原標(biāo)題：干貨|大功率IGBT模塊及驅(qū)動(dòng)技術(shù)電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器,、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中,，越來(lái)越成為各種主回路的優(yōu)先功率開關(guān)器件，因此如何安全可靠地驅(qū)動(dòng)igbt工作,，也成為越來(lái)越多的設(shè)計(jì)工程師面臨需要解決的課題,。在使用igbt構(gòu)成的各種主回路之中，大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路起到弱電控制強(qiáng)電的終端界面(接口)作用,。因其重要性,，所以可以將該電路看成是一個(gè)相對(duì)**的“子系統(tǒng)”來(lái)研究、開發(fā)及設(shè)計(jì),。大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路一直伴隨igbt技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,，現(xiàn)在市場(chǎng)上流行著很多種類非常成熟的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路**產(chǎn)品，成為大多數(shù)設(shè)計(jì)工程師的優(yōu)先;也有許多的工程師根據(jù)其電路的特殊要求,，自行研制出各種**的大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,。本文對(duì)這些大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路進(jìn)行分類，并對(duì)該電路需要達(dá)到的一些功能進(jìn)行闡述,，***展望此電路的發(fā)展,。此外本文所述大功率igbt驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是指應(yīng)用于直流母線電壓在650v～1000v范圍,、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場(chǎng)合。來(lái)源：電力電子技術(shù)與新能源,，智享汽車圈返回搜狐,。二極管由管芯、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成,。管芯是一個(gè)PN結(jié),，在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線，并用塑料,。安徽大規(guī)模模塊廠家直銷
西門康IGBT正是作為順應(yīng)這種要求而開發(fā)的,，它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng)),，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用),，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十KHz頻率范圍內(nèi),?；谶@些優(yōu)異的特性，西門康IGBT一直***使用在超過(guò)300V電壓的應(yīng)用中,，模塊化的西門康IGBT可以滿足更高的電流傳導(dǎo)要求,，其應(yīng)用領(lǐng)域不斷提高，今后將有更大的發(fā)展,。河南模塊代理商外加正向電壓較小時(shí),，二極管呈現(xiàn)的電阻較大,，正向電流幾乎為零,。
西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結(jié)構(gòu)和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前,，功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場(chǎng)合，晶閘管,、GTO被用于中高壓領(lǐng)域,。MOSFET雖然有開關(guān)速度快、輸入阻抗高,、熱穩(wěn)定性好,、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn);但是，在200V或更高電壓的場(chǎng)合,，MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加會(huì)迅速增加,，使得其功耗大幅增加，存在著不能得到高耐壓,、大容量元件等缺陷,。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦裕m然可以得到高耐壓,、大容量的元件,，但是它要求的驅(qū)動(dòng)電流大，控制電路非常復(fù)雜,，而且交換速度不夠快,。
RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產(chǎn)生壓降，還會(huì)造成過(guò)沖電壓,，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流,，從而克服了過(guò)沖電壓。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓,，每次關(guān)斷前C*將上次關(guān)斷電壓的過(guò)沖部分能量回饋到電源,，減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在IGBT關(guān)斷時(shí)從電源電壓開始上升,，它的過(guò)電壓吸收能力不如RCD型充放電型,。從吸收過(guò)電壓的能力來(lái)說(shuō)，放電阻止型效果稍差,，但能量消耗較小,。對(duì)緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L；⑵吸收電容應(yīng)采用低感或無(wú)感吸收電容,，它的引線應(yīng)盡量短,，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二極管應(yīng)采用快開通和快軟恢復(fù)二極管,，以免產(chǎn)生開通過(guò)電壓,，和反向恢復(fù)引起較大的振蕩過(guò)電壓。