋8.快恢復二極管德國IXYSDSEI,、DH,、MEO、MEE,、MEA,、MEK系列快恢復二極管韓國DawinDW、DA,、DB系列快恢復二極管模塊美國安森美OnsemMUR系列快恢復二極管9.無感電容中國臺灣CDMPA系列無感電容EACOSTM系列IGBT直接安裝型無感電容EUROPTRON,。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體)工藝被采用到IGBT中來,。北京品質模塊進貨價

單管封裝的IGBT的最大電流在100A左右,，IGBT模塊的比較大額定電流可以達到3600A。北京質量模塊進貨價

    本實用新型涉及變流技術領域,，尤其涉及一種igbt模塊,。背景技術：目前，國外標準型的igbt模塊是由igbt(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與fwd(二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品,；封裝后的igbt模塊直接應用于變頻器,、ups不間斷電源等設備上；igbt模塊具有節(jié)能、安裝維修方便,、散熱穩(wěn)定等特點,，隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產品在市場上越來越多見,。然而，這種igbt模塊的成本較高,，嚴重制約了國內變流技術領域的發(fā)展,。為了解決國外標準型igbt模塊成本較高的問題，目前國內出現了一種將igbt單管并聯后形成igbt模塊的方案,，這種igbt模塊與國外相同技術參數規(guī)格下的標準型igbt模塊相比,，成本要低15％～20％，進而能夠促進國內變流技術領域的發(fā)展,；但是,，這種igbt模塊中的各igbt單管一般由螺釘固定在安裝板上，這就**降低了igbt模塊的生產效率,。技術實現要素：有鑒于此,，本實用新型實施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產效率,。本實用新型實施例提供一種igbt模塊,，包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側的igbt單管,，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上?？蛇x的,。北京質量模塊進貨價

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司位于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號億豐機電城北樓A201，擁有一支專業(yè)的技術團隊,。在江蘇芯鉆時代近多年發(fā)展歷史,，公司旗下現有品牌英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼等。我公司擁有強大的技術實力,，多年來一直專注于一般項目：技術服務,、技術開發(fā)、技術咨詢,、技術交流,、技術轉讓、技術推廣,；電子元器件批發(fā),；電子元器件零售；電子元器件與機電組件設備銷售；電力電子元器件銷售,；電子設備銷售,；電子測量儀器銷售；機械電氣設備銷售,；風動和電動工具銷售,；電氣設備銷售；光電子器件銷售,；集成電路芯片及產品銷售,；半導體照明器件銷售；半導體器件設備銷售,；半導體分立器件銷售,；集成電路銷售；五金產品批發(fā),；五金產品零售,；模具銷售；電器輔件銷售,；電力設施器材銷售,；電工儀器儀表銷售；電工器材銷售,；儀器儀表銷售,；辦公設備銷售；辦公設備耗材銷售,；辦公用品銷售,；日用百貨銷售；機械設備銷售,；超導材料銷售,；密封用填料銷售；密封件銷售,；高性能密封材料銷售,；橡膠制品銷售；塑料制品銷售,；文具用品批發(fā),；文具用品零售；金屬材料銷售,；金屬制品銷售,；金屬工具銷售；環(huán)境保護設備銷售,；生態(tài)環(huán)境材料銷售,；集成電路設計,；集成電路芯片設計及服務（除依法須經批準的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經營活動）的發(fā)展和創(chuàng)新,，打造高指標產品和服務,。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司主營業(yè)務涵蓋IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器，堅持“質量保證,、良好服務,、顧客滿意”的質量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴,。