雙向可控硅應(yīng)用現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場(chǎng)很多,,可控硅應(yīng)用在自動(dòng)控制領(lǐng)域,,機(jī)電領(lǐng)域,,工業(yè)電器及家電等方面都有可控硅的身影,。許先生告訴記者,,他目前的幾個(gè)大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單,可見可控硅在人們的生活中都有應(yīng)用,。更重要的是,,可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定,比方說(shuō)用于家電產(chǎn)品中的電子開關(guān),,可以說(shuō)是鮮少變化的,。無(wú)論其他的元件怎么變化,可控硅的變化是不大的,,這相對(duì)來(lái)說(shuō),,等于擴(kuò)大的可控硅的應(yīng)用市場(chǎng),減少了投資的風(fēng)險(xiǎn),??煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷,;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花,、無(wú)噪音,;效率高,成本低等等,。在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線,,并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼,,構(gòu)成了晶體二極管,。新疆模塊代理商
英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應(yīng)用在完善的Econo2和Econo4封裝中。它們可以與EconoPACK2&3和EconoPACK4封裝三相橋較高程度地配合使用,。EconoBRIDGE可在整流級(jí)*有二極管時(shí)實(shí)現(xiàn)不控整流,,也可在整流級(jí)中使用晶閘管實(shí)現(xiàn)半控整流,。關(guān)鍵特性?高集成度:整流橋、制動(dòng)斬波器和NTC共用一個(gè)封裝,,可節(jié)約系統(tǒng)成本?靈活性:可定制的封裝(引腳位置和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可根據(jù)客戶需求定制)?一體通用:多種拓?fù)浜碗娏鳎?00A-360A)等級(jí)適用于多種應(yīng)用,,實(shí)現(xiàn)平臺(tái)化戰(zhàn)略?功率密度:與TrenchstopIGBT3相比,TrenchstopIGBT4技術(shù)的Tvjop達(dá)到150°C,具有更高的功率密度,,適用于緊湊型逆變器設(shè)計(jì)?性能:與標(biāo)準(zhǔn)模塊相比,,預(yù)涂熱界面材料(TIM)*可以提高輸出功率并延長(zhǎng)使用壽命?標(biāo)準(zhǔn)化:建立符合RoHS的封裝理念,實(shí)現(xiàn)高可用性?簡(jiǎn)便性:PressFIT用于主端子以及輔助端子,,以減少裝配的工作量應(yīng)用領(lǐng)域?電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)?采暖通風(fēng)與空調(diào)(HVAC)?不間斷電源(UPS)100kVA?太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案?工業(yè)加熱和焊接私人模塊類型高性價(jià)比 ?全程采用X射線100%監(jiān)測(cè)生產(chǎn),,保 障產(chǎn)品的高性能和使用壽命。
西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,載流密度大,,但驅(qū)動(dòng)電流較大,;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,,但導(dǎo)通壓降大,,載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),,驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域
Le是射極回路漏電感,,用電感L1與二極管VD并聯(lián)作為負(fù)載,。圖2IGBT開通波形IGBT開通波形見圖2b。T0時(shí)刻,,IGBT處于關(guān)斷狀態(tài),,柵極驅(qū)動(dòng)電壓開始上升,Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc決定,,上升較快,。到t1時(shí)刻。Uge達(dá)到柵極門檻值(約4~5V),,集電極電流開始上升,。導(dǎo)致Uge波形偏離原有軌跡的因素主要有兩個(gè):一是發(fā)射極電路中分布電感Le的負(fù)反饋?zhàn)饔茫欢菛艠O-集電極電容Cgc的密勒效應(yīng)。t2時(shí)刻,,Ic達(dá)到比較大值,,集射極電壓Uce下降,同時(shí)Cgc放電,,驅(qū)動(dòng)電路電流增大,,使得Rg和R上分壓加大,也造成Uge下降,。直到t3時(shí)刻,,Uce降為0,Ic達(dá)到穩(wěn)態(tài)值,,Uge才以較快的上升率達(dá)到比較大值,。IGBT關(guān)斷波形如圖2c所示。T0時(shí)刻?hào)艠O驅(qū)動(dòng)電壓開始下降,,到t1時(shí)刻達(dá)到剛能維持Ic的水下,lGBT進(jìn)入線性工作區(qū),,Uce開始上升,,對(duì)Cgc、Cge充電,,由于對(duì)兩個(gè)寄生電容的耦合充電作用,,使得在t1~t2期間,Uge基本不變,。在t3時(shí)刻,,Uce上升結(jié)束,Uge和Ic以柵極-發(fā)射極間固有阻抗下降為0,。通過(guò)以上分析可知,,對(duì)IGBT開通關(guān)斷過(guò)程影響較大的因素是驅(qū)動(dòng)電路的阻杭、Le和Cge,。因此在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,,應(yīng)選擇Cgc較小的IGBT,并通過(guò)合理布線,、選擇合理電阻等方法改善開通與關(guān)斷的過(guò)程,。,四路驅(qū)動(dòng)電路完全相同,。二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過(guò)二極管的電流之間的關(guān)系,。
HybridPACK?DSC是英飛凌全新的創(chuàng)新型解決方案,適用于混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車的主逆變器,。得益于模制模塊的雙面冷卻設(shè)計(jì),,該產(chǎn)品可提供更高的功率密度。在芯片溫度及電流傳感器的幫助下,IGBT的驅(qū)動(dòng)效果將更加接近其極限,,從而進(jìn)一步提高功率密度,。HybridPACK?DSC模塊具有高度可拓展性,為客戶所使用的平臺(tái)和方法提供支持,。HybridPACK?驅(qū)動(dòng)是一款非常緊湊的電源模塊,,專門針對(duì)混合動(dòng)力汽車及電動(dòng)汽車的主逆變器應(yīng)用(xEV)進(jìn)行了優(yōu)化,功率范圍比較高達(dá)150kW,。這款電源模塊搭載了新一代EDT2IGBT芯片,,后者采用汽車級(jí)微型溝槽式場(chǎng)截止單元設(shè)計(jì)。這款芯片組擁有基準(zhǔn)電流密度并具有短路耐用表現(xiàn),,阻斷電壓得以增加,,可在苛刻的環(huán)境條件下實(shí)現(xiàn)可靠的逆變器表現(xiàn)。英飛凌HybridPACK?系列涵蓋混合動(dòng)力車和電動(dòng)車中IGBT模塊所需的完整功率譜,。各種產(chǎn)品版本是通過(guò)產(chǎn)品組合中的套件創(chuàng)新和芯片開發(fā)實(shí)現(xiàn)的,。并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼,,構(gòu)成了晶體二極管,,如下圖所示。內(nèi)蒙古家居模塊
二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過(guò)二極管的電流之間的關(guān)系,,用于定性描述這兩者關(guān)系的,。新疆模塊代理商
在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前,功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場(chǎng)合,,晶閘管,、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOSFET雖然有開關(guān)速度快,、輸入阻抗高,、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn);但是,,在200V或更高電壓的場(chǎng)合,,MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加會(huì)迅速增加,使得其功耗大幅增加,,存在著不能得到高耐壓,、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦?,雖然可以得到高耐壓,、大容量的元件,但是它要求的驅(qū)動(dòng)電流大,,控制電路非常復(fù)雜,,而且交換速度不夠快。新疆模塊代理商
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