使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷。這就需要增加換向電路,，不*使設(shè)備的體積重量增大,，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲,?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻率比GTR低。目前,，GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力,?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷,。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff，它等于陽極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng),。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。晶閘管是四層三端器件,，它有J1,、J2、J3三個PN結(jié),，可以把它中間的NP分成兩部分,。廣西晶閘管排行榜

    4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)是,，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷,。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件,。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前,，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是一種光敏器件,。由于其控制信號來自光的照射,，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K），結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,，是由四層PNPN器件構(gòu)成,。圖2光控晶閘管符號圖當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負(fù)向電壓時,，控晶閘管可以等效成的電路,。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的，只是它對光源的波長有一定的要求,，有選擇性,。波長在0．8——0．9um的紅外線及波長在1um左右的激光，都是光控晶閘管較為理想的光源,。晶閘管的應(yīng)用晶閘管是一種開關(guān)元件,，具有硅整流器件的特性，能在高電壓,、大電流條件下工作,。它基本的用途就是可控整流，其工作過程可以控制,，具有體積小,、輕、功耗低,、效率高,、開關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn)?；谏鲜鎏攸c(diǎn),。浙江加工晶閘管工廠直銷當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。

    認(rèn)識半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅,。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，形成三個PN結(jié),，分別稱：陽極,，陰極和控制極,。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通,，這是晶閘管的閘流特性,，即可控特性。若晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關(guān)斷。晶閘管的種類1．雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G,，其他兩個極稱為主電極Tl和T2,。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,，管子才能導(dǎo)通。它無所謂陽極和陰極,，不管觸發(fā)信號的極性如何,，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。這個特點(diǎn)是普通晶閘管所沒有的,。2．快速晶閘管人們在普通晶閘管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施,。

    其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源,、超聲波電源,、激光電源、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動車輛調(diào)速等領(lǐng)域,。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車和地鐵機(jī)車為了便于調(diào)速采用直流供電,，用直流開關(guān)動作增加或減小電路電阻，改變電路電流來控制車輛的速度,。但它有不能平滑起動和加速,。開關(guān)體積大、壽命短,，而且低速運(yùn)行時耗電大（減速時消耗在啟動電阻上）等缺點(diǎn),。自有了逆導(dǎo)晶閘管，采用了逆導(dǎo)晶閘管控制,、調(diào)節(jié)車速,，不*克服了上述缺點(diǎn)，而且還降低了功耗,，提高了機(jī)車可靠性,。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成（同做在一個硅片上。它的等效電路和符號如圖1所示。它的特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏?。由于它的陽極和陰極接入反向并聯(lián)的二極管,，可對電感負(fù)載關(guān)斷時產(chǎn)生的大電流、高電壓進(jìn)行快速釋放,。目前已經(jīng)能生產(chǎn)出耐壓達(dá)到1500～2500V正向電流達(dá)400A,。吸收電流達(dá)150A，關(guān)斷時間小于30微秒的逆導(dǎo)晶閘管,?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)為,，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷,。晶閘管晶閘管前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后,，撤掉信號亦能維持通態(tài),。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源,。晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和,。

    采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率,，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩，常加阻尼電阻,，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè)、直流側(cè),，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護(hù)之間,。吸收進(jìn)行電路設(shè)計好方法選用無感電容，接線應(yīng)盡量短,。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的,，有時對時間短、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電,，抑制過電壓的效果較差。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點(diǎn)是其動作電壓與溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用，當(dāng)過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流,，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時,。晶閘管分為螺栓形和平板形兩種,。湖南替換晶閘管

有的三個腿一般長，從左至右,，依次是陰極,、陽極和門極。廣西晶閘管排行榜

    有三個不同電極,、陽極A,、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制，以小電流控制大電流,，并且不象繼電器那樣控制時有火花產(chǎn)生,，而且動作快、壽命長,、可靠性好,。在調(diào)速、調(diào)光,、調(diào)壓,、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影?？煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的,，符號也不同。單向可控硅有三個PN結(jié),，由外層的P極和N極引出兩個電極,，分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極,。雙向可控硅有其獨(dú)特的特點(diǎn)：當(dāng)陽極接合,，陽極接合或柵極的正向電壓,，但沒有施加電壓時，它不導(dǎo)通,，并且同時連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時,，它將被關(guān)上。一旦開啟,，控制電壓有它的作用失去了控制,，無論控制電壓極性怎么沒有了，不管控制電壓,，將保持在接通狀態(tài),。關(guān)斷，只有在陽極電壓減小到一個臨界值,，或反之亦然,。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2,、g順序從左到右排列(電極引腳向下,，面向側(cè)面有字符)。當(dāng)施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時,，其傳導(dǎo)電流的大小可以改變,。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)一個脈沖的極性可以改變時,，其導(dǎo)通方向就隨著不同極性的變化而改變,，從而能夠進(jìn)行控制提供交流電系統(tǒng)負(fù)載。廣西晶閘管排行榜

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司屬于電子元器件的高新企業(yè),，技術(shù)力量雄厚,。江蘇芯鉆時代是一家有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)，一直“以人為本,，服務(wù)于社會”的經(jīng)營理念;“誠守信譽(yù),，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊,，具有IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器等多項業(yè)務(wù)。江蘇芯鉆時代順應(yīng)時代發(fā)展和市場需求,，通過**技術(shù),，力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器,。