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⑿脈沖輸出：六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度：2個(gè)20°寬脈沖列,、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對(duì)稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間≤10ms,，超調(diào)量≤1%,。⒁有回零保護(hù)、軟起動(dòng),、急停功能。⒂比較大外形尺寸：235㎜×180㎜×50㎜。三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)編輯◆獨(dú)有三相不平衡自動(dòng)調(diào)整功能，有效提高電能利用效率,。◆先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù),，改善了電網(wǎng)功率因數(shù),，可以有效節(jié)省用電量?！艟哂幸葡嘤|發(fā)與過(guò)零觸發(fā)雙重工作模式，撥動(dòng)選擇開關(guān),，即可輕松實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換,。◆多種控制信號(hào)輸入：DC4~20mA,、DC0~10mA,、DC1~5V、DC0~10...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1,、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大,，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡,。同時(shí)，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響,，不同的結(jié)溫也會(huì)使均壓性能受到影響,。[1]2,、關(guān)斷電荷和開通時(shí)間等動(dòng)態(tài)特性對(duì)動(dòng)態(tài)均壓的影響。晶閘管串聯(lián)運(yùn)行,，延遲時(shí)間不同,，門極觸發(fā)脈沖的大小不同，都會(huì)導(dǎo)致閥片的開通適度不同,。閥片的開通速度不同,，會(huì)引起動(dòng)態(tài)電壓的不均衡。同時(shí)關(guān)斷時(shí)間的差異也會(huì)造成各晶閘管不同時(shí)關(guān)斷的現(xiàn)象,。關(guān)斷電荷少,，則易關(guān)斷，關(guān)斷時(shí)間也短,，先關(guān)斷的元件必然承受**高的動(dòng)態(tài)電壓,。[1]晶...

所以一旦可控硅導(dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了,，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能,，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的,。由于他只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以晶閘管具有開關(guān)特性,，這也就是晶閘管的作用,。晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。晶閘管為半控型電力電子器件,，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通,。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)?..

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,，采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對(duì)稱性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低,，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點(diǎn)2模塊規(guī)格3注意事項(xiàng)4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點(diǎn)編輯（1）本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,，實(shí)現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片,，模塊壓降小,、功耗低，效率高,；采用進(jìn)口貼片元件,，保證觸發(fā)控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板,，導(dǎo)熱性能好,，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)近10倍；采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料,，絕緣,、防潮性能優(yōu)良。（3）觸發(fā)控制電路...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故,。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1,、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大,，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡,。同時(shí)，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響,，不同的結(jié)溫也會(huì)使均壓性能受到影響,。[1]2、關(guān)斷電荷和開通時(shí)間等動(dòng)態(tài)特性對(duì)動(dòng)態(tài)均壓的影響,。晶閘管串聯(lián)運(yùn)行,，延遲時(shí)間不同，門極觸發(fā)脈沖的大小不同,，都會(huì)導(dǎo)致閥片的開通適度不同,。閥片的開通速度不同，會(huì)引起動(dòng)態(tài)電壓的不均衡,。同時(shí)關(guān)斷時(shí)間的差異也會(huì)造成各晶閘管不同時(shí)關(guān)斷的現(xiàn)象,。關(guān)斷電荷少，則易關(guān)斷,，關(guān)斷時(shí)間也短，先關(guān)斷的元件必然承受**高的動(dòng)態(tài)電壓,。[1]晶...

適應(yīng)多于六個(gè)晶閘管元件的各種大型可控整流設(shè)備,。具有完善故障、報(bào)警檢測(cè)和保護(hù)功能,。實(shí)時(shí)檢測(cè)過(guò)流,、過(guò)壓、反饋丟失、控制板內(nèi)部故障,。設(shè)有開機(jī)給定回零,、軟啟動(dòng)、截流,、截壓,、急停保護(hù)。調(diào)試簡(jiǎn)便,，數(shù)控板調(diào)試不用示波器和萬(wàn)用表,。每一塊控制板均經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的軟件測(cè)試、硬件老化,，以確保工作穩(wěn)定可靠,。三相晶閘管觸發(fā)板適用電路①三相全控橋式可控整流電路。②帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路,。③變壓器原邊交流調(diào)壓,，副邊二極管整流電路。④三相零式整流電路,。⑤三相半控橋式可控整流電路,。⑥三相交流相控調(diào)壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路三相晶閘管觸發(fā)板正常使用條件⑴海拔高度不超過(guò)2000M。⑵環(huán)境溫度：-40℃...