,，得出了設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的幾點(diǎn)事項(xiàng)：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應(yīng)的影響,，能引起意外的電壓尖峰損害,，所以設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負(fù)面影響,；⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì)IGBT的開通過(guò)程及驅(qū)動(dòng)脈沖的波形都有很大的影響,，所以設(shè)計(jì)時(shí)要綜合考慮；⑶應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來(lái)控制故障電流的下降速率,，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值,，達(dá)到短路保護(hù)的目的。采用分立封裝的高效硅基或 CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合,。
但過(guò)小會(huì)導(dǎo)致di/dt過(guò)大,，產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。因此對(duì)串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計(jì)要求***綜合考慮,。柵極驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)驅(qū)動(dòng)脈沖的波形也有影響,。電阻值過(guò)小時(shí)會(huì)造成脈沖振蕩，過(guò)大時(shí)脈沖的前后沿會(huì)發(fā)生延遲或變緩,。IGBT柵極輸入電容Cge隨著其額定容量的增加而增大,。為了保持相同的脈沖前后沿速率，對(duì)于電流容量大的IGBT器件,，應(yīng)提供較大的前后沿充電電流,。為此，柵極串聯(lián)的電阻的阻值應(yīng)隨著IGBT電流容量的增大而減小,。：⑴光耦驅(qū)動(dòng)電路,，光耦驅(qū)動(dòng)電路是現(xiàn)代逆變器和變頻器設(shè)計(jì)時(shí)被***采用的一種電路，由于線路簡(jiǎn)單,，可靠性高,，開關(guān)性能好，被許多逆變器和變頻器廠家所采用,。由于驅(qū)動(dòng)光耦的型號(hào)很多,，所以選用的余地也很大,。驅(qū)動(dòng)光耦選用較多的主要有東芝的TLP系列,，夏普的PC系列，惠普的HCLP系列等,；⑵**集成塊驅(qū)動(dòng)電路,，主要有IR的IR2111，IR2112,，IR2113等,，三菱的EXB系列，M57959,，M57962等,。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩個(gè)功能：一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT的柵極隔離,；二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖，實(shí)現(xiàn)電隔離可以采用脈沖變壓器,、微分變壓器和光電耦合器,。：一類是低倍數(shù)(～倍)的過(guò)載保護(hù)；一類是高倍數(shù)(8～10)的短路保護(hù),。對(duì)于過(guò)載保護(hù)不必快速反應(yīng),，可采用集中式保護(hù)。所有器件均具備很強(qiáng)的抗浪涌電流能力,。開關(guān)性能經(jīng)過(guò)優(yōu)化,，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動(dòng)器。推廣模塊批發(fā)廠家
EconoBRIDGE 可在整流級(jí)*有二極管時(shí)實(shí)現(xiàn)不控整流,，也可在整流級(jí)中使用晶閘管實(shí)現(xiàn)半控整流,。安徽大規(guī)模模塊廠家直銷
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江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是一家從事IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器研發(fā)、生產(chǎn),、銷售及售后的貿(mào)易型企業(yè),。公司坐落在昆山開發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201，成立于2022-03-29,。公司通過(guò)創(chuàng)新型可持續(xù)發(fā)展為重心理念,，以客戶滿意為重要標(biāo)準(zhǔn)。在孜孜不倦的奮斗下,，公司產(chǎn)品業(yè)務(wù)越來(lái)越廣,。目前主要經(jīng)營(yíng)有IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等產(chǎn)品,，并多次以電子元器件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、客戶需求定制多款多元化的產(chǎn)品,。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)不斷緊跟IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器行業(yè)發(fā)展趨勢(shì),，研發(fā)與改進(jìn)新的產(chǎn)品，從而保證公司在新技術(shù)研發(fā)方面不斷提升,，確保公司產(chǎn)品符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和要求,。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司注重以人為本、團(tuán)隊(duì)合作的企業(yè)文化,，通過(guò)保證IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器產(chǎn)品質(zhì)量合格,，以誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、用戶至上,、價(jià)格合理來(lái)服務(wù)客戶,。建立一切以客戶需求為前提的工作目標(biāo)，真誠(chéng)歡迎新老客戶前來(lái)洽談業(yè)務(wù),。