RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產(chǎn)生壓降,，還會(huì)造成過(guò)沖電壓,，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流,，從而克服了過(guò)沖電壓。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓,，每次關(guān)斷前C*將上次關(guān)斷電壓的過(guò)沖部分能量回饋到電源，減小了吸收電路的功耗,。因電容電壓在IGBT關(guān)斷時(shí)從電源電壓開(kāi)始上升,，它的過(guò)電壓吸收能力不如RCD型充放電型,。從吸收過(guò)電壓的能力來(lái)說(shuō)，放電阻止型效果稍差,，但能量消耗較小,。對(duì)緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L；⑵吸收電容應(yīng)采用低感或無(wú)感吸收電容,，它的引線應(yīng)盡量短,，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二極管應(yīng)采用快開(kāi)通和快軟恢復(fù)二極管,，以免產(chǎn)生開(kāi)通過(guò)電壓,，和反向恢復(fù)引起較大的振蕩過(guò)電壓。,，得出了設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的幾點(diǎn)事項(xiàng)：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應(yīng)的影響,，能引起意外的電壓尖峰損害，所以設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)讓柵極的阻抗足夠低,，以盡量消除其負(fù)面影響,；⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì)IGBT的開(kāi)通過(guò)程及驅(qū)動(dòng)脈沖的波形都有很大的影響，所以設(shè)計(jì)時(shí)要綜合考慮,；⑶應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來(lái)控制故障電流的下降速率,，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值，達(dá)到短路保護(hù)的目的,。MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。內(nèi)蒙古替換模塊

    IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn),，又具有功率晶體管高電壓,、電流大等優(yōu)點(diǎn)。其特性發(fā)揮出MOSFET和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn),，正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內(nèi),，故在較高頻率應(yīng)用范圍中，其中中,、大功率應(yīng)用占據(jù)了主導(dǎo)地位,。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極發(fā)射極之間施加十幾V的直流電壓,，只有μA級(jí)的電流流過(guò),，基本上不消耗功率。但I(xiàn)GBT的柵極發(fā)射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬(wàn)pF）,，在驅(qū)動(dòng)脈沖的上升和下降沿需要提供數(shù)A級(jí)的充放電電流,，才能滿(mǎn)足開(kāi)通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)要求,，這使得它的驅(qū)動(dòng)電路也必須輸出一定的峰值電流。IGBT作為一種大功率的復(fù)合器件,，存在著過(guò)流時(shí)可能發(fā)生閉鎖現(xiàn)象而造成損壞的問(wèn)題,。在過(guò)流時(shí)如采取一定的速度***柵極電壓，過(guò)高的電流變化會(huì)引起過(guò)電壓,，需要采用軟關(guān)斷技術(shù),，因此掌握好IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)特性對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)是十分必要的。2．IGBT的柵極特性IGBT的柵極通過(guò)氧化膜和發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,。由于氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般只能達(dá)到20到30V，因此柵極擊穿是IGBT**常見(jiàn)的失效原因之一,。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)**大額定柵極電壓,。廣西標(biāo)準(zhǔn)模塊然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層,。

    1979年,，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類(lèi)晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),，其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵,。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)體)工藝被采用到IGBT中來(lái),。[2]在那個(gè)時(shí)候,，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設(shè)計(jì)。后來(lái),，通過(guò)采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個(gè)***改進(jìn),，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進(jìn)步，以及采用對(duì)應(yīng)給定阻斷電壓所設(shè)計(jì)的n+緩沖層而進(jìn)展的[3],。幾年當(dāng)中,，這種在采用PT設(shè)計(jì)的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計(jì)規(guī)則從5微米先進(jìn)到3微米,。90年代中期,，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來(lái)的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝,，但仍然是穿通(PT)型芯片結(jié)構(gòu),。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中,，實(shí)現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn),。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變，先是采用非穿通(NPT)結(jié)構(gòu),，繼而變化成弱穿通(LPT)結(jié)構(gòu),，這就使安全工作區(qū)(SOA)得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類(lèi)似的改善,。這次從穿通(PT)型技術(shù)先進(jìn)到非穿通(NPT)型技術(shù)，是**基本的,，也是很重大的概念變化,。這就是:穿通。

過(guò)零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器（AC-SSR）的內(nèi)部電路,。主要包括輸入電路,、光電耦合器、過(guò)零觸發(fā)電路,、開(kāi)關(guān)電路（包括雙向晶閘管）,、保護(hù)電路（RC吸收網(wǎng)絡(luò)）。當(dāng)加上輸入信號(hào)VI（一般為高電平）,、并且交流負(fù)載電源電壓通過(guò)零點(diǎn)時(shí),，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負(fù)載電源接通,。固態(tài)繼電器具有驅(qū)動(dòng)功率小,、無(wú)觸點(diǎn)、噪音低,、抗干擾能力強(qiáng),，吸合、釋放時(shí)間短,、壽命長(zhǎng),，能與TTL＼CMOS電路兼容，可取代傳統(tǒng)的電磁繼電器,。雙向可控硅可用于工業(yè),、交通、家用電器等領(lǐng)域,，實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓,、電機(jī)調(diào)速、交流開(kāi)關(guān),、路燈自動(dòng)開(kāi)啟與關(guān)閉,、溫度控制、臺(tái)燈調(diào)光,、舞臺(tái)調(diào)光等多種功能,，它還被用于固態(tài)繼電器（SSR）和固態(tài)接觸器電路中。要弄明白IGBT模塊,，就要先了解新能源汽車(chē)的電驅(qū)系統(tǒng),。

