三、根據(jù)開關(guān)頻率選擇不同的IGBT系列IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開關(guān)損耗組成,，不同的開關(guān)頻率,，開關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE(sat)和決定IGBT開關(guān)損耗的開關(guān)時(shí)間（ton,，toff）又是一對(duì)矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開關(guān)頻率來選擇不同特征的IGBT。在低頻如fk<10KHz時(shí),，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列,。對(duì)于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT,；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開關(guān)損耗降低20％左右,，因而“KT3”將更有優(yōu)勢(shì),。“KT3”由于開關(guān)速度更快,，對(duì)吸收與布線要求更高,。若開關(guān)頻率在10KHz－15KHz之間，請(qǐng)使用英飛凌后綴為“DN2”和“KT3”的IGBT模塊,，今后對(duì)于fk≤15KHz的應(yīng)用場(chǎng)合,，建議客戶逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”,。當(dāng)開關(guān)頻率fk≥15KHz時(shí),，開關(guān)損耗是主要的，通態(tài)損耗占的比例比較小,。比較好選擇英飛凌短拖尾電流“KS4”高頻系列,。當(dāng)然對(duì)于fk在15KHz－20KHz之間時(shí)，“DN2”系列也是比較好的選擇,。英飛凌“KS4”高頻系列,，硬開關(guān)工作頻率可達(dá)40KHz；若是軟開關(guān),，可工作在150KHz左右,。IGBT在高頻下工作時(shí)。IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機(jī)構(gòu),、Trench溝槽型結(jié)構(gòu),；四川模塊構(gòu)件

    IGBT與MOSFET的開關(guān)速度比較因功率MOSFET具有開關(guān)速度快，峰值電流大，容易驅(qū)動(dòng),，安全工作區(qū)寬,，dV/dt耐量高等優(yōu)點(diǎn)，在小功率電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用,。但是由于導(dǎo)通特性受和額定電壓的影響很大,，而且工作電壓較高時(shí)，MOSFET固有的反向二極管導(dǎo)致通態(tài)電阻增加,，因此在大功率電子設(shè)備中的應(yīng)用受至限制,。IGBT是少子器件，它不但具有非常好的導(dǎo)通特性,，而且也具有功率MOSFET的許多特性,，如容易驅(qū)動(dòng)，安全工作區(qū)寬,，峰值電流大,，堅(jiān)固耐用等，一般來講,，IGBT的開關(guān)速度低于功率MOSET,，但是IR公司新系列IGBT的開關(guān)特性非常接近功率MOSFET，而且導(dǎo)通特性也不受工作電壓的影響,。由于IGBT內(nèi)部不存在反向二極管,，用戶可以靈活選用外接恢復(fù)二極管，這個(gè)特性是優(yōu)點(diǎn)還是缺點(diǎn),，應(yīng)根據(jù)工作頻率,，二極管的價(jià)格和電流容量等參數(shù)來衡量。IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu),，電路符號(hào)及等效電路如圖1所示,。可以看出,，2020-08-30開關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)選擇BJT優(yōu)于MOSFET開關(guān)電源電氣可靠性設(shè)計(jì)1供電方式的選擇集中式供電系統(tǒng)各輸出之間的偏差以及由于傳輸距離的不同而造成的壓差降低了供電質(zhì)量,，而且應(yīng)用單臺(tái)電源供電，當(dāng)電源發(fā)生故障時(shí)可能導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓,。分布式供電系統(tǒng)因供電單元靠近負(fù)載,，改善了動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性,。吉林品質(zhì)模塊當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,。

