而用開啟電壓VT表征管子的特性。N溝道耗盡型MOS管的基本結(jié)構(gòu)（1）結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似,。（2）區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時(shí),，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生，而增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時(shí)才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,。（3）原因：制造N溝道耗盡型MOS管時(shí),，在SiO2絕緣層中摻入了大量的堿金屬正離子Na+或K+(制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子)，如圖1(a)所示,，因此即使vGS=0時(shí),，在這些正離子產(chǎn)生的電場作用下，漏——源極間的P型襯底表面也能感應(yīng)生成N溝道(稱為初始溝道),，只要加上正向電壓vDS,，就有電流iD。如果加上正的vGS,，柵極與N溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子,，溝道加寬，溝道電阻變小,，iD增大,。反之vGS為負(fù)時(shí)，溝道中感應(yīng)的電子減少,，溝道變窄,，溝道電阻變大，iD減小,。當(dāng)vGS負(fù)向增加到某一數(shù)值時(shí),，導(dǎo)電溝道消失，iD趨于零,，管子截止,，故稱為耗盡型。溝道消失時(shí)的柵－源電壓稱為夾斷電壓,，仍用VP表示,。與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管相同，N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓VP也為負(fù)值,，但是,，前者只能在vGS0，VP（4）電流方程：在飽和區(qū)內(nèi)，耗盡型MOS管的電流方程與結(jié)型場效應(yīng)管的電流方程相同,，即：各種場效應(yīng)管特性比較P溝MOS晶體管金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng),。OS管是指場效應(yīng)管。它采用絕緣柵結(jié)構(gòu)的晶體三極管,，輸入阻抗高,，輸出呈電阻態(tài)。進(jìn)口MOS管銷售廠家

    MOS管,，只要是電子相關(guān)專業(yè)的,，只要是硬件工程師，都會學(xué)過：書上說,，MOS管的主要作用是放大,。不過實(shí)際在智能硬件產(chǎn)品開發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開發(fā)中，幾乎沒有用到放大用的MOS管,，絕大部分是用來做開關(guān)的。偶爾有些放大作用的MOS管,，也是集成在芯片里面的,。可以毫不夸張的講,，只要不是做IC設(shè)計(jì)的,，幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來的MOS放大電路,，性能不可能有專業(yè)芯片公司做的好的,。本文主要講MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法。至于MOS管G,、S,、D三個(gè)端口、N-MOS,、P-MOS這樣的基礎(chǔ)知識,，我們就不贅述了，需要的讀者請自行翻書查資料吧,。用作開關(guān)的時(shí)候,，不管是N-MOS還是P-MOS，記住一句話即可：VGS有電壓差,，MOS管就導(dǎo)通,。VGS沒有電壓差，MOS管就關(guān)閉,。MOS管常見的主要用途有以下幾種負(fù)極開關(guān)（N-MOS）：設(shè)備控制LED燈控制電路馬達(dá)控制電路N-MOS廣泛應(yīng)用于設(shè)備通斷的控制,。例如上圖的LED燈控制和電動馬達(dá)的控制。GPIO口拉高，MOS管就導(dǎo)通,，LED燈亮,、馬達(dá)轉(zhuǎn)動。GPIO拉低,，MOS管就關(guān)閉,，LED燈滅，馬達(dá)就停止轉(zhuǎn)動,。在普通的低電壓數(shù)字電路上,，這種控制方式對MOS管本身沒有什么特定高要求，隨便抓一個(gè)N-MOS也可以用,。NPN的三極管也可以用,。正極開關(guān)。進(jìn)口MOS管銷售廠家其優(yōu)點(diǎn)是效率高（可達(dá)80%）,、抗輻射能力強(qiáng)以及耐高溫性能好,。

    我們看下面FLYBACK電流波形圖（圖形不是太清楚，十分抱歉,，建議雙擊放大觀看）,。從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時(shí),，有個(gè)下跌,，這個(gè)下跌點(diǎn)后又有一段的上升時(shí)間，這段時(shí)間其本質(zhì)就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關(guān)斷后,，MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷,，但是由于器件本身的關(guān)斷延遲，因此電流會有個(gè)二次上升平臺,，如果二次上升平臺過大,，那么在變壓器余量設(shè)計(jì)不足時(shí)，就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個(gè)電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個(gè)失效,。3：合理的熱設(shè)計(jì)余量,，這個(gè)就不多說了，各個(gè)企業(yè)都有自己的降額規(guī)范,，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了,，不行就加散熱器。在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時(shí)候,，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻,，大電壓等，大電流等,，也有很多人考慮這些因素,。這樣的電路也許是可以工作的,，但并不是的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的,。1,、MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被**成增強(qiáng)型或耗盡型,，P溝道或N溝道共4種類型,，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS,，或者PMOS指的就是這兩種,。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底,。對于這兩種增強(qiáng)型MOS管,，比較常用的是NMOS,。

