柵極驅(qū)動(dòng)電路的阻抗越低,，這種效應(yīng)越弱,，此效應(yīng)一直維持到t3時(shí)刻,，Uce降到IGBT的飽和電壓為止,。它的影響同樣減緩了IGBT的開(kāi)通過(guò)程,。在t3時(shí)刻后,，Ic達(dá)到穩(wěn)態(tài)值,，影響柵極電壓Uge的因素消失后,，Uge以較快的上升率達(dá)到**大值。從圖1的波形可以看出,，由于Le和Cge的存在,，在IGBT的實(shí)際運(yùn)行中Uge減緩了許多，這種阻礙驅(qū)動(dòng)電壓上升的效應(yīng),，表現(xiàn)為對(duì)集電極電流上升及開(kāi)通過(guò)程的阻礙,。為了減緩此效應(yīng)，應(yīng)使IGBT模塊的Le和Cgc和柵極驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻盡量的小,，以獲得較快的開(kāi)通速度,。圖2IGBT的關(guān)斷波形如圖2所示，t0時(shí)刻驅(qū)動(dòng)電壓開(kāi)始下降,，在t1時(shí)刻達(dá)到剛好能夠維持集電極正常工作的電流水平,，IGBT進(jìn)入線性工作區(qū)。Uce開(kāi)始上升,，此時(shí),柵極集電極間電容Cgc的密勒效應(yīng)支配著Uge的下降,，因Cgc耦合充電作用，Uge在t1到t2期間基本保持不變,，在t2時(shí)刻Uge和Ic開(kāi)始以柵極發(fā)射極固有阻抗所決定的速度下降,，在t3時(shí)Uge和Ic均降為零，關(guān)斷結(jié)束,。從圖2可以看出,，由于電容Cgc的存在，使的IGBT的關(guān)斷過(guò)程也延長(zhǎng)了許多,。為了減小此影響,，一方面應(yīng)該選擇Cgc較小的IGBT器件，另一方面應(yīng)該減小驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻抗,，使流入Cgc的充電電流增加,，可以加快Uge的下降速度。在實(shí)際應(yīng)用中,。在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線,，并用塑料,、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，構(gòu)成了晶體二極管,。通用模塊

    根據(jù)數(shù)據(jù)表中標(biāo)示的IGBT的寄生電容,，可以分析dV/dt引起的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象?？赡艿募纳鷮?dǎo)通現(xiàn)象,，是由集電極-柵極和柵極-發(fā)射極之間的固有容性分壓器引起的（請(qǐng)參見(jiàn)圖9）?？紤]到集電極-發(fā)射極上的較高瞬態(tài)電壓,，這個(gè)固有的容性分壓器比受限于寄生電感的外接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電路快得多。因此,，即使柵極驅(qū)動(dòng)器關(guān)斷了IGBT,，即，在零柵極-發(fā)射極電壓狀態(tài)下,，瞬態(tài)集電極-發(fā)射極電壓也會(huì)引起與驅(qū)動(dòng)電壓不相等的柵極-發(fā)射極電壓,。忽略柵極驅(qū)動(dòng)電路的影響,，可以利用以下等式,，計(jì)算出柵極-發(fā)射極電壓：因此，商數(shù)Cres/Cies應(yīng)當(dāng)盡可能低,，以避免dV/dt引起寄生導(dǎo)通現(xiàn)象（商數(shù)約為35,，請(qǐng)參見(jiàn)圖12）。此外,，輸入電容應(yīng)當(dāng)盡可能低,，以避免柵極驅(qū)動(dòng)損耗。圖12IGBT的寄生電容（摘自數(shù)據(jù)表）數(shù)據(jù)表中給出的寄生電容是在恒定的25V集電極-發(fā)射極電壓條件下的值（請(qǐng)參見(jiàn)圖12）,。柵極-發(fā)射極電容約為該恒定集電極-發(fā)射極電壓條件下的值（等式（9））,。反向傳遞電容嚴(yán)重依賴于集電極-發(fā)射極電壓，可以利用等式（10）估算得到（請(qǐng)參見(jiàn)圖13）：圖13利用等式（9）和（10）計(jì)算得到的不同集電極-發(fā)射極電壓條件下的輸入和反向傳遞電容近似值所以,，防止dV/dt引起的寄生導(dǎo)通現(xiàn)象的穩(wěn)定性,。西藏電源模塊6.5 kV片式晶閘管系列包括四款強(qiáng)大而可靠的片式器件，專為滿足中壓軟起動(dòng)器應(yīng)用的特殊要求而開(kāi)發(fā),。

    RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產(chǎn)生壓降,，還會(huì)造成過(guò)沖電壓，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流,，從而克服了過(guò)沖電壓,。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓，每次關(guān)斷前C*將上次關(guān)斷電壓的過(guò)沖部分能量回饋到電源,，減小了吸收電路的功耗,。因電容電壓在IGBT關(guān)斷時(shí)從電源電壓開(kāi)始上升,，它的過(guò)電壓吸收能力不如RCD型充放電型。從吸收過(guò)電壓的能力來(lái)說(shuō),，放電阻止型效果稍差,，但能量消耗較小。對(duì)緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L,；⑵吸收電容應(yīng)采用低感或無(wú)感吸收電容,，它的引線應(yīng)盡量短，**好直接接在IGBT的端子上,；⑶吸收二極管應(yīng)采用快開(kāi)通和快軟恢復(fù)二極管,，以免產(chǎn)生開(kāi)通過(guò)電壓，和反向恢復(fù)引起較大的振蕩過(guò)電壓,。,，得出了設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意的幾點(diǎn)事項(xiàng)：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應(yīng)的影響，能引起意外的電壓尖峰損害,，所以設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)讓柵極的阻抗足夠低,，以盡量消除其負(fù)面影響；⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻抗對(duì)IGBT的開(kāi)通過(guò)程及驅(qū)動(dòng)脈沖的波形都有很大的影響,，所以設(shè)計(jì)時(shí)要綜合考慮,；⑶應(yīng)采用慢降柵壓技術(shù)來(lái)控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值,，達(dá)到短路保護(hù)的目的,。

在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開(kāi)關(guān)的中低壓場(chǎng)合,，晶閘管,、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOSFET雖然有開(kāi)關(guān)速度快,、輸入阻抗高,、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn);但是,，在200V或更高電壓的場(chǎng)合,，MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加會(huì)迅速增加，使得其功耗大幅增加,，存在著不能得到高耐壓,、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦?，雖然可以得到高耐壓,、大容量的元件，但是它要求的驅(qū)動(dòng)電流大,，控制電路非常復(fù)雜,，而且交換速度不夠快,。采用分立封裝的高效硅基或 CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合。

英飛凌IGBT綜述：我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列,，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu),、芯片配置和電流電壓等級(jí)，適用于幾乎所有應(yīng)用,。市場(chǎng)**的62mm,、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列,、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術(shù),。它們有斬波器、DUAL,、PIM,、四單元、六單元,、十二單元,、三電平、升壓器或單開(kāi)關(guān)配置,，電流等級(jí)從6A到3600A不等,。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦,。這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動(dòng)器,、牽引,、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風(fēng)電應(yīng)用）等應(yīng)用,，具有高可靠性、出色性能,、高效率和使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì),。IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)一致性的散熱性能,。此外,，IGBT模塊可以借助壓接引腳進(jìn)行安裝，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)焊料無(wú)鉛的功率模塊安裝,。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強(qiáng)大而可靠的片式器件,，專為滿足中壓軟起動(dòng)器應(yīng)用的特殊要求而開(kāi)發(fā)。所有器件均具備很強(qiáng)的抗浪涌電流能力,。開(kāi)關(guān)性能經(jīng)過(guò)優(yōu)化,，可以按串聯(lián)器件的數(shù)量輕松調(diào)整軟起動(dòng)器，以適應(yīng)不同的工作電壓,。該器件還適用于通用線電壓整流器應(yīng)用,，如電源和標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng),。高性價(jià)比 ?全程采用X射線100%監(jiān)測(cè)生產(chǎn)，保 障產(chǎn)品的高性能和使用壽命 ? 使用銅基板,，便于快捷安裝,。通用模塊

