本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體地說,，本實(shí)用新型涉及一種igbt模塊,。背景技術(shù)：引腳在igbt(insulatedgatebipolartransistor)模塊中的作用是做電路的引出，引腳焊接的品質(zhì)直接關(guān)系到模塊的電路輸出及整體生產(chǎn)良率,。對(duì)于現(xiàn)有的模塊,，引腳與銅層之間的焊接面積較小，在作業(yè)過程中容易出現(xiàn)爬錫不良及虛焊等品質(zhì)問題,，影響產(chǎn)品整體作業(yè)良率,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此,，本實(shí)用新型提供一種igbt模塊,，目的是提高引腳的焊接品質(zhì)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為：igbt模塊,，包括鋁基板和引腳，所述引腳包括與所述鋁基板焊接的***連接部,、與***連接部連接的第二連接部和與第二連接部連接且與***連接部相平行的第三連接部,，***連接部的長(zhǎng)度為，第二連接部與第三連接部之間的夾角為120°,。所述鋁基板包括鋁層,、設(shè)置于鋁層上的絕緣層和設(shè)置于絕緣層上的銅層，所述***連接部與銅層焊接,。本實(shí)用新型的igbt模塊,，通過增大引腳與鋁基板的焊接面積，提高了引腳的焊接品質(zhì),，提升了產(chǎn)品整體作業(yè)良率,，確保產(chǎn)品的電性輸出。附圖說明本說明書包括以下附圖，所示內(nèi)容分別是：圖1是本實(shí)用新型igbt模塊的結(jié)構(gòu)示意圖,。IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM）,，能讓電力電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)一致性的散熱性能。湖南推廣模塊

    加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓。1IGBT模塊簡(jiǎn)介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫,，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管,，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越***的應(yīng)用,，在較高頻率的大,、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT的等效電路如圖1所示,。由圖1可知,，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通,，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通,；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS截止,，切斷PNP晶體管基極電流的供給,，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,。湖南模塊二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關(guān)系,，用于定性描述這兩者關(guān)系的,。

    功率開關(guān)器件在工作前半周與后半周導(dǎo)***寬相等,，飽和壓降相等,，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒有剩磁,。但是,，如果IGBT驅(qū)動(dòng)電路輸出脈寬不對(duì)稱或其他原因，就會(huì)產(chǎn)生正負(fù)半周不平衡問題,，此時(shí),，變壓器內(nèi)的磁心會(huì)在某半周積累剩磁，出現(xiàn)“單向偏磁”現(xiàn)象,，經(jīng)過幾個(gè)脈沖,，就可以使變壓器單向磁通達(dá)到飽和，變壓器失去作用,，等效成短路狀態(tài),。這對(duì)于IGBT來說，極其危險(xiǎn),，可能引發(fā),。橋式電路的另一缺點(diǎn)是容易產(chǎn)生直通現(xiàn)象。直通現(xiàn)象是指同橋臂的IGBT在前后半周導(dǎo)通區(qū)間出現(xiàn)重疊,，主電路板路,，巨大的加路電流瞬時(shí)通過IGBT。針對(duì)上述兩點(diǎn)不足,，從驅(qū)動(dòng)的角度出發(fā),、設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路必須滿足四路驅(qū)動(dòng)的波形完全對(duì)稱，嚴(yán)格限制比較大工作脈寬,，保證死區(qū)時(shí)間足夠,，，其驅(qū)動(dòng)與MOSFET驅(qū)動(dòng)相似,，是電壓控制器件,，驅(qū)動(dòng)功率小。但I(xiàn)GBT的柵極與發(fā)射極之間,、柵極與集電極之間存在著結(jié)間電容,，在它的射極回路中存在著漏電感，由于這些分布參數(shù)的影響,，使得IGBT的驅(qū)動(dòng)波形與理想驅(qū)動(dòng)波形產(chǎn)生較大的變化,，并產(chǎn)生了不利于IGBT開通和關(guān)斷的因素。IGBT開關(guān)等效電路如圖2a所示,。E是驅(qū)動(dòng)信號(hào)源,，R是驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)陰，Rg為柵極串聯(lián)電阻Cge、Cgc分別為柵極與發(fā)射極,、集電極之間的寄生電容,。

