使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷,。這就需要增加換向電路，不*使設(shè)備的體積重量增大,，而且會(huì)降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開(kāi)關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低,。目前,，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào),。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,，所以GTO門(mén)極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷,。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff,，它等于陽(yáng)極**大可關(guān)斷電流IATM與門(mén)極**大負(fù)向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,，說(shuō)明門(mén)極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng),。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個(gè)PN結(jié),，可以把它中間的NP分成兩部分。廣西晶閘管排行榜

    4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管,。其主要特點(diǎn)是,，當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件,。它的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管,。目前，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力,。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱(chēng)光觸發(fā)晶閘管,，是一種光敏器件,。由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射，沒(méi)有必要再引出控制極,，所以只有兩個(gè)電極（陽(yáng)極A和陰極K）,，結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成,。圖2光控晶閘管符號(hào)圖當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓,，陰極加上負(fù)向電壓時(shí)，控晶閘管可以等效成的電路,。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的,，只是它對(duì)光源的波長(zhǎng)有一定的要求，有選擇性,。波長(zhǎng)在0．8——0．9um的紅外線(xiàn)及波長(zhǎng)在1um左右的激光,，都是光控晶閘管較為理想的光源。晶閘管的應(yīng)用晶閘管是一種開(kāi)關(guān)元件,，具有硅整流器件的特性,，能在高電壓、大電流條件下工作,。它基本的用途就是可控整流,，其工作過(guò)程可以控制，具有體積小,、輕,、功耗低、效率高,、開(kāi)關(guān)迅速等優(yōu)點(diǎn),。基于上述特點(diǎn),。浙江加工晶閘管工廠(chǎng)直銷(xiāo)當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。

    認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱(chēng)做可控硅整流器,，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅。1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化,。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，形成三個(gè)PN結(jié),，分別稱(chēng)：陽(yáng)極,，陰極和控制極。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,。晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。工作過(guò)程加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通,，這是晶閘管的閘流特性，即可控特性,。若晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),，不管門(mén)極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷,。晶閘管的種類(lèi)1．雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G,，其他兩個(gè)極稱(chēng)為主電極Tl和T2。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽(yáng)極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導(dǎo)通,。它無(wú)所謂陽(yáng)極和陰極,，不管觸發(fā)信號(hào)的極性如何，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通,。這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒(méi)有的,。2．快速晶閘管人們?cè)谄胀ňчl管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施。

    其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開(kāi)關(guān),、大功率中頻感應(yīng)加熱電源,、超聲波電源、激光電源,、雷達(dá)調(diào)制器及直流電動(dòng)車(chē)輛調(diào)速等領(lǐng)域,。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車(chē)和地鐵機(jī)車(chē)為了便于調(diào)速采用直流供電，用直流開(kāi)關(guān)動(dòng)作增加或減小電路電阻,，改變電路電流來(lái)控制車(chē)輛的速度,。但它有不能平滑起動(dòng)和加速。開(kāi)關(guān)體積大,、壽命短,，而且低速運(yùn)行時(shí)耗電大（減速時(shí)消耗在啟動(dòng)電阻上）等缺點(diǎn),。自有了逆導(dǎo)晶閘管,，采用了逆導(dǎo)晶閘管控制、調(diào)節(jié)車(chē)速,，不*克服了上述缺點(diǎn),，而且還降低了功耗,，提高了機(jī)車(chē)可靠性。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成（同做在一個(gè)硅片上,。它的等效電路和符號(hào)如圖1所示,。它的特點(diǎn)是能反向?qū)ù箅娏鳌Ｓ捎谒年?yáng)極和陰極接入反向并聯(lián)的二極管,，可對(duì)電感負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的大電流,、高電壓進(jìn)行快速釋放。目前已經(jīng)能生產(chǎn)出耐壓達(dá)到1500～2500V正向電流達(dá)400A,。吸收電流達(dá)150A,，關(guān)斷時(shí)間小于30微秒的逆導(dǎo)晶閘管?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱(chēng)門(mén)控晶閘管,。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門(mén)極加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)時(shí)晶閘管能自行關(guān)斷,。晶閘管晶閘管前已述及,，普通晶閘管（SCR）靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài),。欲使之關(guān)斷,，必須切斷電源。晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和,。

    采用電子線(xiàn)路進(jìn)行保護(hù)等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散,，常稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有相對(duì)較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側(cè),、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽(yáng)極與陰極保護(hù)之間,。吸收進(jìn)行電路設(shè)計(jì)好方法選用無(wú)感電容,，接線(xiàn)應(yīng)盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€(xiàn)性元件組成上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,，有時(shí)對(duì)時(shí)間短,、峰值高、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電，抑制過(guò)電壓的效果較差,。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線(xiàn)端還并有硒堆或壓敏電阻等非線(xiàn)性元件。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓與溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用,，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線(xiàn)性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流，其值小于100μA,。當(dāng)加上電壓時(shí),。晶閘管分為螺栓形和平板形兩種。湖南替換晶閘管

有的三個(gè)腿一般長(zhǎng),，從左至右,，依次是陰極、陽(yáng)極和門(mén)極,。廣西晶閘管排行榜

    有三個(gè)不同電極,、陽(yáng)極A、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流,，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生，而且動(dòng)作快,、壽命長(zhǎng),、可靠性好。在調(diào)速,、調(diào)光,、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影,?？煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的，符號(hào)也不同,。單向可控硅有三個(gè)PN結(jié),，由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極,，分別稱(chēng)為陽(yáng)極和陰極，由中間的P極引出一個(gè)控制極,。雙向可控硅有其獨(dú)特的特點(diǎn)：當(dāng)陽(yáng)極接合，陽(yáng)極接合或柵極的正向電壓,，但沒(méi)有施加電壓時(shí),，它不導(dǎo)通，并且同時(shí)連接到陽(yáng)極和柵極的正向電壓反向電壓時(shí),，它將被關(guān)上,。一旦開(kāi)啟，控制電壓有它的作用失去了控制,，無(wú)論控制電壓極性怎么沒(méi)有了,，不管控制電壓，將保持在接通狀態(tài),。關(guān)斷,，只有在陽(yáng)極電壓減小到一個(gè)臨界值，或反之亦然,。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1,、t2、g順序從左到右排列(電極引腳向下,，面向側(cè)面有字符),。當(dāng)施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí)，其傳導(dǎo)電流的大小可以改變,。與單向可控硅的區(qū)別是,，雙向可控硅G極上觸發(fā)一個(gè)脈沖的極性可以改變時(shí)，其導(dǎo)通方向就隨著不同極性的變化而改變,，從而能夠進(jìn)行控制提供交流電系統(tǒng)負(fù)載,。廣西晶閘管排行榜

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司屬于電子元器件的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚,。江蘇芯鉆時(shí)代是一家有限責(zé)任公司（自然）企業(yè),，一直“以人為本，服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營(yíng)理念;“誠(chéng)守信譽(yù),，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針,。公司擁有專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具有IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊，熔斷器等多項(xiàng)業(yè)務(wù),。江蘇芯鉆時(shí)代順應(yīng)時(shí)代發(fā)展和市場(chǎng)需求,，通過(guò)**技術(shù),，力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器。