MOS管和IGBT管作為開(kāi)關(guān)元件,，在電子電路中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們?cè)谕庑渭疤匦詤?shù)上也比較相似,，相信有不少人會(huì)疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管，而有的卻需要用到IGBT管,？它們之間有何區(qū)別呢,？接下來(lái)冠華偉業(yè)為你解惑,！何為MOS管,？MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型,，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。MOS管本身自帶有寄生二極管,，作用是防止VDD過(guò)壓的情況下，燒壞mos管,，因?yàn)樵谶^(guò)壓對(duì)MOS管造成破壞之前,，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地,，從而避免MOS管被燒壞。何為IGBT,？IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管,，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件,。IGBT的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一,，畫(huà)原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào),，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來(lái)判斷是IGBT還是MOS管,。同時(shí)還要注意IGBT有沒(méi)有體二極管,，圖上沒(méi)有標(biāo)出并不表示一定沒(méi)有,，除非官方資料有特別說(shuō)明,，否則這個(gè)二極管都是存在的,。IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的,。因?yàn)榇蠖鄶?shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過(guò)單相或三相整流后的直流母線電壓下,。安徽定制英飛凌IGBT代理商

    igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊,。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能,。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域,。目錄1特點(diǎn)2應(yīng)用3注意事項(xiàng)4發(fā)展趨勢(shì)IGBT功率模塊特點(diǎn)編輯igbt功率模塊是電壓型控制,，輸入阻抗大,，驅(qū)動(dòng)功率小,，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小,，通斷速度快,，工作頻率高,，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點(diǎn)于一體化,。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,，開(kāi)關(guān)頻率高（可達(dá)20khz）,，這兩點(diǎn)非常顯著的特性,，近西門子公司又推出低飽和壓降（）的npt-igbt性能更佳,，相繼東芝,、富士、ir,摩托羅拉亦己在開(kāi)發(fā)研制新品種,。IGBT功率模塊應(yīng)用編輯igbt是先進(jìn)的第三代功率模塊,，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,，即dc/ac變換中,。例電動(dòng)汽車,、伺服控制器、ups,、開(kāi)關(guān)電源、斬波電源,、無(wú)軌電車等,。問(wèn)世迄今有十年多歷史,，幾乎己替代一切其它功率器件,，例，單個(gè)元件電壓可達(dá)（pt結(jié)構(gòu)）一（npt結(jié)構(gòu)）,，電流可達(dá),。IGBT功率模塊注意事項(xiàng)編輯a,柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣,，以免產(chǎn)生靜電而擊穿,。常見(jiàn)英飛凌IGBT模塊可以用于率封裝,，比如450A,，600A,，800A等。

    目前,，半導(dǎo)體功率模塊主要廣泛應(yīng)用在斬波或逆變電路中,，如軌道交通、電動(dòng)汽車,、風(fēng)力和光伏發(fā)電等電力系統(tǒng)以及家電領(lǐng)域。其中,，半導(dǎo)體功率模塊主要是由igbt(insulatedgatebipolartransistor，絕緣柵雙極型晶體管)器件和fwd(freewheelingdiode,，續(xù)流二極管)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,。在實(shí)際應(yīng)用中,，為了保證半導(dǎo)體功率模塊能夠保證安全,、可靠的工作,，通常在半導(dǎo)體功率模塊的dcb(directbondingcopper,，陶瓷覆銅板)板上增加電流傳感器以及溫度傳感器,，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體功率模塊中的器件進(jìn)行過(guò)電流和溫度的實(shí)時(shí)監(jiān)控,，方便電路進(jìn)行保護(hù)?，F(xiàn)有技術(shù)中主要通過(guò)在igbt器件芯片內(nèi)集成電流傳感器，并利用鏡像電流檢測(cè)原理實(shí)現(xiàn)電流的實(shí)時(shí)監(jiān)控,，如kelvin開(kāi)爾芬連接,，但這種方式得到的檢測(cè)電流曲線與工作電流曲線并不對(duì)應(yīng),，即得到的檢測(cè)電流與工作電流的比例關(guān)系不固定,，從而導(dǎo)致檢測(cè)電流的精度和敏感性比較低,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此,，本發(fā)明的目的在于提供igbt芯片及半導(dǎo)體功率模塊,，以緩解上述技術(shù)問(wèn)題,，且，避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠?，提高了檢測(cè)電流的精度,。第1方面,，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種igbt芯片,。