雙向可控硅作用1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調(diào)壓或交流電子開關(guān),。2,、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路,，是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意,。3,、可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷,；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花,、無噪音,；效率高，成本低等等,。雙向可控硅應(yīng)用現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場(chǎng)很多,，可控硅應(yīng)用在自動(dòng)控制領(lǐng)域，機(jī)電領(lǐng)域,，工業(yè)電器及家電等方面都有可控硅的身影,。許先生告訴記者，他目前的幾個(gè)大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單,，可見可控硅在人們的生活中都有應(yīng)用,。更重要的是，可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定,，比方說用于家電產(chǎn)品中的電子開關(guān),，可以說是鮮少變化的。無論其他的元件怎么變化,，可控硅的變化是不大的,，這相對(duì)來說，等于擴(kuò)大的可控硅的應(yīng)用市場(chǎng),，減少了投資的風(fēng)險(xiǎn),。通過晶體管圖示儀觀察到硅二極管的伏安特性如下圖所示,。

    以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓,。此外,，在柵極—發(fā)射極間開路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,，則隨著集電極電位的變化,，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高,，集電極則有電流流過。這時(shí),，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場(chǎng)合,，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(shí)（柵極處于開路狀態(tài)），若在主回路上加上電壓,，則IGBT就會(huì)損壞,，為防止此類故障，應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻,。在安裝或更換IGBT模塊時(shí),，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,，比較好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂,。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,，而發(fā)生故障,。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,，當(dāng)溫度過高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作,。4保管時(shí)的注意事項(xiàng)一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),，不應(yīng)偏離太大,。常溫的規(guī)定為5～35℃，常濕的規(guī)定在45～75％左右,。在冬天特別干燥的地區(qū),，需用加濕機(jī)加濕;盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合。用于定性描述這兩者關(guān)系的曲線稱為伏安特性曲線,。廣西模塊工業(yè)化

樹立了行業(yè)應(yīng)用**,。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應(yīng)用范圍包括服務(wù)器堆場(chǎng),、太陽能發(fā)電廠。湖南推廣模塊

    隨集電極-發(fā)射極電壓的升高而增強(qiáng)（請(qǐng)參見等式（8））,。低阻抗（即,，低雜散電感）柵極驅(qū)動(dòng)電路，也可比較大限度地降低發(fā)生寄生導(dǎo)通事件的風(fēng)險(xiǎn),。開關(guān)時(shí)間數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時(shí)間,，為確定半橋配置中的互補(bǔ)器件的接通與關(guān)斷之間的恰當(dāng)空載時(shí)間，提供了有用信息,。關(guān)于設(shè)置恰當(dāng)?shù)目蛰d時(shí)間的更多信息,，請(qǐng)參閱參考資料[1]。數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時(shí)間的定義如下,，如圖14中的示意圖所示,。?接通延時(shí)（tdon）：10%柵極-發(fā)射極電壓，至10%集電極電流?升高時(shí)間（tr）：10%集電極電流,，至90%集電極電流?關(guān)斷延時(shí)（tdoff）：90%柵極-發(fā)射極電壓,，至90%集電極電流?下降時(shí)間（tf）：90%集電極電流，至10%集電極電流開關(guān)時(shí)間不能提供關(guān)于開關(guān)損耗的可靠信息,，因?yàn)殡妷荷邥r(shí)間和下降時(shí)間以及電流拖尾均未確定,。因此，每個(gè)脈沖造成的功率損耗需單獨(dú)確定,。圖14開關(guān)波形示意圖以及開關(guān)時(shí)間和功率損耗定義在數(shù)據(jù)表中,，將每個(gè)脈沖造成的開關(guān)損耗定義為如下積分：積分范圍t1和t2為：?每個(gè)脈沖造成的接通功率損耗（Eon）：10%集電極電流，至2%集電極-發(fā)射極電壓?每個(gè)脈沖造成的關(guān)斷功率損耗（Eoff）：10%集電極-發(fā)射極電壓,，至2%集電極電流這樣,，開關(guān)時(shí)間和每個(gè)脈沖造成的功率損耗。湖南推廣模塊

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