1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下,，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,，其數(shù)值比正向轉(zhuǎn)折電壓小100V。(2)反向重復(fù)峰值電壓URRM在控制極斷路時(shí),，可以重復(fù)加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個(gè)數(shù)值標(biāo)作器件型號(hào)上的額定電壓,。由于瞬時(shí)過(guò)電壓也會(huì)使晶閘管遭到破壞,，因而在選用的時(shí)候，額定電壓一個(gè)應(yīng)該為正常工作峰值電壓的2～3倍,，作為安全系數(shù),。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標(biāo)準(zhǔn)散熱即全導(dǎo)通的條件下，晶閘管元件可以連續(xù)通過(guò)的工頻正弦半波電流(在一個(gè)周期...

且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi),；④應(yīng)有良好的抗干擾能力,、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致,。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中,，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式,。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電磁觸發(fā)方式,，將低電位觸發(fā)信號(hào)經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極,。這種觸發(fā)方式成本較低，技術(shù)比較成熟,。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題,，同時(shí)觸發(fā)時(shí)的電磁干擾較大。②直接光觸發(fā)方式,，將觸發(fā)脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖,，直接觸發(fā)高位光控晶閘管。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管,，且該種晶閘管的成本較高,，不適宜采用；③間接光觸發(fā)方式,，利用光纖...

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是,。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us,，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A,，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us,。但是此種開關(guān)所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用,。[1]但晶閘管本身存在兩個(gè)制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素,。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件,，通過(guò)門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關(guān)斷,，導(dǎo)通后控制極即不再起作用，要關(guān)斷必須切斷電源,，即令流過(guò)晶閘管的正向電流小于維持電流,。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特...

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起,。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,，從電路功能上可以把它等效成圖3(c),，也就是說(shuō)，一個(gè)雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來(lái)等效的,。這也正是雙向晶閘管為什么會(huì)有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因,。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽(yáng)極和陰極之間加上正向電壓,，管子才能導(dǎo)通,。對(duì)雙向晶閘管來(lái)說(shuō)，無(wú)所謂陽(yáng)極和陰極,。它的任何一個(gè)主電極,，對(duì)圖3(b)中的兩個(gè)晶閘管管子來(lái)講，對(duì)一個(gè)管子是陽(yáng)極,，對(duì)另一個(gè)管子就是陰極,，反過(guò)來(lái)也一樣。因此,，雙...

人們?cè)谥圃旃に嚭徒Y(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施,，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管,。它具有以下幾個(gè)特點(diǎn),。一、關(guān)斷時(shí)間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管,，當(dāng)切斷正向電流時(shí),。并不能馬上“關(guān)斷”，這時(shí)如立即加上正向電壓,，它還會(huì)繼續(xù)導(dǎo)通,。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時(shí)間，叫做關(guān)斷時(shí)間,。用t0仟表示,。晶閘管的關(guān)斷過(guò)程，實(shí)際上是儲(chǔ)存載流子的消失過(guò)程,。為了加速這種消失過(guò)程,，制造快速晶閘管時(shí)采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命,。硅中摻金量越多,，t0仟越小，但摻金量過(guò)多會(huì)影響元件的其它性能,。二,、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管?？偸?..

其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開關(guān),、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源,、激光電源,、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車輛調(diào)速等領(lǐng)域。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車和地鐵機(jī)車為了便于調(diào)速采用直流供電,，用直流開關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻,，改變電路電流來(lái)控制車輛的速度,。但它有不能平滑起動(dòng)和加速。開關(guān)體積大,、壽命短,，而且低速運(yùn)行時(shí)耗電大（減速時(shí)消耗在啟動(dòng)電阻上）等缺點(diǎn)。自有了逆導(dǎo)晶閘管,，采用了逆導(dǎo)晶閘管控制,、調(diào)節(jié)車速，不*克服了上述缺點(diǎn),，而且還降低了功耗,，提高了機(jī)車可靠性。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成（同做在一個(gè)硅片上,。它的等效電路和符號(hào)如圖1所示,。它的特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏鳌Ｓ捎谒?..

他發(fā)生在芯片外圓倒角處,，有細(xì)小光潔小孔,。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的,。它導(dǎo)致電壓擊穿,。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路、逆變,、電機(jī)調(diào)速,、電機(jī)勵(lì)磁、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)及自動(dòng)控制等方面?，F(xiàn)在我畫一個(gè)**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a）〕,。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?，F(xiàn)在，畫出它的波形圖〔圖4(c）及（d）〕,，可以...

