***,，市場發(fā)展的趨勢要求系統(tǒng)的高可靠性,，正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動力。現(xiàn)在這些模塊有了一個全新的設(shè)計結(jié)構(gòu),，焊層更少,，采用了角型柵極可控硅以及升級了的彈簧壓接技術(shù)，從而提高可靠性并降低了熱電阻,。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上,。技術(shù)鑒于工業(yè)應(yīng)用中對功率模塊日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求,，功率半導(dǎo)體制造商正不斷努力開發(fā)新模塊,，這些新模塊在擁有高度可靠性的同時成本也低。新模塊中,，DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點提供。機械設(shè)計方面更深入的改變是減少了焊層,。由于熱阻減小了,，使得輸出電流大，并增強了可靠性,。雖然新一代模塊擁有眾多的改進，新SEMIPACK模塊的外封裝尺寸還和當(dāng)前模塊的尺寸一樣,。賽米控公司,，作為SEMIPACK1的發(fā)明者，堅持采用同樣的模塊尺寸,，這意味著,，散熱器的大小以及輔助端子的高度和位置都保持不變。對于客戶來說,，這意味著無需改變設(shè)計,，例如到直流環(huán)節(jié)的連接或散熱器的鉆孔。在沒有影響機械設(shè)計或?qū)﹄姎庑阅苡腥魏瓮讌f(xié)的前提下,，新版模塊的層數(shù)更少：新設(shè)計的DBC襯底上不再有鉬層和銅層,；芯片是直接焊到DBC上的,。在功率循環(huán)（10000次負載循環(huán)，△Tj=100k）中,。曲線OA段稱為不導(dǎo)通區(qū)或死區(qū)。一般硅管的死區(qū)電壓約為0.5伏,。甘肅模塊平臺

    TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅(qū)動設(shè)計的優(yōu)勝之處。但在這個測試中,，Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計算在內(nèi),。為了只顯示出IGBT對整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測試,，如圖9中的Ice(cntrl)。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒有IGBT情況下,，負偏置柵驅(qū)動器IGBT的I電流,。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵驅(qū)動器的I電流,。兩種情況下的電流都很低，分別為1A和,。圖10其他公司的IGBT的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流1A峰值圖11IRG30B120KD-E的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流如果從整體IGBT/二極管電流中減去圖10和圖11的二極管電流,，結(jié)果是I（負偏置柵驅(qū)動IGBT）=18-1=17AI（IRGP30B120KD-E）==可見總的減小為17:=21:1在相同的測試條件下,，當(dāng)柵電壓是在0V或單正向柵驅(qū)動情況下，IRGP30B120KD的電路性能顯示dV/dt感生開通電流減小比例為21:1,。如果IGBT采用這種方式驅(qū)動,，電流很小，對功耗的影響幾乎可以忽略,。天津模塊廠家直銷二極管被擊穿后電流過大將使管子損壞，因此除穩(wěn)壓管外,，二極管的反向電壓不能超過擊穿電壓,。

    我國的功率半導(dǎo)體技術(shù)包括芯片設(shè)計,、制造和模塊封裝技術(shù)目前都還處于起步階段。功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)研究一般采取“設(shè)計+代工”模式,，即由設(shè)計公司提出芯片設(shè)計方案,，由國內(nèi)的一些集成電路公司代工生產(chǎn)。由于這些集成電路公司大多沒有**的功率器件生產(chǎn)線,，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工,，所以設(shè)計生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通IC芯片相比,，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題,，如芯片的減薄工藝，背面工藝等,。解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù),，更需要先進的工藝設(shè)備，這些都是我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題,。從80年代初到現(xiàn)在IGBT芯片體內(nèi)結(jié)構(gòu)設(shè)計有非穿通型(NPT),、穿通型(PT)和弱穿通型(LPT)等類型，在改善IGBT的開關(guān)性能和通態(tài)壓降等性能上做了大量工作,。但是把上述設(shè)計在工藝上實現(xiàn)卻有相當(dāng)大的難度,。尤其是薄片工藝和背面工藝,。工藝上正面的絕緣鈍化，背面的減薄國內(nèi)的做的都不是很好,。低溫藥芯錫絲薄片工藝,，特定耐壓指標(biāo)的IGBT器件，芯片厚度也是特定的,，需要減薄到200-100um,，甚至到80um,，現(xiàn)在國內(nèi)可以將晶圓減薄到175um，再低就沒有能力了,。比如在100~200um的量級，當(dāng)硅片磨薄到如此地步后,，后續(xù)的加工處理就比較困難了,。

    作為本實用新型的進一步方案：所述變壓器隔離電路采用高頻隔離變壓器，其副邊有兩個**的繞組,，輸出兩路隔離電源。與現(xiàn)有技術(shù)相比,，本實用新型的有益效果是：本實用新型能夠有效保護igbt模塊,，并且該實用新型原邊電路集成了死區(qū)電路、互鎖電路和保護電路,，可以提高抗干擾能力,，提高驅(qū)動電路可靠性,。附圖說明圖1為本實用新型涉及的風(fēng)電變流器驅(qū)動電路示意圖,。圖2為本實用新型涉及的風(fēng)電變流器的具體驅(qū)動電路。具體實施方式下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚,、完整地描述，顯然,，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例,，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,，都屬于本實用新型保護的范圍,。請參閱圖1-2，實施例1：本實用新型實施例中,，風(fēng)電變流器的igbt驅(qū)動電路,，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路,，原邊電路包括死區(qū)電路、互鎖電路,、保護電路,、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路,，隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路,，副邊電路包括±15v驅(qū)動電源,、驅(qū)動電路和vce-sat檢測電路。原邊電路包括上下管的死區(qū)電路,、互鎖電路和保護電路,。主要包括輸入電路、光電耦合器,、過零觸發(fā)電路,、開關(guān)電路（包括雙向晶閘管）,、保護電路（RC吸收網(wǎng)絡(luò)）。