當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí)，反向電流急劇加大,，進(jìn)入反向擊穿區(qū),，D點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓。通用模塊

    IGBT與MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較因功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快,，峰值電流大,，容易驅(qū)動(dòng)，安全工作區(qū)寬,，dV/dt耐量高等優(yōu)點(diǎn),，在小功率電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。但是由于導(dǎo)通特性受和額定電壓的影響很大,，而且工作電壓較高時(shí),，MOSFET固有的反向二極管導(dǎo)致通態(tài)電阻增加，因此在大功率電子設(shè)備中的應(yīng)用受至限制,。IGBT是少子器件,，它不但具有非常好的導(dǎo)通特性，而且也具有功率MOSFET的許多特性,，如容易驅(qū)動(dòng),，安全工作區(qū)寬，峰值電流大,，堅(jiān)固耐用等,，一般來(lái)講，IGBT的開(kāi)關(guān)速度低于功率MOSET,，但是IR公司新系列IGBT的開(kāi)關(guān)特性非常接近功率MOSFET,，而且導(dǎo)通特性也不受工作電壓的影響。由于IGBT內(nèi)部不存在反向二極管,，用戶可以靈活選用外接恢復(fù)二極管,，這個(gè)特性是優(yōu)點(diǎn)還是缺點(diǎn)，應(yīng)根據(jù)工作頻率,，二極管的價(jià)格和電流容量等參數(shù)來(lái)衡量,。IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，電路符號(hào)及等效電路如圖1所示,?？梢钥闯觯?020-08-30開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)選擇BJT優(yōu)于MOSFET開(kāi)關(guān)電源電氣可靠性設(shè)計(jì)1供電方式的選擇集中式供電系統(tǒng)各輸出之間的偏差以及由于傳輸距離的不同而造成的壓差降低了供電質(zhì)量，而且應(yīng)用單臺(tái)電源供電,，當(dāng)電源發(fā)生故障時(shí)可能導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓,。分布式供電系統(tǒng)因供電單元靠近負(fù)載，改善了動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性,。通用模塊

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司坐落于昆山開(kāi)發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201,，是集設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā),、生產(chǎn),、銷售、售后服務(wù)于一體,，電子元器件的貿(mào)易型企業(yè),。公司在行業(yè)內(nèi)發(fā)展多年，持續(xù)為用戶提供整套IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊，熔斷器的解決方案,。本公司主要從事IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器領(lǐng)域內(nèi)的IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等產(chǎn)品的研究開(kāi)發(fā),。擁有一支研發(fā)能力強(qiáng)、成果豐碩的技術(shù)隊(duì)伍,。公司先后與行業(yè)上游與下游企業(yè)建立了長(zhǎng)期合作的關(guān)系,。英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼以符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品質(zhì)量為目標(biāo)，并始終如一地堅(jiān)守這一原則,，正是這種高標(biāo)準(zhǔn)的自我要求,，產(chǎn)品獲得市場(chǎng)及消費(fèi)者的高度認(rèn)可,。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司以先進(jìn)工藝為基礎(chǔ),、以產(chǎn)品質(zhì)量為根本、以技術(shù)創(chuàng)新為動(dòng)力,，開(kāi)發(fā)并推出多項(xiàng)具有競(jìng)爭(zhēng)力的IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器產(chǎn)品,，確保了在IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì),。