收藏查看我的收藏0有用+1已投票0可控硅模塊編輯鎖定討論可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等?？煽毓枘K優(yōu)點(diǎn)編輯體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外接線簡(jiǎn)單、互換性好,、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、傳動(dòng)等領(lǐng)域,。山西模塊廠家

    所以脈沖寬度下應(yīng)小于300μs,，通常取1ms，相當(dāng)廣50Hz正弦波的18°電角度,。二,、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通,，使兩個(gè)管子中流過的電流及或承受的電壓及相同,。否則，由于元件特性的分散性,，在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍,，在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以,，針對(duì)上述問題,，通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通,。三,、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作,，必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。同時(shí),，無論是在可控整流,、有源逆變還是在交流調(diào)壓的觸發(fā)電路中，為了使每—周波重復(fù)在相同位置上觸發(fā)可控硅,，觸發(fā)信號(hào)必須與電源同步,，即觸發(fā)信號(hào)要與主回路電源保持固定的相位關(guān)系。否則,，觸發(fā)電路就不能對(duì)主回路的輸出電壓Ud進(jìn)行準(zhǔn)確的控制,。逆變運(yùn)行時(shí)甚至?xí)斐啥搪肥鹿剩绞怯上嘀骰芈方釉谕粋€(gè)電源上的同步變壓器輸出的同步信號(hào)來實(shí)現(xiàn)的,。以上就是可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)必須滿足的三個(gè)必定條件,，希望對(duì)您有所幫助。私人模塊類型GTR飽和壓降低,，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大。

    所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,，而不是全部的實(shí)施例,。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率,。如圖1所示，本實(shí)用新型提供的一種igbt模塊,，包括安裝板1,、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2，所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3,，所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上,。本實(shí)施例，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí),，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件,，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后，再松開所述壓緊件即可實(shí)現(xiàn)所述igbt單管的固定,。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法,，**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時(shí)間，并且減少了總裝的零件數(shù)量,，提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率,，還降低了因螺釘松動(dòng)而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險(xiǎn),。如圖1和圖2所示，可選的,，所述壓緊件3包括連接部31和具有彈性的壓緊部32,，所述連接部31一端與所述壓緊部32相連，另一端與所述安裝板1相連,，所述壓緊部3抵設(shè)在所述igbt單管2的上側(cè),，將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例,，在使用所述壓緊件時(shí),。

    圖1單管，模塊的內(nèi)部等效電路多個(gè)管芯并聯(lián)時(shí),，柵極已經(jīng)加入柵極電阻,，實(shí)際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊,，柵極電阻的阻值也不相同,；不過，同一個(gè)模塊內(nèi)部的柵極電阻,，其阻值是相同的,。圖2單管模塊內(nèi)部的實(shí)際等效電路圖IGBT單管模塊通常稱為1in1模塊，前面的“1”表示內(nèi)部包含一個(gè)IGBT管芯,，后面的“1”表示同一個(gè)模塊塑殼之中,。2.半橋模塊，2in1模塊半橋（Halfbridge）模塊也稱為2in1模塊,，可直接構(gòu)成半橋電路，也可以用2個(gè)半橋模塊構(gòu)成全橋,，3個(gè)半橋模塊也構(gòu)成三相橋,。因此，半橋模塊有時(shí)候也稱為橋臂（Phase-Leg）模塊,。圖3是半橋模塊的內(nèi)部等效,。不同的制造商的接線端子名稱也有所不同，如C2E1可能會(huì)標(biāo)識(shí)為E1C2,，有的模塊只在等效電路圖上標(biāo)識(shí)引腳編號(hào)等,。圖3半橋模塊的內(nèi)部等效電路半橋模塊的電流/電壓規(guī)格指的均是其中的每一個(gè)模塊單元。如1200V/400A的半橋模塊,，表示其中的2個(gè)IGBT管芯的電流/電壓規(guī)格都是1200V/400A,，即C1和E2之間可以耐受比較高2400V的瞬間直流電壓。不僅半橋模塊,，所有模塊均是如此標(biāo)注的,。3.全橋模塊,，4in1模塊全橋模塊的內(nèi)部等效電路如圖4所示。圖4全橋模塊內(nèi)部等效電路全橋（Fullbridge）模塊也稱為4in1模塊,，用于直接構(gòu)成全橋電路,。有的外殼里只有一顆IGBT芯片，有的可能會(huì)十幾顆,，二十幾顆芯片,。

    (如BSM、FF,、FZ,、FP系列)三菱MitsubishiCM系列標(biāo)準(zhǔn)IGBT模塊、PM系列智能IGBT東芝TOSHIBAMG系列IGBT模塊,、MIG系列智能IGBT西門康SEMIKRONSKM系列600V,、1200V、1700VIGBT模塊富士FUJI標(biāo)準(zhǔn)IGBT(1MBI,、2MBI,、6MBI),智能IPM(6MBP、7MBP,、7MBR),,、1200V各種規(guī)格IGBT單管東芝TOSHIBAGT系列900V、1500VIGBT單管仙童FairchildSGH,、SGL,、FGL系列600V、1200V,、1500V,、1700VIGBT單管富士FUJI1MBH、1MBK系列600V,、1200VIGBT單管,、6ED系列IGBT驅(qū)動(dòng)板三菱MitsubishiIGBT驅(qū)動(dòng)厚膜電路如M57962L、M57962AL,、M57959西門康SEMIKRONSKYPER,、SKHI系列IGBT驅(qū)動(dòng)板富士FUJIEXB841、EXB840瑞士CONCEPT1GD,、1HD,、2SD、6SD系列IGBT驅(qū)動(dòng)板美國(guó)IRIGBT驅(qū)動(dòng)電路IR2110,、IR21304.進(jìn)口可控硅模塊,、二極管模塊優(yōu)派克EUPECTT、TZ,、TD,、DT,、DD、DZ系列可控硅二極管模塊西門康SEMIKRONSKKT,、SKKH,、SKKL、SKKD,、SKET,、SKKE系列可控硅二極管模塊德國(guó)IXYSMCC、MCD,、MDC可控硅模塊,；MDD二極管模塊；MCO大電流水冷系列三社SanRexPK,、PD,、PE、KK系列可控硅模塊,。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器,、UPS不間斷電源等設(shè)備上。通用模塊代理價(jià)錢

IGBT 主要用于放大器,，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復(fù)雜的波形,。山西模塊廠家

    1可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極,，陽極a,，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。21,、可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹：可控硅模塊應(yīng)用于控溫,、調(diào)光、勵(lì)磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機(jī)、等離子拉弧,、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,，如工業(yè)、通訊,、**等各類電氣控制,、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流,、穩(wěn)壓,、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流,、過壓,、過溫、缺相等保護(hù)功能,。32,、可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過程,。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出,，電位器直接從直流電源分壓等各種方法,；控制信號(hào)采用0～5V，0～10V,，4～20mA三種比較常用的控制形式,。43、滿足可控硅模塊工作的必要條件：（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源,。①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±,，紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞,，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞1A,。山西模塊廠家

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司致力于電子元器件，是一家貿(mào)易型公司,。公司業(yè)務(wù)涵蓋IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等,，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證,。公司秉持誠(chéng)信為本的經(jīng)營(yíng)理念,，在電子元器件深耕多年，以技術(shù)為先導(dǎo),，以自主產(chǎn)品為重點(diǎn),，發(fā)揮人才優(yōu)勢(shì)，打造電子元器件良好品牌,。在社會(huì)各界的鼎力支持下,，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造高質(zhì)量服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持,。