    廣泛應(yīng)用在斬波或逆變電路中,，如軌道交通,、電動(dòng)汽車、風(fēng)力和光伏發(fā)電等電力系統(tǒng)以及家電領(lǐng)域,。此外,，半導(dǎo)體功率模塊主要包括igbt器件和fwd，在實(shí)際應(yīng)用中,，為了保證半導(dǎo)體功率模塊能夠保證安全,、可靠的工作,，通常在半導(dǎo)體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以及溫度傳感器，以對(duì)半導(dǎo)體功率模塊中的器件進(jìn)行過(guò)電流和溫度的實(shí)時(shí)監(jiān)控,，方便電路進(jìn)行保護(hù)?，F(xiàn)有技術(shù)中主要通過(guò)在igbt器件芯片內(nèi)集成電流傳感器，并利用鏡像電流檢測(cè)原理實(shí)現(xiàn)電流的實(shí)時(shí)監(jiān)控,，例如,，對(duì)于圖2中的電流敏感器件，在igbt器件芯片有源區(qū)內(nèi)按照一定面積比如1:1000,，隔離開(kāi)1/1000的源區(qū)金屬電極作為電流檢測(cè)的電流傳感器1,，該電流傳感器1的集電極和柵極與主工作區(qū)是共用，發(fā)射極則是分開(kāi)的,，因此,，在電流傳感器1的源區(qū)金屬上引出電流以測(cè)試電極，并在外電路中檢測(cè)測(cè)試電極中的電流,，從而檢測(cè)器件工作中電流狀態(tài),。但是，在上述鏡像電流檢測(cè)中,，受發(fā)射極引線的寄生電阻和電感產(chǎn)生的阻抗的影響,，電流檢測(cè)精度會(huì)降低，因此，現(xiàn)有方法主要采用kelvin連接,，如圖3所示,，當(dāng)柵極高電平時(shí)，電流傳感器1與主工作區(qū)分別流過(guò)電流,，電流傳感器1的電流流過(guò)檢測(cè)電阻40到主工作區(qū)發(fā)射區(qū)金屬后通過(guò)主工作區(qū)發(fā)射極引線到地。當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率很高時(shí):導(dǎo)通的時(shí)間相對(duì)于很短,，所以,，導(dǎo)通損耗只能占一小部分。

    在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越的應(yīng)用,，在較高頻率的大,、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位,。IGBT的等效電路如圖1所示,。由圖1可知,，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通,，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,，則MOS截止,，切斷PNP晶體管基極電流的供給,，使得晶體管截止,。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級(jí)的漏電流流過(guò)，基本上不消耗功率,。1,、IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān),。其相互關(guān)系見(jiàn)下表,。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。同時(shí),，開(kāi)關(guān)損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇，因此,，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇,，選用時(shí)應(yīng)該降等使用,。2,、使用中的注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄,，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：在使用模塊時(shí)。通常IGBT模塊的工作電壓（600V,、1200V,、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí),。安徽定制英飛凌IGBT代理商

交流380V供電，使用1200V的IGBT,。安徽定制英飛凌IGBT代理商

    同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長(zhǎng),。IGBT模塊按封裝工藝來(lái)看主要可分為焊接式與壓接式兩類,。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主,，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù),，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝,。隨著IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展,，芯片的高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應(yīng),。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進(jìn),。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)：無(wú)焊接、無(wú)引線鍵合及無(wú)襯板/基板封裝技術(shù),；內(nèi)部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路等功能元件,，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度,。IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件，IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè),、4C(通信、計(jì)算機(jī),、消費(fèi)電子,、汽車電子),、航空航天、等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通,、新能源、智能電網(wǎng),、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。1）新能源汽車IGBT模塊在電動(dòng)汽車中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,，是電動(dòng)汽車及充電樁等設(shè)備的技術(shù)部件,。IGBT模塊占電動(dòng)汽車成本將近10%，占充電樁成本約20%,。IGBT主要應(yīng)用于電動(dòng)汽車領(lǐng)域中以下幾個(gè)方面：A）電動(dòng)控制系統(tǒng)大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅(qū)動(dòng)汽車電機(jī),。安徽定制英飛凌IGBT代理商

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司成立于2022-03-29，同時(shí)啟動(dòng)了以英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼為主的IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器產(chǎn)業(yè)布局,。業(yè)務(wù)涵蓋了IGBT模塊，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器等諸多領(lǐng)域,，尤其IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊，熔斷器中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì),，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目,；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng),、科技創(chuàng)新,、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器等實(shí)現(xiàn)一體化,，建立了成熟的IGBT模塊,，可控硅晶閘管,，二極管模塊,，熔斷器運(yùn)營(yíng)及風(fēng)險(xiǎn)管理體系,，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn),，擁有一大批專業(yè)人才,。公司坐落于昆山開(kāi)發(fā)區(qū)朝陽(yáng)東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201,，業(yè)務(wù)覆蓋于全國(guó)多個(gè)省市和地區(qū)。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收,，進(jìn)一步為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì),、社會(huì)協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。