    隨集電極-發(fā)射極電壓的升高而增強(qiáng)（請(qǐng)參見(jiàn)等式（8））。低阻抗（即，低雜散電感）柵極驅(qū)動(dòng)電路,，也可比較大限度地降低發(fā)生寄生導(dǎo)通事件的風(fēng)險(xiǎn),。開(kāi)關(guān)時(shí)間數(shù)據(jù)表中給出的開(kāi)關(guān)時(shí)間，為確定半橋配置中的互補(bǔ)器件的接通與關(guān)斷之間的恰當(dāng)空載時(shí)間,，提供了有用信息,。關(guān)于設(shè)置恰當(dāng)?shù)目蛰d時(shí)間的更多信息，請(qǐng)參閱參考資料[1],。數(shù)據(jù)表中給出的開(kāi)關(guān)時(shí)間的定義如下,，如圖14中的示意圖所示。?接通延時(shí)（tdon）：10%柵極-發(fā)射極電壓,，至10%集電極電流?升高時(shí)間（tr）：10%集電極電流,，至90%集電極電流?關(guān)斷延時(shí)（tdoff）：90%柵極-發(fā)射極電壓，至90%集電極電流?下降時(shí)間（tf）：90%集電極電流,，至10%集電極電流開(kāi)關(guān)時(shí)間不能提供關(guān)于開(kāi)關(guān)損耗的可靠信息,，因?yàn)殡妷荷邥r(shí)間和下降時(shí)間以及電流拖尾均未確定。因此,，每個(gè)脈沖造成的功率損耗需單獨(dú)確定,。圖14開(kāi)關(guān)波形示意圖以及開(kāi)關(guān)時(shí)間和功率損耗定義在數(shù)據(jù)表中，將每個(gè)脈沖造成的開(kāi)關(guān)損耗定義為如下積分：積分范圍t1和t2為：?每個(gè)脈沖造成的接通功率損耗（Eon）：10%集電極電流,，至2%集電極-發(fā)射極電壓?每個(gè)脈沖造成的關(guān)斷功率損耗（Eoff）：10%集電極-發(fā)射極電壓,，至2%集電極電流這樣，開(kāi)關(guān)時(shí)間和每個(gè)脈沖造成的功率損耗,。如曲線OD段稱(chēng)為反向截止區(qū),，此時(shí)電流稱(chēng)為反向飽和電流。山西電源管理模塊

你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體,，IGBT具有 MOS 的輸入特性和BJT 管的輸出特性,。內(nèi)蒙古替換模塊

    全橋逆變電路IGBT模塊的實(shí)用驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)作者：海飛樂(lè)技術(shù)時(shí)間：2017-04-2116:311.前言全僑式逆變電路應(yīng)用***，國(guó)內(nèi)外許多廠家的焊機(jī)都采用此主電路結(jié)構(gòu),。全橋式電路的優(yōu)點(diǎn)是輸出功率較大,，要求功率開(kāi)關(guān)管耐壓較低，便于選管,。在硬開(kāi)關(guān)僑式電路中,，IGBT在高壓下導(dǎo)通，在大電流下關(guān)斷,，處于強(qiáng)迫開(kāi)關(guān)過(guò)程,，功率器件IGBT能否正常可靠使用起著至關(guān)重要的作用,。驅(qū)動(dòng)電路的作用就是將控制電路輸出的PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大,，滿(mǎn)足驅(qū)動(dòng)IGBT的要求。其性能直接關(guān)系到IGBT的開(kāi)關(guān)速度和功耗、整機(jī)效率和可靠性,。隨著開(kāi)關(guān)工作頻率的提高,，驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)更為重要,。2.硬開(kāi)關(guān)全橋式電路工作過(guò)程分析全橋式逆變主電路由功率開(kāi)關(guān)管IGBT和中頻變壓器等主要元器件組成,，如圖1所示快速恢復(fù)二極管VD1~VD4與lGBT1～I(xiàn)GBT4反向并聯(lián)、承受負(fù)載產(chǎn)生的反向電流以保護(hù)IGBT,。IGBT1和IGBT4為一組,，IGBT2和IGBT3為一組，每組IGBT同時(shí)導(dǎo)通與關(guān)斷,，當(dāng)激勵(lì)脈沖信號(hào)輪流驅(qū)動(dòng)IGBT1,、IGBT4和IGBT2、IGBT3時(shí),，逆變主電路把直流高壓轉(zhuǎn)換為20kHz的交流電壓送到中頻變壓器,，經(jīng)降壓整流濾波輸出。圖1全橋式逆變電路全橋式逆變器的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問(wèn)題,，正常工作情況下,。內(nèi)蒙古替換模塊

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司依托可靠的品質(zhì)，旗下品牌英飛凌,西門(mén)康,艾賽斯,巴斯曼以高質(zhì)量的服務(wù)獲得廣大受眾的青睞,。江蘇芯鉆時(shí)代經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)遍布國(guó)內(nèi)諸多地區(qū)地區(qū),，業(yè)務(wù)布局涵蓋IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器等板塊。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同,，致力于IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等實(shí)現(xiàn)一體化,，建立了成熟的IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器運(yùn)營(yíng)及風(fēng)險(xiǎn)管理體系，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn),，擁有一大批專(zhuān)業(yè)人才,。值得一提的是，江蘇芯鉆時(shí)代致力于為用戶(hù)帶去更為定向,、專(zhuān)業(yè)的電子元器件一體化解決方案,，在有效降低用戶(hù)成本的同時(shí)，更能憑借科學(xué)的技術(shù)讓用戶(hù)極大限度地挖掘英飛凌,西門(mén)康,艾賽斯,巴斯曼的應(yīng)用潛能。