    原標(biāo)題：干貨|大功率IGBT模塊及驅(qū)動(dòng)技術(shù)電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器,、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來越成為各種主回路的優(yōu)先功率開關(guān)器件,，因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt工作,，也成為越來越多的設(shè)計(jì)工程師面臨需要解決的課題,。在使用igbt構(gòu)成的各種主回路之中，大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路起到弱電控制強(qiáng)電的終端界面(接口)作用,。因其重要性,，所以可以將該電路看成是一個(gè)相對(duì)**的“子系統(tǒng)”來研究、開發(fā)及設(shè)計(jì),。大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路一直伴隨igbt技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,，現(xiàn)在市場(chǎng)上流行著很多種類非常成熟的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路**產(chǎn)品，成為大多數(shù)設(shè)計(jì)工程師的優(yōu)先;也有許多的工程師根據(jù)其電路的特殊要求,，自行研制出各種**的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,。本文對(duì)這些大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路進(jìn)行分類，并對(duì)該電路需要達(dá)到的一些功能進(jìn)行闡述,，***展望此電路的發(fā)展,。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場(chǎng)合,。來源：電力電子技術(shù)與新能源,，智享汽車圈返回搜狐。

    加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓。1IGBT模塊簡(jiǎn)介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫,，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管,，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越***的應(yīng)用，在較高頻率的大,、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位,。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通,；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,，則MOS截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給,，使得晶體管截止,。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件。你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體,，IGBT具有 MOS 的輸入特性和BJT 管的輸出特性,。

優(yōu)勢(shì)：?簡(jiǎn)單的串聯(lián)方式?很強(qiáng)的抗浪涌電流能力?標(biāo)準(zhǔn)封裝，易于安裝英飛凌二極管綜述：具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件,、具有高性價(jià)比的晶閘管/二極管模塊,、采用分立封裝的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率，覆蓋10kW-10GW的寬廣功率范圍,，樹立了行業(yè)應(yīng)用**,。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應(yīng)用范圍包括服務(wù)器堆場(chǎng)、太陽(yáng)能發(fā)電廠和儲(chǔ)能系統(tǒng)等,；同時(shí)適用于工業(yè)和汽車級(jí)應(yīng)用,。當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊,。江西質(zhì)量模塊報(bào)價(jià)表

IGBT是能源變換與傳輸?shù)?*器件,。四川模塊構(gòu)件

    因此在驅(qū)動(dòng)電路的輸出端給柵極加電壓保護(hù)，并聯(lián)電阻Rge以及反向串聯(lián)限幅穩(wěn)壓管,，如圖4所示,。圖4柵極保護(hù)電路柵極串聯(lián)電阻Rg對(duì)IGBT開通過程影響較大。Rg小有利于加快關(guān)斷速度,，減小關(guān)斷損耗,，但過小會(huì)造成di/dt過大，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰,。根據(jù)本設(shè)計(jì)的具體要求,，Rg選取Ω。柵極連線的寄生電感和柵極與射極間的寄生電容耦合,，會(huì)產(chǎn)生振蕩電壓,，所以柵極引線應(yīng)采用雙絞線傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并盡可能短,，比較好不超過m,，以減小連線電感。四路驅(qū)動(dòng)電路光耦與PWM兩路輸出信號(hào)的接線如圖5所示,。圖5四路驅(qū)動(dòng)電路光耦與PWM的兩路輸出信號(hào)的接線實(shí)驗(yàn)波形如圖6所示,。圖6a是柵極驅(qū)動(dòng)四路輸出波形。同時(shí)測(cè)四路驅(qū)動(dòng)波形時(shí),，要在未接通主電路條件下檢測(cè),。因?yàn)槭褂枚噗櫴静ㄆ鳈z測(cè)時(shí)，只允許一只探頭的接地端接參考電位,，防止發(fā)生短路燒壞示波器,。只有檢測(cè)相互間電路隔離的電路信號(hào)時(shí)，才可以同時(shí)使用接地端選擇公共參考電位,。圖6b是IGBT上集-射極電壓Uce波形,。由于全橋式逆變電路中IGBT相互間的電路信號(hào)是非隔離的，不能用普通探頭進(jìn)行多蹤示波,，該電壓波形是用高壓隔離探頭測(cè)得,，示波器讀數(shù)為實(shí)際數(shù)值的1/50。由波形可知,，lGBT工作正常,。在橋式逆變電路中影響Uce波形的。四川模塊構(gòu)件

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