    由于西門康IGBT模塊供應(yīng)為MOSFET結(jié)構(gòu),，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,。由于此氧化膜很薄，其擊穿電一般達到20～30V,。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：1,、在使用模塊時,，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸西門康IGBT模塊供應(yīng)端子時,，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,，再觸摸；2,、在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時,，在配線未接好之前請先不要接上模塊；3,、盡量在底板良好接地的情況下操作,。在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓,。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,，以減少寄生電感,。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開路時,，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過,，柵極電位升高，集電極則有電流流過,。這時,，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使西門康IGBT模塊供應(yīng)發(fā)熱及至損壞,。在使用西門康IGBT模塊供應(yīng)的場合，當(dāng)柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài)),。6.5 kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件,，專為滿足中壓軟起動器應(yīng)用的特殊要求而開發(fā),。山西本地模塊

IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應(yīng)用實現(xiàn)一致性的散熱性能,。甘肅模塊平臺

    四種IGBT模塊常規(guī)測量儀器作者：微葉科技時間：2015-10-1516:38看了很多的IGBT測量方法,，其中不乏極具精髓的，但不怎么的***?，F(xiàn)在我總結(jié)介紹四招,，有這四招，足以應(yīng)付日常工作中的要求了,。但這是在簡單工具的前提下,，只能說是常規(guī)測量吧。下面先擺出四大裝備（排名不分先后）：數(shù)字萬用表：雖然,，用它來測量有太多的局限性,，但它卻是我們**常用和普遍的工具**。用它測量二極管的管壓降,，不僅能在一定程度上判斷其好壞,，還能判定它們的離散性。數(shù)字電容表：這個可能是很多人用的比較少吧,，其實我們都知道，IGBT的容量大小是有規(guī)律的,，容量大它的各種等效電容容量也將同比加大,，如**重要的Cies就是我們的測量對象,。但是,，官方給出的多是VGE=0VVCE=10Vf=1MHZ時的參考數(shù)值，我們根本沒有條件來做直接對比,。我們使用的數(shù)字電容表多在800HZ的測試頻率。但這不并不影響我們的測量,，我們只要總結(jié)規(guī)律,，以我們現(xiàn)有的這種簡單測試儀表也還是具有非大的靠性的，而且在一定程度上能判斷各個IGBT管的同一性?，F(xiàn)在很多***商以小充大來賺取暴利,，所以這是一個很好的方法。萬一你用上了“來歷不明”的模塊而爆機時有可能就是這種情況,，不是你技術(shù)不好或是你維修的不夠仔細,。甘肅模塊平臺

江蘇芯鉆時代電子科技有限公司擁有一般項目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā),、技術(shù)咨詢,、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓,、技術(shù)推廣,；電子元器件批發(fā)；電子元器件零售,；電子元器件與機電組件設(shè)備銷售,；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售,；電子測量儀器銷售,；機械電氣設(shè)備銷售；風(fēng)動和電動工具銷售,；電氣設(shè)備銷售,；光電子器件銷售,；集成電路芯片及產(chǎn)品銷售,；半導(dǎo)體照明器件銷售；半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售,；半導(dǎo)體分立器件銷售,；集成電路銷售；五金產(chǎn)品批發(fā),；五金產(chǎn)品零售；模具銷售；電器輔件銷售,；電力設(shè)施器材銷售；電工儀器儀表銷售,；電工器材銷售；儀器儀表銷售,；辦公設(shè)備銷售,；辦公設(shè)備耗材銷售；辦公用品銷售,；日用百貨銷售,；機械設(shè)備銷售；超導(dǎo)材料銷售,；密封用填料銷售,；密封件銷售；高性能密封材料銷售,；橡膠制品銷售,；塑料制品銷售；文具用品批發(fā),；文具用品零售,；金屬材料銷售；金屬制品銷售,；金屬工具銷售；環(huán)境保護設(shè)備銷售,；生態(tài)環(huán)境材料銷售,；集成電路設(shè)計,；集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動）等多項業(yè)務(wù),，主營業(yè)務(wù)涵蓋IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器,。目前我公司在職員工以90后為主，是一個有活力有能力有創(chuàng)新精神的團隊,。誠實,、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求,，也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器,。公司力求給客戶提供全數(shù)良好服務(wù)，我們相信誠實正直,、開拓進取地為公司發(fā)展做正確的事情,，將為公司和個人帶來共同的利益和進步。經(jīng)過幾年的發(fā)展,，已成為IGBT模塊,，可控硅晶閘管，二極管模塊,，熔斷器行業(yè)出名企業(yè),。