    MOS管工作原理圖詳解MOS管是FET的一種(另一種是JFET),，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型,，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種,。對于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS,。原因是導(dǎo)通電阻小,，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中,，一般都用NMOS,。下面的介紹中，也多以NMOS為主,。MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在,，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的,。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動電路的時(shí)候要麻煩一些,，但沒有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹,。在MOS管工作原理圖上可以看到,，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管,，在驅(qū)動感性負(fù)載(如馬達(dá)),，這個(gè)二極管很重要。順便說一句，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在,，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的,。MOS管工作原理圖電源開關(guān)電路詳解這是該裝置的中心，在介紹該部分工作原理之前,，先簡單解釋一下MOS的工作原理圖,。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的為增強(qiáng)型MOSMOS管,，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見mos管工作原理圖,。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,，PNP型也叫P溝道型,。由圖可看出。它是利用絕緣柵極下的p型區(qū)與源漏之間的擴(kuò)散電流和電場在垂直方向上的不同導(dǎo)電特性來工作的,。

    如果N-MOS做開關(guān),，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通,，P-MOS則相反,。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大,，壓降增大,，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱,。這是設(shè)計(jì)電路的忌諱的錯(cuò)誤,；（本次產(chǎn)品測試問題點(diǎn)雖然不是出在電路設(shè)計(jì)上，但BOM做錯(cuò)比設(shè)計(jì)錯(cuò)誤往往更難分析）2,、頻率太高,，主要是有時(shí)過分追求體積，導(dǎo)致頻率提高,，MOS管上的損耗增大了,，所以發(fā)熱也加大了；3,、沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值,，一般需要良好的散熱才能達(dá)到,。所以ID小于大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重,，需要足夠的輔助散熱片,；4,、MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤,，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大?？偨Y(jié)二：MOS管工作狀態(tài)分析MOS管工作狀態(tài)有四種,，開通過程、導(dǎo)通狀態(tài),、關(guān)斷過程,，截止?fàn)顟B(tài)；MOS管主要損耗：開關(guān)損耗,，導(dǎo)通損耗,，截止損耗，還有雪崩能量損耗,，開關(guān)損耗往往大于后者,；MOS管主要損壞原因：過流（持續(xù)大電流或瞬間超大電流），過壓（D-S,，G-S被擊穿）,，靜電（個(gè)人認(rèn)為可屬于過壓）；總結(jié)三：MOS管工作過程分析MOS管工作過程非常復(fù)雜,，里面變量很多,，總之開關(guān)慢不容易導(dǎo)致米勒震蕩（介紹米勒電容，米勒效應(yīng)等,，很詳細(xì)）,，但開關(guān)損耗會加大。mos管具有單向?qū)щ娦浴?a href="http://18740.cn/zdcbsx/2a1k9vd8q5/17443377.html" target="_blank">進(jìn)口MOS管銷售廠家

開關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過程中,，也就是MOS處于恒流區(qū)時(shí)所產(chǎn)生的損耗。進(jìn)口MOS管銷售廠家

    而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí),，其特性差異很大,，b值將減小很多。6,、場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。7,、場效應(yīng)管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路,，但是場效應(yīng)管制造工藝簡單，并且又具有普通晶體三極管不能比擬的***特性,，在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管,，目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中,，已經(jīng)廣的采用場效應(yīng)管。8,、輸入阻抗高,，驅(qū)動功率小：由于柵源之間是二氧化硅（SiO2）絕緣層,，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻,，一般達(dá)100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗,。由于輸入阻抗高，對激勵(lì)信號不會產(chǎn)生壓降,，有電壓就可以驅(qū)動,，所以驅(qū)動功率極小（靈敏度高）,。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb,，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動集電極電流的產(chǎn)生,。晶體三極管的驅(qū)動是需要功率的（Vb×Ib）,。9、開關(guān)速度快:MOSFET的開關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系,，由于輸入容性特性的存在,，使開關(guān)的速度變慢，但是在作為開關(guān)運(yùn)用時(shí),，可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻,，加快開關(guān)速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動，加快了容性的充放電的時(shí)間）,。MOSFET只靠多子導(dǎo)電,。進(jìn)口MOS管銷售廠家

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