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青海電源管理模塊

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-06-12

    需指出的是:IGBT參數(shù)表中標(biāo)出的IC是集電極比較大直流電流,,但這個(gè)直流電流是有條件的,,首先比較大結(jié)溫不能超過150℃,其次還受安全工作區(qū)(SOA)的限制,不同的工作電壓,、脈沖寬度,,允許通過的比較大電流不同。同時(shí),,各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流,,這個(gè)脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms的單脈沖能通過的比較大通態(tài)電流值,即使可重復(fù)也需足夠長的時(shí)間,。如果脈沖寬度限制在10μs以內(nèi),,英飛凌NPT-IGBT短路電流承受能力可高達(dá)10倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生,,器件壽命周期內(nèi)總次數(shù)不能大于1000次,,兩次短路時(shí)間間隔需大于1s。但對于PT型IGBT,,這種短路總次數(shù)不能大于100次,,這是由于NPT-IGBT過載能力、可靠性比PT型高的原因,。在電力電子設(shè)備中,,選擇IGBT模塊時(shí),通常是先計(jì)算通過IGBT模塊的電流值,,然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn),,考慮到過載、電網(wǎng)波動,、開關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應(yīng)的IGBT模塊,。但嚴(yán)格的選擇,應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況,,計(jì)算耗散功率,,通過熱阻核算具比較高結(jié)溫不超過規(guī)定值來選擇器件。通過比較高結(jié)溫核標(biāo)可選擇較小的IGBT模塊通過更大的電流,,更加有效地利用IGBT模塊,。開關(guān)性能經(jīng)過優(yōu)化,可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器,,以適應(yīng)不同的工作電壓,。青海電源管理模塊

在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前,功率場效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場合,,晶閘管,、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOSFET雖然有開關(guān)速度快,、輸入阻抗高,、熱穩(wěn)定性好,、驅(qū)動電路簡單的優(yōu)點(diǎn);但是,在200V或更高電壓的場合,,MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加會迅速增加,,使得其功耗大幅增加,存在著不能得到高耐壓,、大容量元件等缺陷,。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦裕m然可以得到高耐壓,、大容量的元件,,但是它要求的驅(qū)動電流大,控制電路非常復(fù)雜,,而且交換速度不夠快,。貴州通用模塊大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率,覆蓋10 kW-10 GW的寬廣功率范圍,。

    在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓,,只有在uA級的漏電流流過,基本上不消耗功率,。2IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān),。其相互關(guān)系見下表,。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),,開關(guān)損耗增大,,使原件發(fā)熱加劇,因此,,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,。特別是用作高頻開關(guān)時(shí),由于開關(guān)損耗增大,,發(fā)熱加劇,,選用時(shí)應(yīng)該降等使用。3使用中的注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一,。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時(shí),,在配線未接好之前請先不要接上模塊,;盡量在底板良好接地的情況下操作。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓,,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,,也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,。

雙向可控硅作用 有例如1、雙向可控硅在電路中的作用是:用于交流調(diào)壓或交流電子開關(guān),。2,、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,,而且*需一個(gè)觸發(fā)電路,,是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意,。3,、可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通,、關(guān)斷,;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花,、無噪音,;效率高,成本低等等,。當(dāng)加上輸入信號VI(一般為高電平),、并且交流負(fù)載電源電壓通過零點(diǎn)時(shí),雙向晶閘管被觸發(fā),,將負(fù)載電源接通,。

    隨集電極-發(fā)射極電壓的升高而增強(qiáng)(請參見等式(8))。低阻抗(即,,低雜散電感)柵極驅(qū)動電路,,也可比較大限度地降低發(fā)生寄生導(dǎo)通事件的風(fēng)險(xiǎn)。開關(guān)時(shí)間數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時(shí)間,,為確定半橋配置中的互補(bǔ)器件的接通與關(guān)斷之間的恰當(dāng)空載時(shí)間,,提供了有用信息,。關(guān)于設(shè)置恰當(dāng)?shù)目蛰d時(shí)間的更多信息,請參閱參考資料[1],。數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時(shí)間的定義如下,,如圖14中的示意圖所示。?接通延時(shí)(tdon):10%柵極-發(fā)射極電壓,,至10%集電極電流?升高時(shí)間(tr):10%集電極電流,,至90%集電極電流?關(guān)斷延時(shí)(tdoff):90%柵極-發(fā)射極電壓,至90%集電極電流?下降時(shí)間(tf):90%集電極電流,,至10%集電極電流開關(guān)時(shí)間不能提供關(guān)于開關(guān)損耗的可靠信息,,因?yàn)殡妷荷邥r(shí)間和下降時(shí)間以及電流拖尾均未確定。因此,,每個(gè)脈沖造成的功率損耗需單獨(dú)確定,。圖14開關(guān)波形示意圖以及開關(guān)時(shí)間和功率損耗定義在數(shù)據(jù)表中,將每個(gè)脈沖造成的開關(guān)損耗定義為如下積分:積分范圍t1和t2為:?每個(gè)脈沖造成的接通功率損耗(Eon):10%集電極電流,,至2%集電極-發(fā)射極電壓?每個(gè)脈沖造成的關(guān)斷功率損耗(Eoff):10%集電極-發(fā)射極電壓,,至2%集電極電流這樣,開關(guān)時(shí)間和每個(gè)脈沖造成的功率損耗,。用于定性描述這兩者關(guān)系的曲線稱為伏安特性曲線,。模塊

通過晶體管圖示儀觀察到硅二極管的伏安特性如下圖所示。青海電源管理模塊

英飛凌IGBT綜述:我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列,,它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu),、芯片配置和電流電壓等級,適用于幾乎所有應(yīng)用,。市場**的62mm,、Easy和Econo系列,、IHM/IHVB系列,、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術(shù)。它們有斬波器,、DUAL,、PIM、四單元,、六單元,、十二單元、三電平,、升壓器或單開關(guān)配置,,電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦,,高至數(shù)兆瓦,。這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動器,、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電(如光伏逆變器或風(fēng)電應(yīng)用)等應(yīng)用,,具有高可靠性,、出色性能、高效率和使用壽命長的優(yōu)勢,。IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料(TIM),,能讓電力電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)一致性的散熱性能。此外,,IGBT模塊可以借助壓接引腳進(jìn)行安裝,,從而實(shí)現(xiàn)無焊料無鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅:綜述:6.5kV片式晶閘管系列包括四款強(qiáng)大而可靠的片式器件,,專為滿足中壓軟起動器應(yīng)用的特殊要求而開發(fā),。所有器件均具備很強(qiáng)的抗浪涌電流能力。開關(guān)性能經(jīng)過優(yōu)化,,可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動器,,以適應(yīng)不同的工作電壓。該器件還適用于通用線電壓整流器應(yīng)用,,如電源和標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動,。青海電源管理模塊

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