快速恢復(fù)整流二極管和超快恢復(fù)整流二極管在開關(guān)電源中作為整流器件使用時(shí)是否需要散熱器,,要根據(jù)電路的大功率來決定。一般情況下,,這些二極管在制造時(shí)允許的結(jié)溫在175℃,,生產(chǎn)廠家對(duì)該指標(biāo)都有技術(shù)說明,,以提供給設(shè)計(jì)者去計(jì)算大的輸出工作電流、電壓及外殼溫度等,。肖特基整流二極管即使在大的正向電流作用下,,其正向壓降也很低,有,,而且,,隨著結(jié)溫的增加,其正向壓降更低,,因此,,使得肖特基整流二極管特別適用于5V左右的低電壓輸出電路中。肖特基整流二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是可以忽略不計(jì)的,,因?yàn)榇似骷嵌鄶?shù)載流子半導(dǎo)體器件,,在器件的開關(guān)過程中,沒有少數(shù)載流子存貯電荷的問題,。肖特基整流二極管有兩大缺點(diǎn):其一,,反向截止電壓的承受能力較低,產(chǎn)品大約為100V;其二,,反向漏電流較大,,使得該器件比其他類型的整流器件更容易受熱擊穿。當(dāng)然,,這些缺點(diǎn)也可以通過增加瞬時(shí)過電壓保護(hù)電路及適當(dāng)控制結(jié)溫來克服,。表示出了典型的高速整流二極管的特性與參數(shù)。和普通二極管相似,,發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,。上海哪里有二極管現(xiàn)貨
所以交流信號(hào)正半周超出部分被去掉(限制),,其超出部分信號(hào)其實(shí)降在了集成電路A1的①腳內(nèi)電路中的電阻上(圖中未畫出)。當(dāng)集成電路A1的①腳直流和交流輸出信號(hào)的幅度小于,,這一電壓又不能使3只二極管導(dǎo)通,,這樣3只二極管再度從導(dǎo)通轉(zhuǎn)入截止?fàn)顟B(tài),對(duì)信號(hào)沒有限幅作用,。3.電路分析細(xì)節(jié)說明對(duì)于這一電路的具體分析細(xì)節(jié)說明如下,。1)集成電路A1的①腳輸出的負(fù)半周大幅度信號(hào)不會(huì)造成VT1過電流,因?yàn)樨?fù)半周信號(hào)只會(huì)使NPN型三極管的基極電壓下降,,基極電流減小,,所以無須加入對(duì)于負(fù)半周的限幅電路。2)上面介紹的是單向限幅電路,,這種限幅電路只能對(duì)信號(hào)的正半周或負(fù)半周大信號(hào)部分進(jìn)行限幅,,對(duì)另一半周信號(hào)不限幅。另一種是雙向限幅電路,,它能同時(shí)對(duì)正,、負(fù)半周信號(hào)進(jìn)行限幅。3)引起信號(hào)幅度異常增大的原因是多種多樣的,,例如偶然的因素(如電源電壓的波動(dòng))導(dǎo)致信號(hào)幅度在某瞬間增大許多,,外界的大幅度干擾脈沖竄入電路也是引起信號(hào)某瞬間異常增大的常見原因。4)3只二極管VD1,、VD2和VD3導(dǎo)通之后,,集成電路A1的①腳上的直流和交流電壓之和是,這一電壓通過電阻R1加到VT1基極,,這也是VT1高的基極電壓,,這時(shí)的基極電流也是VT1大的基極電流。江蘇加工二極管代理商在反向電壓作用下,,電阻很大,,處于截止?fàn)顟B(tài),如同一只斷開的開關(guān),。
二極管是用半導(dǎo)體材料(硅,、硒、鍺等)制成的一種電子器件[1],。它具有單向?qū)щ娦阅?,即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通,。當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時(shí),,二極管截止。因此,二極管的導(dǎo)通和截止,,則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開[2],。二極管是早誕生的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用非常廣,。特別是在各種電子電路中,,利用二極管和電阻、電容,、電感等元器件進(jìn)行合理的連接,,構(gòu)成不同功能的電路,,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)交流電整流,、對(duì)調(diào)制信號(hào)檢波、限幅和鉗位以及對(duì)電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能[3],。無論是在常見的收音機(jī)電路還是在其他的家用電器產(chǎn)品或工業(yè)控制電路中,,都可以找到二極管的蹤跡[3]。中文名二極管外文名Diode特性單向?qū)щ娦詰?yīng)用家用電器,、工業(yè)控制電路等類別半導(dǎo)體器件組成材料硅,、硒、鍺等目錄1結(jié)構(gòu)組成2工作原理?PN結(jié)形成原理?PN結(jié)單向?qū)щ娦?主要分類?點(diǎn)接觸型二極管?面接觸型二極管?平面型二極管?穩(wěn)壓管?光電二極管?發(fā)光二極管4特性參數(shù)?伏安特性?正向特性?反向特性?擊穿特性?反向電流?動(dòng)態(tài)電阻?電壓溫度系數(shù)?高工作頻率?大整流電流?高反向工作電壓5檢測(cè)方法?小功率晶體二極管?雙向觸發(fā)二極管?瞬態(tài)電壓抑制二極管?高頻變阻二極管?變?nèi)荻O管?單色,。
