在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過,，基本上不消耗功率,。2IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表,。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,，所產生的額定損耗亦變大。同時,，開關損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇，因此,，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流,。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大,，發(fā)熱加劇,，選用時應該降等使用,。3使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現電隔離,。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。因此使用中要注意以下幾點：在使用模塊時,，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時,，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,，再觸摸；在用導電材料連接模塊驅動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊,；盡量在底板良好接地的情況下操作。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓,，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,，通常采用雙絞線來傳送驅動信號,。二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系。黑龍江模塊品牌

    Le是射極回路漏電感,，用電感L1與二極管VD并聯(lián)作為負載,。圖2IGBT開通波形IGBT開通波形見圖2b。T0時刻,，IGBT處于關斷狀態(tài),，柵極驅動電壓開始上升，Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc決定,，上升較快,。到t1時刻。Uge達到柵極門檻值(約4~5V),，集電極電流開始上升,。導致Uge波形偏離原有軌跡的因素主要有兩個：一是發(fā)射極電路中分布電感Le的負反饋作用；二是柵極-集電極電容Cgc的密勒效應,。t2時刻,，Ic達到比較大值，集射極電壓Uce下降,，同時Cgc放電,，驅動電路電流增大，使得Rg和R上分壓加大,，也造成Uge下降,。直到t3時刻,，Uce降為0，Ic達到穩(wěn)態(tài)值,，Uge才以較快的上升率達到比較大值,。IGBT關斷波形如圖2c所示。T0時刻柵極驅動電壓開始下降,，到t1時刻達到剛能維持Ic的水下,，lGBT進入線性工作區(qū)，Uce開始上升,，對Cgc,、Cge充電，由于對兩個寄生電容的耦合充電作用,，使得在t1~t2期間,，Uge基本不變。在t3時刻,，Uce上升結束,，Uge和Ic以柵極-發(fā)射極間固有阻抗下降為0。通過以上分析可知,，對IGBT開通關斷過程影響較大的因素是驅動電路的阻杭、Le和Cge,。因此在設計驅動電路的時候,，應選擇Cgc較小的IGBT，并通過合理布線,、選擇合理電阻等方法改善開通與關斷的過程,。，四路驅動電路完全相同,。北京貿易模塊進貨價二極管由管芯,、管殼和兩個電極構成。管芯是一個PN結,，在PN結的兩端各引出一個引線,。

    加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT關斷,。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進行電導調制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓,。1IGBT模塊簡介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫,，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET,，輸出極為PNP晶體管,，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優(yōu)點,，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點,，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,，在現代電力電子技術中得到了越來越***的應用,，在較高頻率的大、**率應用中占據了主導地位,。IGBT的等效電路如圖1所示,。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓,，則MOSFET導通,，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,，則MOS截止,，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止,。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,。

    IGBT模塊驅動及保護技術1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點,，又具有功率晶體管高電壓,、電流大等優(yōu)點。其特性發(fā)揮出MOSFET和功率晶體管各自的優(yōu)點,，正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內,，故在較高頻率應用范圍中，其中中,、大功率應用占據了主導地位,。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極發(fā)射極之間施加十幾V的直流電壓,，只有μA級的電流流過,，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極發(fā)射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬pF）,，在驅動脈沖的上升和下降沿需要提供數A級的充放電電流,，才能滿足開通和關斷的動態(tài)要求,，這使得它的驅動電路也必須輸出一定的峰值電流。IGBT作為一種大功率的復合器件,，存在著過流時可能發(fā)生閉鎖現象而造成損壞的問題,。在過流時如采取一定的速度***柵極電壓，過高的電流變化會引起過電壓,，需要采用軟關斷技術,，因此掌握好IGBT的驅動和保護特性對于設計人員來說是十分必要的。2．IGBT的柵極特性IGBT的柵極通過氧化膜和發(fā)射極實現電隔離,。由于氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般只能達到20到30V，因此柵極擊穿是IGBT**常見的失效原因之一,。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過**大額定柵極電壓,。這些產品可用于通用驅動器、牽引,、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風電應用）等應用,。

優(yōu)勢：?簡單的串聯(lián)方式?很強的抗浪涌電流能力?標準封裝，易于安裝英飛凌二極管綜述：具有比較高功率密度和更多功能的高性能平板封裝器件,、具有高性價比的晶閘管/二極管模塊,、采用分立封裝的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產品組合大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應用的效率，覆蓋10kW-10GW的寬廣功率范圍,，樹立了行業(yè)應用**,。分立式硅或碳化硅（SiC）肖特基二極管的應用范圍包括服務器堆場、太陽能發(fā)電廠和儲能系統(tǒng)等,；同時適用于工業(yè)和汽車級應用。在PN結的兩端各引出一個引線,，并用塑料,、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，構成了晶體二極管,。河北有什么模塊推薦貨源

開關性能經過優(yōu)化,，可以按串聯(lián)器件的數量輕松調整軟起動器，以適應不同的工作電壓,。黑龍江模塊品牌

    但是各路之間在電路上必須相互隔離,，以防干擾或誤觸發(fā)四路驅動信號根據觸發(fā)相位分為兩組，相位相反,。圖3為一路柵極驅動電路,，整流橋B1、B2與電解電容C1,、C2組成整流濾波電路,，為驅動電路提供+25V和-15V直流驅動電壓,。光耦6N137的作用是實現控制電路與主電路之間的隔離，傳遞PWM信號,。電阻R1與穩(wěn)壓管VS1組成PWM取樣信號,，電阻R2限制光耦輸入電流。電阻R3,、R4與穩(wěn)壓管VS3,、VS4分別組成，分別為光耦和MOSFET管Q3提供驅動電平,。Q3在光耦控制下,，工作在開關狀態(tài)。MOSFET管Q1,、Q2組成推挽放大電路,，將放大后的輸出信號輸入到IGBT門極，提供門極的驅動信號,。當輸入控制信號,，光耦U導通，Q3截止,，Q2導通輸出+15V驅動電壓,。當控制信號為零時，光耦U截止,，Q3,、Q1導通，輸出-15V電壓,，在IGBT關斷時時給門極提供負的偏置,，提高lGBT的抗干擾能力。穩(wěn)壓管VS3～VS6分別對Q2,、Q1輸入驅動電壓限幅在-10V和+15V,，防止Q1、Q2進入深度飽和,，影響MOS管的響應速度,。電阻R6、R7與電容C0為Q1,、Q2組成偏置網絡,。其中的電容C0是為了在開通時，加速Q2管的漏極電流上升速度,，為柵極提供過沖電流,，加速柵極導通。圖3柵極驅動電路原理IGBT柵極耐壓一般在±20V左右。黑龍江模塊品牌

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