**名稱：非絕緣雙塔型二極管模塊的制作方法技術領域：本實用新型涉及一種用于逆變焊機電源及各種開關電源的二極管,，尤其是涉及一種非絕緣雙塔型二極管模塊,。背景技術：非絕緣雙塔結構二極管是一種標準外形尺寸的模塊產品,，由于產品外形簡單,、成本低，適用范圍廣,。而目前公開的非絕緣雙塔型二極管模塊，見圖i所示，由二極管芯片3',、底板r、帶螺孔的主電極銅塊5'以及外殼9,，構成,，二極管芯片3'的上下面分別通過上鉬片2'、下鉬片4'與底板l'和主電極銅塊5'固定連接,，主電極銅塊5'與外殼9'和底板r之間用環(huán)氧樹脂灌注,，在高溫下固化將三者固定在一起。由于主電極為塊狀結構,，故底板,、二極管芯片、主電極之間均為硬連接,。在長期工作運行過程中,，由于二極管芯片要承受機械振動、機械應力以及熱應力等因素的影響,，使得二極管內部的半導體二極管芯片也產生機械應力,。因與二極管芯片連接的材料不同其熱膨脹系數也不同，又會使二極管芯片產生熱應力,，一旦主電極發(fā)生松動,，就會造成二極管芯片的碎裂。常規(guī)非絕緣雙塔型二極管模塊在安裝過程中是將底板安裝在散熱器上,，然后將另一電極用螺釘安裝在主電極銅塊上,，主電極所承受的外力一部分力直接作用到二極管芯片上。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N-溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性。黑龍江可控硅模塊

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0可控硅模塊編輯鎖定討論可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule),。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導體模塊時間1970年目錄1分類2優(yōu)點3規(guī)格型號可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA),、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG),、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等,?？煽毓枘K優(yōu)點編輯體積小、重量輕,、結構緊湊,、可靠性高、外接線簡單,、互換性好,、便于維修和安裝；結構重復性好,，裝置的機械設計可以簡化,，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧,，并因此得到長足發(fā)展,。四川模塊零售價IGBT是能源變換與傳輸的**器件。

    7)固定在底板(1)上,，頂部具有定位凹槽的外殼(9)固定在底板(1)上,；所述的主電極(6)為兩個以上折邊的條板，主電極(6)的內側與連接橋板(5)固定連接,，主電極(6)的另一側穿出外殼(9)并覆在外殼(9)頂部,，且覆在外殼(9)頂部的主電極(6)上設有過孔(61)并與殼體(9)上的定位凹槽(91)對應，下過渡層(4),、二極管芯片(3),、上過渡層(2)、連接橋板(5),、絕緣體(7)的外周以及主電極(6)的一側灌注軟彈性膠(8)密封,。2、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,，其特征在于所述的連接橋板(5)為兩端平板中部凸起的梯形,。3、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,，其特征在于所述的連接橋板(5)為兩端平板且中部凸起弓形,。4,、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特征在于所述外殼(9)頂部的定位凹槽(91)的槽邊至少設有兩個平行的平面,，且下部設有過孔,。5、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,，其特征在于所述的絕緣體(7)是兩面涂有或覆有金屬層的陶瓷片。6,、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,，其特征在于所述的上過渡層(2)為鉬片或鎢片或可伐片。7,、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊,，其特征在于所述的下過渡層(4)為鉬片或鎢片或可伐片。

