MOS管和IGBT管作為開關(guān)元件,，在電子電路中會經(jīng)常出現(xiàn)，它們在外形及特性參數(shù)上也比較相似,，相信有不少人會疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管,，而有的卻需要用到IGBT管？它們之間有何區(qū)別呢,？接下來冠華偉業(yè)為你解惑,！何為MOS管,？MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同,，可分為“N型”與“P型”的兩種類型,，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。MOS管本身自帶有寄生二極管,，作用是防止VDD過壓的情況下,，燒壞mos管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前,，二極管先反向擊穿,，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞,。何為IGBT？IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),，絕緣柵雙極型晶體管,，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT的電路符號至今并未統(tǒng)一,，畫原理圖時一般是借用三極管,、MOS管的符號，這時可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是IGBT還是MOS管,。同時還要注意IGBT有沒有體二極管,，圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有，除非官方資料有特別說明,，否則這個二極管都是存在的,。IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。上海定制西門康IGBT模塊銷售廠家

IGBT功率模塊如何選擇,？在說IGBT模塊該如何選擇之前,，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor),，所以它是一個有MOSGate的BJT晶體管,，可以簡單理解為IGBT是MOSFET和BJT的組合體。MOSFET主要是單一載流子(多子)導(dǎo)電,，而BJT是兩種載流子導(dǎo)電,，所以BJT的驅(qū)動電流會比MOSFET大,，但是MOSFET的控制級柵極是靠場效應(yīng)反型來控制的，沒有額外的控制端功率損耗,。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)組合起來的,，兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗)，又利用了BJT的雙載流子達(dá)到大電流(低導(dǎo)通壓降)的目的(Voltage-ControlledBipolarDevice),。從而達(dá)到驅(qū)動功率小,、飽和壓降低的完美要求，廣泛應(yīng)用于600V以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器,、開關(guān)電源、照明電路,、牽引傳動等領(lǐng)域,。1.在選擇IGBT前需要確定主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，這個和IGBT選型密切相關(guān),。2.選擇IGBT需要考慮的參數(shù)如下:額定工作電流,、過載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù),，額定工作電壓,、電壓波動、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù),，引線方式,、結(jié)構(gòu)也會給IGBT選型提出要求。,，目前市面上的叫主流的IGBT產(chǎn)品都是進(jìn)口的,。江蘇優(yōu)勢西門康IGBT模塊供應(yīng)IGBT是能源變換與傳輸?shù)闹行钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),。

   所以包裝時將g極和e極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料，將它短接,。裝配時切不可用手指直接接觸,，直到g極管腳進(jìn)行長久性連接。b,、主電路用螺絲擰緊,，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式,。c,、裝卸時應(yīng)采用接地工作臺，接地地面，接地腕帶等防靜電措施,。d,、儀器測量時，將1000電阻與g極串聯(lián),。e,、要在無電源時進(jìn)行安裝。f,焊接g極時,，電烙鐵要停電并接地,，選用定溫電烙鐵合適。當(dāng)手工焊接時,，溫度2601c15'c.時間（10士1）秒,，松香焊劑。波峰焊接時,，pcb板要預(yù)熱80'c-]05'c,在245℃時浸入焊接3-4IGBT功率模塊發(fā)展趨勢編輯igbt發(fā)展趨向是高耐壓,、大電流、高速度,、低壓降,、高可靠、低成本為目標(biāo)的,，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用,，簡化其主電路，減少使用器件,，提高可靠性，降造成本,，簡化調(diào)試工作等,，都與igbt有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所以世界各大器件公司都在奮力研究,、開發(fā),，予估近2-3年內(nèi)，會有突破性的進(jìn)展,。已有適用于高壓變頻器的有電壓型hv-igbt,igct,電流型sgct等,。

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管,。它具有體積小、效率高,、壽命長等優(yōu)點(diǎn),。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件,，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動電流較大,；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域,。電動汽車概念也火的一塌糊涂,，西門康推出了650V等級的IGBT，專門用于電動汽車行業(yè),。

絕緣柵雙極晶體管IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物,。其主體部分與晶體管相同，也有集電極和發(fā)射極,，但驅(qū)動部分卻和場效應(yīng)晶體管相同,，是絕緣柵結(jié)構(gòu)。IGBT的工作特點(diǎn)是，控制部分與場效應(yīng)晶體管相同,，控制信號為電壓信號UGE,，輸人阻抗很高，柵極電流IG≈0,，故驅(qū)動功率很小,。而其主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流,，工作頻率可達(dá)20kHz,。由IGBT作為逆變器件的變頻器載波頻率一般都在10kHz以上，故電動機(jī)的電流波形比較平滑,，基本無電磁噪聲,。雖然硅雙極型及場控型功率器件的研究已趨成熟，但是它們的性能仍待提高和改善,，而1996年出現(xiàn)的集成門極換流晶閘管（IGCT）有迅速取代GTO的趨勢,。集成門極換流晶閘管（IGCT）是將門極驅(qū)動電路與門極換流晶閘管GCT集成于一個整體形成的器件。門極換流晶閘管GCT是基于GTO結(jié)構(gòu)的一個新型電力半導(dǎo)體器件,，它不僅與GTO有相同的高阻斷能力和低通態(tài)壓降,，而且有與IGBT相同的開關(guān)性能，兼有GTO和IGBT之所長,，是一種較理想的兆瓦級,、中壓開關(guān)器件。IGCT芯片在不串不并的情況下,，二電平逆變器容量～3MVA,，三電平逆變器1～6MVA；若反向二極管分離,，不與IGCT集成在一起,，二電平逆變器容量可擴(kuò)至，三電平擴(kuò)至9MVA,。目前IGCT已經(jīng)商品化。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分,。江蘇優(yōu)勢西門康IGBT模塊供應(yīng)

減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓,。上海定制西門康IGBT模塊銷售廠家

盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,，再觸摸；在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊,；盡量在底板良好接地的情況下操作,。在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓,。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,，以減少寄生電感,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外,，在柵極—發(fā)射極間開路時,，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化,，由于集電極有漏電流流過,，柵極電位升高，集電極則有電流流過,。這時,，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞,。在使用IGBT的場合,，當(dāng)柵極回路不正常或柵極回路損壞時（柵極處于開路狀態(tài)）,，若在主回路上加上電壓,，則IGBT就會損壞，為防止此類故障,，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻,。在安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度,。為了減少接觸熱阻,，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,。上海定制西門康IGBT模塊銷售廠家

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司是一家集研發(fā),、生產(chǎn)、咨詢,、規(guī)劃,、銷售、服務(wù)于一體的貿(mào)易型企業(yè),。公司成立于2022-03-29,，多年來在IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器行業(yè)形成了成熟,、可靠的研發(fā)、生產(chǎn)體系,。公司主要經(jīng)營IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等產(chǎn)品,，產(chǎn)品質(zhì)量可靠，均通過電子元器件行業(yè)檢測,，嚴(yán)格按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行,。目前產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用與全國30多個省、市,、自治區(qū),。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司研發(fā)團(tuán)隊不斷緊跟IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器行業(yè)發(fā)展趨勢，研發(fā)與改進(jìn)新的產(chǎn)品,，從而保證公司在新技術(shù)研發(fā)方面不斷提升,，確保公司產(chǎn)品符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和要求。江蘇芯鉆時代電子科技有限公司以市場為導(dǎo)向,，以創(chuàng)新為動力,。不斷提升管理水平及IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器產(chǎn)品質(zhì)量。本公司以良好的商品品質(zhì),、誠信的經(jīng)營理念期待您的到來,！