認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器,，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅。1957年美國(guó)通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化,。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，形成三個(gè)PN結(jié)，分別稱：陽(yáng)極,，陰極和控制極,。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路,。工作過(guò)程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通，這是晶閘管的閘流特性,，即可控特性,。若晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或...

晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法,。（1）按關(guān)閉,、傳導(dǎo)和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管,、反向晶閘管,、門極關(guān)斷晶閘管、btg晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管,。（B）在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管,。（三）按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管,，晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的。其中,，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形,，板形，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無(wú)兩,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管,、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝...

具有單向?qū)щ娞匦?，而?yáng)極A與門極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此,，通過(guò)用萬(wàn)用表的R×100或R×1kQ檔測(cè)量普通晶閘管各引腳之間的電阻值,，即能確定三個(gè)電極,。具體方法是：將萬(wàn)用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極,。若測(cè)量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ),，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G,。在阻值為幾百歐姆的測(cè)量中,，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測(cè)量中,，紅表筆接的是陽(yáng)極A,，若兩次測(cè)出的阻值均很大，則說(shuō)明黑表筆接的不是門極G,，應(yīng)用同樣方法改測(cè)其他電極,，直到找出三個(gè)電極為止。也可以測(cè)任兩腳之間的正,、反向電阻,，若正、反向電阻均接近無(wú)窮大,，則...

晶閘管模塊基本的用途是可控整流,。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路,。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通,。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí),，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí)，晶閘管才接通?，F(xiàn)在,，繪制其波形(圖4(c)和(d))，可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時(shí),，負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影),。當(dāng)UG到達(dá)較早時(shí)，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較早,；UG到達(dá)較晚時(shí),，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較晚。通過(guò)改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時(shí)間,，可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積),。在電工技術(shù)中，交流電的半周常被設(shè)定為180度，稱為電角,。因此,，在U...

所以一旦可控硅導(dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了,，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能,，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的,。由于他只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以晶閘管具有開關(guān)特性,，這也就是晶閘管的作用,。晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路,。晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通,。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)?..

使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷,。這就需要增加換向電路,，不*使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲,。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào),。大功...

人們?cè)谥圃旃に嚭徒Y(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施,，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管,。它具有以下幾個(gè)特點(diǎn),。一、關(guān)斷時(shí)間（toff）短導(dǎo)通的晶閘管,，當(dāng)切斷正向電流時(shí),。并不能馬上“關(guān)斷”，這時(shí)如立即加上正向電壓,，它還會(huì)繼續(xù)導(dǎo)通,。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時(shí)間，叫做關(guān)斷時(shí)間,。用t0仟表示,。晶閘管的關(guān)斷過(guò)程，實(shí)際上是儲(chǔ)存載流子的消失過(guò)程,。為了加速這種消失過(guò)程,，制造快速晶閘管時(shí)采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命,。硅中摻金量越多,，t0仟越小，但摻金量過(guò)多會(huì)影響元件的其它性能,。二,、導(dǎo)通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管?？偸?..

晶閘管模塊基本的用途是可控整流,。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路,。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí),，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí),，晶閘管才接通。現(xiàn)在,，繪制其波形(圖4(c)和(d)),，可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時(shí)，負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影),。當(dāng)UG到達(dá)較早時(shí),，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較早；UG到達(dá)較晚時(shí),，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較晚,。通過(guò)改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時(shí)間，可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積),。在電工技術(shù)中,，交流電的半周常被設(shè)定為180度，稱為電角,。因此,，在U...

其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開關(guān),、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源,、激光電源,、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車輛調(diào)速等領(lǐng)域。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車和地鐵機(jī)車為了便于調(diào)速采用直流供電,，用直流開關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻,，改變電路電流來(lái)控制車輛的速度。但它有不能平滑起動(dòng)和加速,。開關(guān)體積大,、壽命短，而且低速運(yùn)行時(shí)耗電大（減速時(shí)消耗在啟動(dòng)電阻上）等缺點(diǎn),。自有了逆導(dǎo)晶閘管,，采用了逆導(dǎo)晶閘管控制、調(diào)節(jié)車速,，不*克服了上述缺點(diǎn),，而且還降低了功耗，提高了機(jī)車可靠性,。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成（同做在一個(gè)硅片上,。它的等效電路和符號(hào)如圖1所示。它的特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏鳌Ｓ捎谒?..