    不*上橋臂的開關管要采用各自**的隔離電源,，下橋臂的開關管也要采用各自**的隔離電源,，以避免回路噪聲，各路隔離電源要達到一定的絕緣等級要求,。3）在連接IGBT電極端子時,，主端子電極間不能有張力和壓力作用，連接線（條）必須滿足應用,，以免電極端子發(fā)熱在模塊上產生過熱,。控制信號線和驅動電源線要離遠些,，盡量垂直,，不要平行放置。4）光耦合器輸出與IGBT輸入之間在PCB上的走線應盡量短,，**好不要超過3cm,。5）驅動信號隔離要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs,，CMR》l0kV/μs,，如6N137，TCP250等,。6）IGBT模塊驅動端子上的黑色套管是防靜電導電管,，用接插件引線時，取下套管應立即插上引線,；或采用焊接引線時先焊接再剪斷套管,。7）對IGBT端子進行錫焊作業(yè)的時候，為了避免由烙鐵,、烙鐵焊臺的泄漏產生靜電加到IGBT上,，烙鐵前端等要用十分低的電阻接地,。焊接G極時，電烙鐵要停電并接地,，選用定溫電烙鐵**合適,。當手工焊接時，溫度260℃±5℃,，時間（10+1）s,。波峰焊接時，PCB要預熱80~105℃,，在245℃時浸入焊接3~4s,。8）儀器測量時，應采用1000電阻與G極串聯,。在模塊的端子部測量驅動電壓（VGE）時,，應確認外加了既定的電壓。在那個時候,，硅芯片的結構是一種較厚的NPT(非穿通)型設計,。

    l電流能力DC50Al隔離耐壓15kVl響應時間150msl工作方式氣動控制l工作氣壓l工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%14）工控機及操作系統用于控制及數據處理，采用定制化系統,，主要技術參數要求如下：l機箱：4Μ15槽上架式機箱,；l支持ATX母板；lCPΜ：INTEL雙核,；l主板：研華SIMB,；l硬盤：1TB；內存4G,；l3個”和1個”外部驅動器,；l集成VGA顯示接口、4個PCI接口,、6個串口,、6個ΜSB接口等。l西門子PLC邏輯控制15）數據采集與處理單元用于數據采集及數據處理,，主要技術參數要求如下：l示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數,、短路電流、安全工作區(qū)測試需求l電流探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數,、短路電流,、安全工作區(qū)測試需求l狀態(tài)監(jiān)測：NI數據采集卡l上位機：基于Labview人機界面l數據提取：測試數據可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數據格式,，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數據格式,；所檢測數據可傳遞至上位機處理；從檢測部分傳輸的數據經上位機處理后可自動列表顯示相應測試數據,；數據處理和狀態(tài)檢測部分內容可擴展16）機柜及其面板用于安裝固定試驗回路及單元,；主要技術參數要求如下,；l風冷系統；l可顯示主要電氣回路參數及傳感器測量值,；l可直觀監(jiān)視試驗過程,。同一代技術中通態(tài)損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。標準模塊廠家電話

后來,，通過采用PT(穿通)型結構的方法得到了在參數折衷方面的一個***改進,。黑龍江可控硅模塊

    且所述壓緊部32遠離所述連接板311的一端朝背離所述擋板11的一側斜向下延伸。本實施例,，由于所述壓緊部在工作時,，遠離所述連接板的一端會抵設在所述igbt單管的上側，即相比于自然狀態(tài)下,，所述壓緊部遠離所述連接板的一端在工作時會略微向上抬起。本實施例,，使所述壓緊部在自然狀態(tài)下,，遠離所述連接板的一端朝背離所述擋板的一側斜向下延伸，這樣,，可以使所述壓緊部遠離所述連接板的一端在工作時仍然能夠可靠地抵設在所述igbt單管上,。如圖2和圖3所示，可選的,，所述壓緊部32遠離所述連接部31的一端設置有工裝槽321,。本實施例，可以通過所述工裝槽輔助抬起所述壓緊部遠離所述連接部的一端,；具體的,，可以將與所述工裝槽適配的工裝插入所述工裝槽內，然后通過所述工裝向上勾起所述壓緊部的該端部,，就可以在該壓緊部的下方布置igbt單管了,。本實施例中所述壓緊部上的工裝槽，與工裝相互配合可以極大的方便所述壓緊件的使用,，提高所述igbt單管的安裝效率,。如圖2和圖3所示，作為上述實施例的一可選實施方式,，在所述壓緊部32遠離所述連接板311的一端朝背離所述擋板11的一側斜向下延伸的情況下,，所述壓緊部32遠離所述連接部31的端部還斜向上翹起。黑龍江可控硅模塊

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