在西門康IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場(chǎng)合,，晶閘管,、GTO被用于中高壓領(lǐng)域,。MOSFET雖然有開關(guān)速度快,、輸入阻抗高,、熱穩(wěn)定性好,、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn);但是，在200V或更高電壓的場(chǎng)合,，MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加會(huì)迅速增加,，使得其功耗大幅增加，存在著不能得到高耐壓,、大容量元件等缺陷,。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向?qū)▔航堤匦?，雖然可以得到高耐壓、大容量的元件,，但是它要求的驅(qū)動(dòng)電流大,，控制電路非常復(fù)雜，而且交換速度不夠快,。大功率二極管和晶閘管旨在顯著提高眾多應(yīng)用的效率。質(zhì)量模塊批發(fā)

    ⑷在工作電流較大的情況下,，為了減小關(guān)斷過(guò)電壓,，應(yīng)盡量減小主電路的布線電感，吸收電容應(yīng)采用低感或無(wú)感型,；⑸IGBT與MOSFET都是電壓驅(qū)動(dòng),，都具有一個(gè)～5V的閾值電壓，有一個(gè)容性輸入阻抗,，因此IGBT對(duì)柵極電荷非常敏感故驅(qū)動(dòng)電路必須很可靠,，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅(qū)動(dòng)電路與IGBT的連線要盡量短,；⑹用內(nèi)阻小的驅(qū)動(dòng)源對(duì)柵極電容充放電,，以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關(guān)損耗盡量小,。另外,，IGBT開通后，柵極驅(qū)動(dòng)源應(yīng)能提供足夠的功率,，使IGBT不退出飽和而損壞,；⑺驅(qū)動(dòng)電平Uge也必須綜合考慮。Uge增大時(shí),，IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,，但負(fù)載短路時(shí)的Ic增大，IGBT能承受短路電流的時(shí)間減小,，對(duì)其安全不利,，因此在有短路過(guò)程的設(shè)備中Uge應(yīng)選得小些，一般選12～15V,；在關(guān)斷過(guò)程中,，為盡快抽取PNP管的存儲(chǔ)電荷，須施加一負(fù)偏壓Uge,但它受IGBT的G,、E間**大反向耐壓限制,，一般取1～10V；⑻在大電感負(fù)載下,，IGBT的開關(guān)時(shí)間不能太短,，以限制出di/dt形成的尖峰電壓,，確保IGBT的安全；⑼由于IGBT在電力電子設(shè)備中多用于高壓場(chǎng)合,，故驅(qū)動(dòng)電路與控制電路在電位上應(yīng)嚴(yán)格隔離,；⑽IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)盡可能簡(jiǎn)單實(shí)用，**好自身帶有對(duì)IGBT的保護(hù)功能,。天津國(guó)產(chǎn)模塊品牌采用分立封裝的高效硅基或 CoolSiCTM碳化硅二極管以及裸片等靈活多樣產(chǎn)品組合,。

    則降低了故障時(shí)器件的損耗，延長(zhǎng)了器件抗短路的時(shí)間,，而且能夠降低器件關(guān)斷時(shí)的di/dt,，對(duì)器件的保護(hù)十分有利。若延時(shí)后故障信號(hào)依然存在,，則關(guān)斷器件,，若故障信號(hào)消失，則驅(qū)動(dòng)電路恢復(fù)到正常工作狀態(tài),，因而**增強(qiáng)了抗*擾的能力,。上述降柵壓的方法只考慮了柵壓與短路電流大小的關(guān)系，而在實(shí)際應(yīng)用中,，降柵壓的速度也是一個(gè)重要因素,，它直接決定了故障電流下降的di/dt。慢降柵壓技術(shù)就是通過(guò)限制降柵壓的速度來(lái)控制故障電流的下降速度,，從而抑制器件的di/dt和Uce的峰值,。圖3給出了慢降柵壓的具體電路圖。圖3正常工作時(shí),，因故障檢測(cè)二極管VD1的導(dǎo)通,，將a點(diǎn)的電壓鉗位在穩(wěn)壓二極管ZV1的擊穿電壓之下，晶體管VT1始終保持截止?fàn)顟B(tài),。V1通過(guò)驅(qū)動(dòng)電阻Rg正常開通和關(guān)斷,。電容C2為硬開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合提供一很小的延時(shí)，使V1開通時(shí)Uce有一定的時(shí)間從高電壓降到通態(tài)壓降,，而不使保護(hù)電路動(dòng)作,。當(dāng)電路發(fā)生過(guò)流和短路故障時(shí)，V1上的Uce上升,，a點(diǎn)電壓隨之上升,，到一定值時(shí)，VZ1擊穿,，VT1開通,，b點(diǎn)電壓下降，電容C1通過(guò)電阻R1充電,，電容電壓從零開始上升,，當(dāng)電容電壓上升至約,，晶體管VT2開通，柵極電壓Uge隨著電容電壓的上升而下降,，通過(guò)調(diào)節(jié)C1的數(shù)值,，可控制電容的充電速度。

    IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,。它既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn),，又具有功率晶體管高電壓、電流大等優(yōu)點(diǎn),。其特性發(fā)揮出MOSFET和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn),，正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率應(yīng)用范圍中,，其中中、大功率應(yīng)用占據(jù)了主導(dǎo)地位,。IGBT是電壓控制型器件,，在它的柵極發(fā)射極之間施加十幾V的直流電壓，只有μA級(jí)的電流流過(guò),，基本上不消耗功率,。但I(xiàn)GBT的柵極發(fā)射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬(wàn)pF），在驅(qū)動(dòng)脈沖的上升和下降沿需要提供數(shù)A級(jí)的充放電電流,，才能滿足開通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)要求,，這使得它的驅(qū)動(dòng)電路也必須輸出一定的峰值電流。IGBT作為一種大功率的復(fù)合器件,，存在著過(guò)流時(shí)可能發(fā)生閉鎖現(xiàn)象而造成損壞的問(wèn)題,。在過(guò)流時(shí)如采取一定的速度***柵極電壓，過(guò)高的電流變化會(huì)引起過(guò)電壓,，需要采用軟關(guān)斷技術(shù),，因此掌握好IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)特性對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)是十分必要的。2．IGBT的柵極特性IGBT的柵極通過(guò)氧化膜和發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,。由于氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般只能達(dá)到20到30V，因此柵極擊穿是IGBT**常見的失效原因之一,。在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)**大額定柵極電壓,。二極管導(dǎo)通后兩端的正向電壓稱為正向壓降（或管壓降），且?guī)缀鹾愣?。硅管的管壓降約為0.7V,。

1.3反向特性1）二極管承受反向電壓時(shí)，加強(qiáng)了PN結(jié)的內(nèi)電場(chǎng),，二極管呈現(xiàn)很大電阻,，此時(shí)*有很小的反向電流,。如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時(shí)電流稱為反向飽和電流,。實(shí)際應(yīng)用中,，反向電流越小說(shuō)明二極管的反向電阻越大，反向截止性能越好,。一般硅二極管的反向飽和電流在幾十微安以下,，鍺二極管則達(dá)幾百微安，大功率二極管稍大些,。2）當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí),，反向電流急劇加大，進(jìn)入反向擊穿區(qū),，D點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓稱為反向擊穿電壓,。二極管被擊穿后電流過(guò)大將使管子損壞，因此除穩(wěn)壓管外,，二極管的反向電壓不能超過(guò)擊穿電壓,。二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過(guò)二極管的電流之間的關(guān)系。四川模塊商家

二極管被擊穿后電流過(guò)大將使管子損壞,，因此除穩(wěn)壓管外,，二極管的反向電壓不能超過(guò)擊穿電壓。質(zhì)量模塊批發(fā)

我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列,，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu),、芯片配置和電流電壓等級(jí)，適用于幾乎所有應(yīng)用,。市場(chǎng)**的62mm,、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列,、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術(shù),。它們有斬波器、DUAL,、PIM,、四單元、六單元,、十二單元,、三電平、升壓器或單開關(guān)配置,，電流等級(jí)從6A到3600A不等,。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動(dòng)器,、牽引,、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風(fēng)電應(yīng)用）等應(yīng)用，具有高可靠性,、出色性能,、高效率和使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)。質(zhì)量模塊批發(fā)

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司是一家集研發(fā),、制造,、銷售為一體的****，公司位于昆山開發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201,，成立于2022-03-29,。公司秉承著技術(shù)研發(fā)、客戶優(yōu)先的原則,，為國(guó)內(nèi)IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器的產(chǎn)品發(fā)展添磚加瓦,。在孜孜不倦的奮斗下，公司產(chǎn)品業(yè)務(wù)越來(lái)越廣,。目前主要經(jīng)營(yíng)有IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器等產(chǎn)品，并多次以電子元器件行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),、客戶需求定制多款多元化的產(chǎn)品,。我們以客戶的需求為基礎(chǔ)，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和研發(fā)上面苦下功夫,，一份份的不懈努力和付出,，打造了英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼產(chǎn)品。我們從用戶角度,，對(duì)每一款產(chǎn)品進(jìn)行多方面分析,，對(duì)每一款產(chǎn)品都精心設(shè)計(jì)、精心制作和嚴(yán)格檢驗(yàn),。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司注重以人為本,、團(tuán)隊(duì)合作的企業(yè)文化，通過(guò)保證IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊，熔斷器產(chǎn)品質(zhì)量合格，以誠(chéng)信經(jīng)營(yíng),、用戶至上,、價(jià)格合理來(lái)服務(wù)客戶。建立一切以客戶需求為前提的工作目標(biāo),，真誠(chéng)歡迎新老客戶前來(lái)洽談業(yè)務(wù),。