美國(guó)通用電氣公司研發(fā)了世界上***個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器（SR）,，1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）,。由于它們具有體積小、重量輕,、效率高,、壽命長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率,，令半導(dǎo)體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電控制領(lǐng)域,、大功率控制領(lǐng)域。在整流器的應(yīng)用上,，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管）,，實(shí)現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無(wú)觸點(diǎn)化,，并獲得巨大的節(jié)能效果,。從1960年代開始，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管,、光控晶閘管,、不對(duì)稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個(gè)龐大的晶閘管家族,。晶閘管在應(yīng)用中有效率高...

定義/晶閘管編輯晶閘管導(dǎo)通條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管,，逆導(dǎo)晶閘管,，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,，在電路中用文字符號(hào)為“V”,、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管（Thyristor）是一種開關(guān)元件,，能在高電壓,、大電流條件下工作，并且其工作過(guò)程可以控制,、被應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān),、逆變及變頻等電子電路中,，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。1957年,，美國(guó)通用電器公司開發(fā)出世界上***個(gè)晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化,。結(jié)構(gòu)/晶閘管編輯晶閘管它是由一個(gè)P-N-P-N四層(4layers)半導(dǎo)體構(gòu)...

除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。2,、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬(wàn)用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),，應(yīng)立即更換,。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況,。4,、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂，以幫于良好的散熱,。5,、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過(guò)壓及過(guò)流保護(hù)裝置。6,、要防止可控硅控制極的正向過(guò)載和反向擊穿,。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí)，可把管芯從冷卻套中...

其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,，其直徑為英寸,，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us,，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A,，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us,。但是此種開關(guān)所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用,。[1]但晶閘管本身存在兩個(gè)制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素,。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件,，通過(guò)門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關(guān)斷,，導(dǎo)通后控制極即不再起作用，要關(guān)斷必須切斷電源,，即令流過(guò)晶閘管的正向電流小于維持電流,。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特...

故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài),。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門極G流入電流Ig,，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,，產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行,。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,，因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1...

美國(guó)通用電氣公司研發(fā)了世界上***個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器（SR）,，1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）,。由于它們具有體積小、重量輕,、效率高,、壽命長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率,，令半導(dǎo)體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電控制領(lǐng)域,、大功率控制領(lǐng)域。在整流器的應(yīng)用上,，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管）,，實(shí)現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無(wú)觸點(diǎn)化,，并獲得巨大的節(jié)能效果,。從1960年代開始，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管,、光控晶閘管,、不對(duì)稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個(gè)龐大的晶閘管家族,。晶閘管在應(yīng)用中有效率高...

對(duì)其在脈沖脈沖功率電源領(lǐng)域中的應(yīng)用研究很少,，尚處于試驗(yàn)探索階段。[1]在大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件中,，晶閘管是具有**高耐壓容量與**大電流容量的器件,。國(guó)內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應(yīng)用在高壓直流輸電中,。所制造出的大功率晶閘管，**大直徑可達(dá)6英寸,，單閥片耐壓值**高可達(dá)11KV,，的通流能力**高可達(dá)4500A。在該領(lǐng)域比較**的有瑞士的ABB以及國(guó)內(nèi)的株洲南車時(shí)代,。[1]為提高晶閘管的通流能力,、開通速度、di/dt承受能力,，國(guó)外在普通晶閘管的基礎(chǔ)上研制出了兩種新型的晶閘管：門極關(guān)斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT,。這兩種器件都已經(jīng)在國(guó)外投入實(shí)際使用。其中GTO的單片耐壓可達(dá),，工...

⑿脈沖輸出：六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出;脈沖寬度：2個(gè)20°寬脈沖列,、間隔60°;脈沖調(diào)制頻率10KHZ;各相脈沖不對(duì)稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間≤10ms，超調(diào)量≤1%,。⒁有回零保護(hù),、軟起動(dòng)、急停功能,。⒂比較大外形尺寸：235㎜×180㎜×50㎜,。三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板應(yīng)用技術(shù)編輯◆獨(dú)有三相不平衡自動(dòng)調(diào)整功能，有效提高電能利用效率,?！粝冗M(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)，改善了電網(wǎng)功率因數(shù),，可以有效節(jié)省用電量,。◆具有移相觸發(fā)與過(guò)零觸發(fā)雙重工作模式,，撥動(dòng)選擇開關(guān),，即可輕松實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換?！舳喾N控制信號(hào)輸入：DC4~20mA,、DC0~10mA、DC1~5V,、DC0~10...