區(qū)域302和壁分離短距離d,,其推薦地小于10nm,例如小于7nm,。每個(gè)結(jié)構(gòu)30進(jìn)一步包括在溝槽中比區(qū)域302更低地延伸的電傳導(dǎo)區(qū)域306,。在圖1所示的示例中,區(qū)域306從區(qū)域302延伸,。換言之,,區(qū)域302和306是單件。區(qū)域306例如位于比區(qū)域302更遠(yuǎn)離溝槽壁,。區(qū)域302例如通過覆蓋溝槽22的壁和底部的電介質(zhì)層308與襯底10分離,。層308的厚度例如大于約100nm,推薦地在從250nm到1000nm的范圍內(nèi),。結(jié)構(gòu)30a包括與結(jié)構(gòu)30相同的元件,。然而,重要的是在二極管的外側(cè)上不存在上文提到的短距離d,。作為示例,,層308于是在二極管的外側(cè)上在區(qū)域302與溝槽壁之間繼續(xù)。層308可以連接覆蓋二極管的上的襯底的絕緣層44,。作為示例,,區(qū)域302和306由摻雜的多晶硅制成,并且層304和308由氧化硅制成。如下文在二極管10的特定情況下所討論,,由此獲得的區(qū)域302和306在施加電勢(shì)時(shí)能夠?qū)εc層304和308接觸的襯底部分施加不同的靜電影響,。特別地,區(qū)域302距離襯底越近,,與層304接觸的襯底部分上的靜電影響越強(qiáng),。然后可以在與每個(gè)層304接觸的襯底部分中形成晶體管t1,所考慮的區(qū)域302形成晶體管柵極,。作為示例,,晶體管t1具有n溝道。每個(gè)晶體管包括p型摻雜的溝道區(qū)域202(p),。作為示例,。在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負(fù)載中起續(xù)流作用。
也是一個(gè)PN結(jié)的結(jié)構(gòu),,不同之處是要求這種二極管的開關(guān)特性要好,。當(dāng)給開關(guān)二極管加上正向電壓時(shí),二極管處于導(dǎo)通狀態(tài),,相當(dāng)于開關(guān)的通態(tài),;當(dāng)給開關(guān)二極管加上反向電壓時(shí),二極管處于截止?fàn)顟B(tài),,相當(dāng)于開關(guān)的斷態(tài),。二極管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)完成開與關(guān)功能。開關(guān)二極管就是利用這種特性,,且通過制造工藝,,開關(guān)特性更好,即開關(guān)速度更快,,PN結(jié)的結(jié)電容更小,,導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)阻更小,截止時(shí)的電阻很大,。如表9-41所示是開關(guān)時(shí)間概念說明,。表開關(guān)時(shí)間概念說明2.典型二極管開關(guān)電路工作原理二極管構(gòu)成的電子開關(guān)電路形式多種多樣,如圖9-46所示是一種常見的二極管開關(guān)電路,。圖9-46二極管開關(guān)電路通過觀察這一電路,,可以熟悉下列幾個(gè)方面的問題,以利于對(duì)電路工作原理的分析:1)了解這個(gè)單元電路功能是步,。從圖8-14所示電路中可以看出,,電感L1和電容C1并聯(lián),這顯然是一個(gè)LC并聯(lián)諧振電路,,是這個(gè)單元電路的基本功能,,明確這一點(diǎn)后可以知道,電路中的其他元器件應(yīng)該是圍繞這個(gè)基本功能的輔助元器件,是對(duì)電路基本功能的擴(kuò)展或補(bǔ)充等,,以此思路可以方便地分析電路中的元器件作用,。2)C2和VD1構(gòu)成串聯(lián)電路,然后再與C1并聯(lián),。二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的,。北京二極管供應(yīng)商
二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管,。上海哪里有二極管現(xiàn)貨
每個(gè)溝道區(qū)域202在兩個(gè)相鄰的溝槽22之間延伸,,并且因此對(duì)于兩個(gè)相鄰的晶體管t1是公共的。溝道區(qū)域例如頂部具有接觸區(qū)域204(p+),。接觸區(qū)域204比溝道區(qū)域202更重地被p型摻雜,。每個(gè)晶體管進(jìn)一步包括位于溝道區(qū)域下方的漏極區(qū)域206(n-)。作為示例,,每個(gè)漏極區(qū)域206在兩個(gè)相鄰的溝槽22之間延伸并且對(duì)于相鄰的晶體管t1是公共的,。漏極區(qū)域206可以在溝槽下方延伸,,并且漏極區(qū)域于是可以在溝槽下方連接,。漏極區(qū)域例如在襯底下部部分上延伸的接觸區(qū)域208(n+)的頂部上并且與接觸區(qū)域208(n+)接觸。區(qū)域208比漏極區(qū)域206更重地被摻雜,。區(qū)域208電連接到端子k,。每個(gè)晶體管進(jìn)一步包括源極區(qū)域210(n+),其推薦地位于抵靠層304,。源極區(qū)域210例如比漏極區(qū)域206更重地被n型摻雜,。當(dāng)如上所述的晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),溝道區(qū)域202中的位于抵靠層304的垂直傳導(dǎo)溝道將源極區(qū)域210連接到漏極區(qū)域206,。晶體管的溝道長(zhǎng)度因此對(duì)應(yīng)于溝道區(qū)域202的厚度,。選擇溝道區(qū)域202和源極區(qū)域210的注入能量來獲得期望的溝道長(zhǎng)度。作為示例,,區(qū)域202的厚度在從150nm到800nm的范圍內(nèi),。在二極管10中,晶體管t1的柵極區(qū)域302,、源極區(qū)域210和接觸區(qū)域204推薦地電連接到陽極端子a,。這使得晶體管能夠限定二極管10。上海哪里有二極管現(xiàn)貨
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