晶閘管模塊基本的用途是可控整流,。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,，就可以形成可控整流電路,。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi),，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通,。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí),，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí)，晶閘管才接通?，F(xiàn)在,，繪制其波形(圖4(c)和(d))，可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時(shí),，負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影),。當(dāng)UG到達(dá)較早時(shí)，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較早,；UG到達(dá)較晚時(shí),，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時(shí)間,，可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積),。在電工技術(shù)中，交流電的半周常被設(shè)定為180度,，稱為電角,。因此，在U2的每一個(gè)正半周期中,，從零值到觸發(fā)脈沖到達(dá)時(shí)刻的電角稱為控制角α，每個(gè)正半周期中晶閘管導(dǎo)電的電角稱為導(dǎo)通角θ,。顯然,，α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內(nèi)的通斷范圍。通過改變控制角度0或?qū)ń莟heta，可通過改變負(fù)載上的脈沖直流電壓的平均ul來實(shí)現(xiàn)可控整流器,。晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路,。江蘇晶閘管銷售廠

    金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管,，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）晶閘管的作用與工作原理：我們分析晶閘管的作用與原理的時(shí)候可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,，其等效圖解如上圖所當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí),，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大,，其集電極電流ic2=β2ib2,。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2,。此時(shí),，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,，表成正反饋，使ib2不斷增大,，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通,。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?。遼寧本地晶閘管現(xiàn)貨普通晶閘管（SCR）靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后,，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。

    這對(duì)晶閘管是非常危險(xiǎn)的,。開關(guān)引起的沖擊電壓分為以下幾類：（1）AC電源被切斷過電壓而產(chǎn)生例如,，交流以及開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓,，這些系統(tǒng)過電壓?jiǎn)栴}由于我國(guó)變壓器內(nèi)部繞組的分布進(jìn)行電容,、漏抗造成的諧振控制回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍,。一般地,，開閉運(yùn)動(dòng)速度越來越快過電壓能力越高，在空載情況下可以斷開回路設(shè)計(jì)將會(huì)有更高的過電壓,。（2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大,，就會(huì)產(chǎn)生較大的過電壓。這種情況經(jīng)常出現(xiàn)在切斷負(fù)荷,、導(dǎo)通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時(shí),，引起電流突變。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓,。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的,，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后,，出現(xiàn)換相振蕩過電壓,，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓,，其值與換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān),。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大,。針對(duì)形成過電壓的不同原因,，可以采取不同的抑制方法，如減少過電壓源,，并使過電壓幅值衰減,；抑制過電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度,，增加其消散的途徑,。

    有三個(gè)不同電極、陽極A,、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時(shí)有火花產(chǎn)生,，而且動(dòng)作快,、壽命長(zhǎng),、可靠性好。在調(diào)速,、調(diào)光、調(diào)壓,、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影,。可控硅分為單向的和雙向的,，符號(hào)也不同,。單向可控硅有三個(gè)PN結(jié)，由外層的P極和N極引出兩個(gè)電極,，分別稱為陽極和陰極,，由中間的P極引出一個(gè)控制極。雙向可控硅有其獨(dú)特的特點(diǎn)：當(dāng)陽極接合,，陽極接合或柵極的正向電壓,，但沒有施加電壓時(shí)，它不導(dǎo)通,，并且同時(shí)連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時(shí),，它將被關(guān)上。一旦開啟,，控制電壓有它的作用失去了控制,，無論控制電壓極性怎么沒有了，不管控制電壓,，將保持在接通狀態(tài),。關(guān)斷，只有在陽極電壓減小到一個(gè)臨界值,，或反之亦然,。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2,、g順序從左到右排列(電極引腳向下,，面向側(cè)面有字符)。當(dāng)施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí),，其傳導(dǎo)電流的大小可以改變,。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)一個(gè)脈沖的極性可以改變時(shí),，其導(dǎo)通方向就隨著不同極性的變化而改變,，從而能夠進(jìn)行控制提供交流電系統(tǒng)負(fù)載。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài),。

    其**新研制出的IGCT擁有更好的性能,，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是,。**大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA/30us,，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發(fā)電流**大值為2000A,，觸發(fā)電流上升率di/dt**大為1000A/us,。但是此種開關(guān)所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用,。[1]但晶閘管本身存在兩個(gè)制約其繼續(xù)發(fā)展的重要因素,。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件,，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關(guān)斷,，導(dǎo)通后控制極即不再起作用，要關(guān)斷必須切斷電源,，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流,。由于晶閘管的關(guān)斷不可控的特性，必須另外配以由電感,、電容及輔助開關(guān)器件等組成的強(qiáng)迫換流電路,，從而使裝置體積增大，成本增加,，而且系統(tǒng)更為復(fù)雜,、可靠性降低。二是因?yàn)榇祟惼骷⒆阌诜至⒃Y(jié)構(gòu),，開通損耗大,，工作頻率難以提高，限制了其應(yīng)用范圍,。1970年代末,，隨著可關(guān)斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷,，標(biāo)志著電力電子器件已經(jīng)從半控型器件發(fā)展到全控型器件,。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。江蘇晶閘管銷售廠

晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個(gè)PN結(jié),，可以把它中間的NP分成兩部分。江蘇晶閘管銷售廠

    除了考慮通過元件的平均電流外，還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小,、散熱通風(fēng)條件等因素,。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2,、使用可控硅之前,，應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),，應(yīng)立即更換,。3、嚴(yán)禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況,。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,，并且保證所規(guī)定的冷卻條件,。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,，以幫于良好的散熱,。5、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置,。6,、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí),，可把管芯從冷卻套中取出,，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡,，以判斷是何原因,。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1,、電壓擊穿,。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見,。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2,、電流損壞,。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙,，其位置在遠(yuǎn)離控制極上,。3、電流上升率損壞,。其痕跡與電流損壞相同,，而其位置在控制極附近或就在控制極上,。4、邊緣損壞,。江蘇晶閘管銷售廠

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司位于昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201,。公司業(yè)務(wù)分為IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn),，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù),。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力，努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識(shí),，遵守行業(yè)規(guī)范,，植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。在社會(huì)各界的鼎力支持下,，持續(xù)創(chuàng)新,，不斷鑄造高質(zhì)量服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持,。