一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二、三,、四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,。可畫出圖1的等效電路圖,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,，經(jīng)放大,，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的,，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加到控制極，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2）,，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果E極性反接,。按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。江西好的可控硅供應(yīng)商

    可控硅可控硅簡稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動電流較大,；MOSFET驅(qū)動功率很小,，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動等領(lǐng)域,。智能可控硅牌子反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花,、無噪音,；效率高，成本低等等,。

    其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí),，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持,，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的,。在正弦波交流電過零后的某一時(shí)刻t1（或某一相位角wt1）,，在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導(dǎo)通,，根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性,，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中,，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,，這一范圍稱為控制角，常用a表示,；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,，這一范圍稱為導(dǎo)通角，常用j表示,。同理在正弦波交流電的負(fù)半周,，對處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅（對兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言）在t2時(shí)刻（即相位角wt2）施加觸發(fā)脈沖，使其導(dǎo)通,。如此周而復(fù)始,，對正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通，獲得相同的導(dǎo)通角,。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間（或相位）,，即改變了導(dǎo)通角j（或控制角a）的大小。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高,，燈就越亮,。從上述可控硅調(diào)光原理可知，調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了,，除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài),。

    雙向可控硅型號,雙向可控硅是怎樣命名的雙向可控硅是怎樣命名的?雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”,。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。-------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)控制：Controlled(取個(gè)字母)整流器：Rectifier(取個(gè)字母)再由這三組英文名詞的早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,，如:BCR1AM-12、BCR8KM,、BCR08AM等等,。--------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)三端：Triode(取個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號命名,典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來命名雙向可控硅.型號如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E,、BT136-600E,、BT138-600E、BT139-600E,、,、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅,；Philips公司的產(chǎn)品型號前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號,。按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型,。

    可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成,。它的功能不僅是整流,，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,，有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭相采用的元件,。目前可控硅在自動控制、機(jī)電應(yīng)用,、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用,。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,。螺旋式應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)極----陽極(A),、陰極(C)和控制極(G)，管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié),，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),?？煽毓钁?yīng)用時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。海南優(yōu)勢可控硅供應(yīng)

小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。江西好的可控硅供應(yīng)商

    AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復(fù)峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結(jié)殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結(jié)溫VDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電壓IRRM--反向重復(fù)峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率可控硅延伸閱讀編輯1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中,，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導(dǎo)通,。應(yīng)用安裝時(shí),，首先要使柵極外的連線盡可能短,。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入,。在然后G與MT1之間加一個(gè)1KΩ的電阻來降低其靈敏度,，也可以再并聯(lián)一個(gè)100nf的電容，來濾掉高頻噪聲,。2,、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率當(dāng)驅(qū)動一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí)，在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移,。當(dāng)負(fù)載電流過零時(shí),，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關(guān)系,，電壓將不會是零,。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過允許值時(shí),，就沒有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,，而被迫使雙向可控硅。江西好的可控硅供應(yīng)商

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā),，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大,。公司目前擁有專業(yè)的技術(shù)員工，為員工提供廣闊的發(fā)展平臺與成長空間,，為客戶提供高質(zhì)的產(chǎn)品服務(wù),，深受員工與客戶好評。公司以誠信為本,，業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器,，我們本著對客戶負(fù)責(zé)，對員工負(fù)責(zé),，更是對公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度,，爭取做到讓每位客戶滿意。公司憑著雄厚的技術(shù)力量,、飽滿的工作態(tài)度,、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德,，樹立了良好的IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器形象,，贏得了社會各界的信任和認(rèn)可,。